技术特征：
技术总结
一种晶体管及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底表面具有第一层间介质层和贯穿第一层间介质层的开口；在所述开口中形成位于所述开口侧壁和底部的功函数层和位于所述功函数层上的栅电极层；去除所述栅电极层两侧侧壁的功函数层，形成凹槽；在所述凹槽中形成保护层。所述方法采用保护层替代栅电极层两侧侧壁的功函数层，提高了晶体管的隔离性能，从而提高了晶体管的电学性能。
技术研发人员：李勇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.04.14
技术公布日：2017.10.27