一种高透过率低电阻银纳米线薄膜的制备方法与流程

文档序号:12128758阅读:来源:国知局
技术总结
本发明公开一种高透过率低电阻银纳米线薄膜的制备方法,包括以下步骤:a) 将硝酸银溶于多元醇中,经过超声处理混合均匀,得到物质量浓度为0.1mol•L‑1~ 0.5mol•L ‑1的硝酸银醇溶液;b) 将表面活性剂溶于多元醇中,得到物质的量浓度为0.05mol•L‑1~ 0.5mol•L ‑1的表面活性剂醇溶液;c)将硝酸银醇溶液与表面活性剂醇溶液按体积比4:5的比例混合,加入金属离子控制剂,再升温、静置,得到银纳米线母液;d)对步骤c制得的银纳米线母液洗涤、离心分离,去除杂质后用分散剂分散,得到质量体积比为0.2mg·mL‑1~20mol·L‑1的银纳米线分散液,银纳米线长度为80um~200um,直径为40nm~100nm;e) 将洗净的衬底置入旋涂机中,将步骤d制得的银纳米线分散液滴在衬底表面,涂覆完成后,自然晾干即得到银纳米线薄膜。

技术研发人员:彭寿;操芳芳;金良茂;王芸;汤永康;王巍巍
受保护的技术使用者:蚌埠玻璃工业设计研究院
文档号码:201610956482
技术研发日:2016.10.27
技术公布日:2017.03.15

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