技术总结
一种半导体结构的制造方法，包括：形成包括周边区和核心区的衬底、凸出于周边区衬底的第一鳍部和凸出于核心区衬底的第二鳍部；在周边区形成第一伪栅结构，包括第一伪栅氧化层和第一伪栅电极层，在核心区形成第二伪栅结构，包括第二伪栅氧化层和第二伪栅电极层；去除第一伪栅结构，在暴露出的第一鳍部表面形成栅氧化层；去除第二伪栅结构；在第一鳍部表面形成第一栅极结构，在第二鳍部表面形成第二栅极结构。本发明在形成第一栅极结构之前，先去除第一伪栅氧化层，然后形成第一栅氧化层，所述第一栅氧化层具有良好的膜层质量，从而提高了周边区器件的第一栅极结构的质量，进而使形成的半导体器件的电学性能得到提高。
技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
文档号码：201510741804
技术研发日：2015.11.04
技术公布日：2017.05.10