1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
第一沟槽和第二沟槽；
衬里图案，分别沿着第一沟槽和第二沟槽的侧表面的一部分并沿着第一沟槽和第二沟槽的底表面；
逸出功金属，分别在第一沟槽和第二沟槽中并在衬里图案上；
第一阻挡金属，在第一沟槽中并在逸出功金属上，并具有第一厚度；
第二阻挡金属，在第二沟槽中并在逸出功金属上，并具有比第一厚度厚的第二厚度；以及
第一填充金属，在第一阻挡金属上。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括位于第二阻挡金属上的第二填充金属。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括在第一阻挡金属内的第一凹陷，其中，第一填充金属填充第一凹陷。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，所述半导体装置还包括在第二阻挡金属内的第二凹陷和填充第二凹陷的第二填充金属。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，第一凹陷的宽度比第二凹陷的宽度宽。
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，第一凹陷的深度比第二凹陷的深度大。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
第一覆盖图案，在第一阻挡金属上，并填充第一沟槽；以及
第二覆盖图案，在第二阻挡金属上，并填充第二沟槽。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括在第一沟槽和第二沟槽中并在衬里图案下面的高k介电膜。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，在第一沟槽中，高k介电膜接触衬里图案和第一阻挡金属。
10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，高k介电膜接触逸出功金属。
11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，在第一沟槽中，高k介电膜不接触第一填充金属。
12.根据权利要求8所述的半导体装置，所述半导体装置还包括在衬里图案与高k介电膜之间的稀土金属膜。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，稀土金属膜包括LaO、Y2O3和LaSiO中的一种或更多种。
14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，衬里图案包括下衬里图案和在下衬里图案上的上衬里图案。
15.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
第一沟槽和第二沟槽；
衬里图案，分别沿着第一沟槽和第二沟槽的侧表面的一部分并沿着第一沟槽和第二沟槽的底表面；
逸出功金属，分别在第一沟槽和第二沟槽中并在衬里图案上；
阻挡金属，在第一沟槽和第二沟槽中并在逸出功金属上；
填充金属，在阻挡金属上，其中，第一沟槽中的填充金属的体积比第二沟槽中的填充金属的体积大。
16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，在第一沟槽中阻挡金属与填充金属组合的第一体积与在第二沟槽中阻挡金属与填充金属组合的第二体积相等。
17.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，填充金属包括在第一沟槽中的第一填充金属和在第二沟槽中的第二填充金属，第一填充金属的宽度比第二填充金属的宽度大。
18.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，填充金属包括在第一沟槽中的第一填充金属和位于第二沟槽中的第二填充金属，第一填充金属的高度比第二填充金属的高度大。
19.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，阻挡金属包括Ti和Ta中的一种或更多种。
20.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
第一栅极和第二栅极，在基底上彼此相邻，其中：
第一栅极包括U形的第一衬里图案、在第一衬里图案上的第一逸出功金属、在第一逸出功金属上并具有比第一衬里图案的上表面高的下表面的第一阻挡金属和在第一阻挡金属上的第一填充金属，
第二栅极包括U形的第二衬里图案、在第二衬里图案上的第二逸出功金属和在第二逸出功金属上并具有比第二衬里图案的上表面高的下表面的第二阻挡金属。