本发明属于薄膜覆晶封装技术领域，具体涉及一种薄膜覆晶封装结构的封装方法。
背景技术：
传统的薄膜覆晶封装过程中，在覆晶薄膜和封装基板之间放置一层导电薄膜，导电薄膜里含有导电粒子，封装结束后覆晶薄膜的凸块与基板的垫块通过导电粒子电连接，因此具有很大的电阻，同时凸块和垫块的侧面会有部分暴露，为了防止水分浸透及由此引来的腐蚀现象，还需要追加一道密封工序。
技术实现要素：
本发明的目的是解决上述问题，提供一种简单有效的的薄膜覆晶封装结构的封装方法。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种薄膜覆晶封装结构的封装方法，包括以下步骤:
步骤一、在薄膜基底上形成多个导电性的凸块；
步骤二、把胶体涂抹在薄膜基底上，胶体的涂抹量，以封装后，胶体恰好能包裹凸块和垫块为标准；涂抹位置在于凸块之间；
步骤三、将基板与薄膜基底对位，使得基板下方的垫块与薄膜基底上的凸块一一对应，双双位于同一垂直线上；
步骤四、完成对位后使基板下移，使得垫块与凸块接触，挤压基板，胶体受到基板和垫块的挤压，横向扩散，最后将垫块与凸块包围并密封起来；
步骤五、固化封装结构，完成封装。
优选地，胶体为绝缘性树脂材料。
优选地，步骤四是在200℃～250℃的环境中完成。
优选地，步骤四中，挤压基板的时间至少为5秒。
优选地，步骤五中，固化是在100℃～130℃固化或在常温中放置3小时自然硬化。
本发明的有益效果是：本发明所提供的薄膜覆晶封装结构的封装方法，覆晶薄膜和基板靠胶体进行封装，省略了导电薄膜的使用，缩短封装时间，使封装结构简单化，且凸块和垫块直接接触，可以减小两者之间的电阻；同时胶体能够防止封装结构水分浸透及由此引来的腐蚀现象，不需要额外的密封工序，胶体也能加强覆晶薄膜和基板的结合能力。
附图说明
图1是本发明中封装完成后薄膜覆晶封装结构的结构示意图。
附图标记说明：11、薄膜基底；13、凸块；31、基板；33、垫块；40、胶体。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步的说明：
如图1所示，本发明的薄膜覆晶封装结构，包括覆晶薄膜和基板31，覆晶薄膜包括薄膜基底11以及设于薄膜基底11上表面的导电性的凸块13，基板31覆盖在覆晶薄膜上，基板31的下表面设有导电性的垫块33，垫块33与凸块13一一对应互相接触，成对的垫块33与凸块13应位于同一垂直线上，基板31和覆晶薄膜之间填充有胶体40，胶体40将垫块33与凸块13包围并密封起来，胶体40为绝缘性树脂材料。
上述薄膜覆晶封装结构的封装方法包括以下步骤：
步骤一、在薄膜基底11上形成多个导电性的凸块13；
步骤二、把胶体40涂抹在薄膜基底11上，胶体40的涂抹量，以封装后，胶体40恰好能包裹凸块13和垫块33为标准；涂抹位置在于凸块13之间；
步骤三、将基板31与薄膜基底11对位，使得基板31下方的垫块33与薄膜基底11上的凸块13一一对应，双双位于同一垂直线上；
步骤四、完成对位后使基板31下移，使得垫块33与凸块13接触，挤压基板31至少5秒，胶体40受到基板31和垫块33的挤压，横向扩散，最后将垫块33与凸块13包围并密封起来；该过程是在200℃～250℃的环境中完成；
步骤五、封装结构在100℃～130℃固化或在常温中放置3小时自然硬化，完成封装。
本发明的薄膜覆晶封装结构，凸块和垫块靠胶体进行封装，省略了导电薄膜的使用，缩短封装时间，使封装结构简单化，且凸块和垫块直接接触，可以减小两者之间的电阻；同时胶体能够防止封装结构水分浸透及由此引来的腐蚀现象，部需要额外的密封工序，胶体也能加强覆晶薄膜和基板的结合能力。
本领域的普通技术人员将会意识到，这里所述的实施例是为了帮助读者理解本发明的原理，应被理解为本发明的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本发明公开的这些技术启示做出各种不脱离本发明实质的其它各种具体变形和组合，这些变形和组合仍然在本发明的保护范围内。