1.一种高透过率低电阻银纳米线薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
a) 将硝酸银溶于多元醇中，并经过超声处理混合均匀，得到物质的量浓度为0.1mol•L-1～ 0.5mol•L -1的硝酸银醇溶液；
b) 将表面活性剂溶于多元醇中，得到物质的量浓度为0.05mol•L-1～ 0.5mol•L -1的表面活性剂醇溶液；
c)将所述硝酸银醇溶液与表面活性剂醇溶液按体积比4:5的比例混合，搅拌均匀后加入物质的量为1×10-6mol～5×10-5mol的金属离子控制剂，再升温到80℃～130℃，静置2h～12h，得到银纳米线母液；
d)对步骤c制得的银纳米线母液洗涤、离心分离，去除杂质后，采用分散剂将其分散置于棕色瓶中保存；银纳米线与分散剂的质量体积比为0.2mg·mL-1～20mol·L-1；银纳米线分散液中银纳米线长度为80um～200um，直径为40nm～100nm；
e) 将洗净的衬底置入旋涂机中，将步骤d制得的银纳米线醇溶液滴在衬底表面，涂覆完成后，自然晾干即得到银纳米线薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种高透过率低电阻银纳米线薄膜的制备方法，其特征在于，所述多元醇采用乙二醇、丙二醇、丙三醇或异丙醇。
3.根据权利要求1或2所述的一种高透过率低电阻银纳米线薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属离子控制剂采用六水合三氯化铁、氯化钠、四水合二氯化镍、六水合二氯化锰或六水合二氯化钴。
4.根据权利要求1或2所述的一种高透过率低电阻银纳米线薄膜的制备方法，其特征在于，所述表面活性剂采用聚乙烯吡咯烷酮K30、聚乙烯吡咯烷酮K45、聚乙烯吡咯烷酮K60或聚乙烯吡咯烷酮K90。
5.根据权利要求1或2所述的一种高透过率低电阻银纳米线薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤d中的洗涤采用无水乙醇、丙酮或去离子水作为洗涤剂，洗涤次数6～10次；所述离心分离采用离心机，离心转速2000rpm～8000rpm，离心时间10min～40min。
6.根据权利要求1或2所述的一种高透过率低电阻银纳米线薄膜的制备方法，其特征在于，步骤d中的分散剂为无水乙醇、异丙醇、乙二醇甲醚中的一种或任意两种的混合液。
7.根据权利要求1或2所述的一种高透过率低电阻银纳米线薄膜的制备方法，其特征在于，步骤e中旋涂速度为500r/min～5000r/min，旋涂时间为20s～90s，旋涂次数为2次～20次。