技术总结
提供针对鳍式场效晶体管(FinFET)的利用选择性沉积工艺形成具有多个期望材料的鳍片结构的方法，该期望材料形成在该鳍片结构的不同位置上。在一实施例中，在基板上形成具有期望材料的结构的方法包括在具有三维(3D)结构形成于上的基板上沉积第一材料，同时进行布植工艺来掺杂3D结构的第一区域。移除第一材料，并且在3D结构上沉积第二材料。第二材料可在3D结构的第二区域上选择性地生长。
技术研发人员：E·Y·叶;S·D·内马尼;L·戈代;范寅;T·马
受保护的技术使用者：应用材料公司
文档号码：201580036453
技术研发日：2015.06.08
技术公布日：2017.05.10