1.一种半导体装置，其特征在于包括：
第1导电型的第1半导体区域；
第2导电型的第2半导体区域，设置在所述第1半导体区域之上；
第2导电型的第3半导体区域，所述第3半导体区域的至少一部分由所述第2半导体区域包围；
第2导电型的第4半导体区域，所述第4半导体区域的至少一部分由所述第2半导体区域包围，所述第4半导体区域与所述第3半导体区域相隔，所述第4半导体区域的第2导电型的载子浓度高于所述第2半导体区域的第2导电型的载子浓度，所述第4半导体区域的第1方向上的端部相对于所述第3半导体区域的所述第1方向上的端部设置在所述第1方向侧，且所述第1方向是从所述第2半导体区域朝向所述第1半导体区域的方向；及
绝缘部，设置在所述第4半导体区域之上、和位于所述第3半导体区域与所述第4半导体区域之间的所述第2半导体区域的一部分之上。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述第3半导体区域的第2导电型的载子浓度高于所述第2半导体区域的第2导电型的载子浓度。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述第4半导体区域的第2导电型的载子浓度高于所述第3半导体区域的第2导电型的载子浓度。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：
所述第3半导体区域沿与所述第1方向正交的第2方向延伸，
所述第4半导体区域的、与所述第1方向及所述第2方向正交的第3方向上的长度比所述第3半导体区域的所述第3方向上的长度短。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：
所述绝缘部的一部分设置在所述第3半导体区域之上。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：
所述第3半导体区域在所述第3方向上设有多个，
所述第4半导体区域在所述第3方向上设置在多个所述第3半导体区域之间，
所述绝缘部的所述一部分在所述第3方向上设置在与所述第4半导体区域相邻的所述第3半导体区域之上。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
还包括导电部，所述导电部设置在所述绝缘部之上、所述第2半导体区域之上、及所述第3半导体区域之上。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：
所述第2半导体区域与所述导电部形成肖特基结，
所述第3半导体区域与所述导电部形成欧姆结。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述第2半导体区域包括：
第1部分；及
第2部分，具有比所述第1部分的第2导电型的载子浓度低的第2导电型的载子浓度；且
所述第3半导体区域的所述至少一部分由所述第1部分包围，
所述第4半导体区域的所述至少一部分由所述第2部分包围。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
还包括第2导电型的第5半导体区域，所述第2导电型的第5半导体区域由所述第1半导体区域包围，且与所述第4半导体区域相接。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于：
所述第4半导体区域的所述端部相对于所述第5半导体区域的所述第1方向侧的端部设置在所述第1方向侧。
12.一种半导体装置，其特征在于包括：
第1导电型的第6半导体区域；
第1导电型的第1半导体区域，设置在所述第6半导体区域之上，且所述第1半导体区域的第1导电型的载子浓度低于所述第6半导体区域的第1导电型的载子浓度；
第2导电型的第2半导体区域，设置在所述第1半导体区域之上；
第2导电型的第3半导体区域，所述第3半导体区域的至少一部分由所述第2半导体区域包围；
第2导电型的第4半导体区域，所述第4半导体区域的至少一部分由所述第2半导体区域包围，所述第4半导体区域与所述第3半导体区域相隔，所述第4半导体区域的第2导电型的载子浓度高于所述第2半导体区域的第2导电型的载子浓度，所述第4半导体区域与所述第6半导体区域之间的第1方向上的距离比所述第3半导体区域与所述第6半导体区域之间的所述第1方向上的距离短，且所述第1方向是从所述第2半导体区域朝向所述第1半导体区域的方向；及
绝缘部，设置在所述第4半导体区域之上、和位于所述第3半导体区域与所述第4半导体区域之间的所述第2半导体区域的一部分之上。