1.一种倒装LED芯片电极，其特征在于，为金属掺杂薄膜，金属掺杂薄膜的主体为具有高反射率的金属Ag或Al材料，掺杂金属为具有高功函数的金属，掺杂的原子比例为1%~10%。
2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片电极，其特征在于，金属掺杂薄膜的厚度为100~150nm。
3.根据权利要求1所述的倒装LED芯片电极，其特征在于，所述掺杂金属为Ni、Au、Pt、Pd、Rh或Ir。
4.含有权利要求1所述电极的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
（1）将清洗后的外延片放入共溅射镀膜腔中；
（2）同时溅射主体金属靶材和掺杂金属靶材，在外延片上沉积100~150nm的金属掺杂薄膜；通过控制溅射功率来控制掺杂比例为1%~10%，通过控制溅射时间来控制薄膜的沉积厚度；
（3）将沉积好的外延片取出，采用电感耦合离子刻蚀的方法刻蚀出台阶使N型半导体暴露出来；
（4）在金属掺杂薄膜层上蒸镀P型焊盘，在N型半导体上蒸镀N型焊盘。