技术总结
本发明涉及一种具有静电释放保护结构的半导体器件，静电释放保护结构为连接于半导体器件的栅极和源极之间的二极管，二极管包括二极管主体和连接于二极管主体两端、分别用于电性连接栅极和源极的两个连接部，两个连接部的下方各设有一沟槽，沟槽的内表面及沟槽之间的衬底表面设有绝缘层，二极管主体设于衬底表面的绝缘层上，连接部分别从二极管主体的一端向下伸入各自的沟槽内；二极管上设有介质层，介质层上设有金属导线层。本发明需要整体淀积的介质层厚度更薄，对于厚介质处接触孔腐蚀的工艺难度也相应降低，在降低成本的同时提高了生产率。
技术研发人员：肖魁
受保护的技术使用者：无锡华润上华半导体有限公司
文档号码：201510719263
技术研发日：2015.10.28
技术公布日：2017.05.10