技术总结
实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第2导电型的第4半导体区域、及绝缘部。第4半导体区域与第3半导体区域相隔。第4半导体区域的第2导电型的载子密度高于第2半导体区域的第2导电型的载子密度。第4半导体区域的从第2半导体区域朝向第1半导体区域的第1方向上的端部相对于第3半导体区域的第1方向的端部，设置在第1方向侧。绝缘部设置在第4半导体区域之上、和第2半导体区域中位于第3半导体区域与第4半导体区域之间的部分的至少一部分之上。
技术研发人员：松下宪一
受保护的技术使用者：株式会社东芝
文档号码：201610094153
技术研发日：2016.02.19
技术公布日：2017.03.08