技术总结
本发明公开了一种倒装LED芯片电极及其制备方法。一种倒装LED芯片电极由金属掺杂薄膜层组成，金属掺杂薄膜层主体为高反射率的金属材料，通过共溅射的方法在其中掺杂有1~10%具有高功函数的金属材料，由此金属掺杂薄膜层形成的P电极结构简单，不仅具有高的反射率，能有效地提高出光率，还能与P型半导体形成良好的欧姆接触。
技术研发人员：周圣军;刘梦玲;郑晨居;刘星童;高艺霖
受保护的技术使用者：武汉大学
文档号码：201610954442
技术研发日：2016.11.03
技术公布日：2017.03.22