技术特征：
技术总结
本发明公开了一种SOI衬底、半导体器件及其形成方法。该SOI衬底包括：提供第一硅衬底，所述第一硅衬底包括第一硅层；提供第二硅衬底，所述第二硅衬底包括第三硅层和氧化层，所述氧化层的表面存在贯穿所述氧化层的凹槽，所述凹槽位于有源区，所述凹槽中填充有与所述第一硅层不同掺杂类型的硅材料，所述第三硅层与所述第一硅层为相同掺杂类型；键合所述第一硅衬底的一个表面和所述第二硅衬底的氧化层表面，以形成所述SOI衬底。本发明抑制了SOI结构的自加热效应和浮体效应，并且抑制了SOI结构的自加热效应。
技术研发人员：陈达
受保护的技术使用者：中芯集成电路（宁波）有限公司
技术研发日：2018.07.03
技术公布日：2018.12.14