技术总结
一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成高k栅介质层；在所述高k栅介质层表面形成牺牲层；对所述高k栅介质层进行缺陷钝化退火处理，所述缺陷钝化退火处理在含有缺陷钝化离子的氛围下进行，且所述缺陷钝化退火处理过程中，所述缺陷钝化离子经由牺牲层进入高k栅介质层内；去除所述牺牲层；在所述高k栅介质层表面形成栅电极层。本发明改善高k栅介质层的介电弛豫问题，且提高高k栅介质层和界面层的致密度，从而提高形成的半导体结构的电学性能。
技术研发人员：李勇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
文档号码：201510741813
技术研发日：2015.11.04
技术公布日：2017.05.10