技术总结
一种绝缘栅双极型晶体管器件结构，顶部包括有源原胞和虚拟原胞，有源原胞由两个相邻的有源沟槽及其相邻半导体层组成，有源原胞的左右两边都是虚拟原胞，虚拟原胞包含虚拟沟槽，虚拟原胞以虚拟沟槽为边界，所有沟槽都至少穿透部分CS层和部分N-漂移层；器件顶部包括三种P型基区，第一种P型基区位于有源原胞区域内，但不存在于两个有源沟槽之间，上面还设有N+发射区和P+接触区，并通过介质层中的窗口和金属发射极相连接；第二种P型基区位于有源原胞区域内的两个有源沟槽之间，并且都是电位悬空的；第三种P型基区位于虚拟原胞区域内。
技术研发人员：李宇柱
受保护的技术使用者：常州中明半导体技术有限公司
文档号码：201510477924
技术研发日：2015.08.06
技术公布日：2017.02.22