1.一种光电集成器件的制备方法，其特征在于，包括：
选取衬底；
在所述衬底上生长p掺杂ge埋层；
在所述埋层上生长本征gesn层；
利用部分掩模工艺控制所述本征gesn层中sn组分的含量形成第一gesn区、第二gesn区以及第三gesn区；
在所述第一gesn区、所述第二gesn区以及所述第三gesn区上生长n掺杂ge层；
在所述n掺杂ge层上生长n掺杂si层；
在所述n掺杂si层上生长保护层；
刻蚀第一指定区域的所述保护层、所述n掺杂si层以及所述n掺杂ge层分别形成led和探测器的负电极区域；
刻蚀第二指定区域的所述第一gesn区、所述第二gesn区以及所述第三gesn区分别形成led和探测器的正电极区域、锥形波导以及所述锥形波导两侧的隔离沟槽；
在所述隔离沟槽中生长隔离层，在所述锥形波导上生长覆盖层；
在所述led的正电极区域、负电极区域以及所述探测器的正电极区域、负电极区域生长金属形成金属电极最终制备出所述光电集成器件。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述埋层上生长本征gesn层，包括：
在350℃温度下，利用减压cvd工艺在所述埋层上生长厚度为250nm的本征gesn层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，利用部分掩模工艺控制所述本征gesn层中sn组分的含量形成第一gesn区、第二gesn区以及第三gesn区，包括：
利用部分掩模工艺控制所述本征gesn层的一侧部分的sn组分含量为3％形成第一gesn区；
利用部分掩模工艺控制所述本征gesn层的中间部分的sn组分含量为1％形成第二gesn区；
利用部分掩模工艺控制所述本征gesn层的另一侧部分的sn组分含量为5％形成第三gesn区。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一gesn区、所述第二gesn区以及所述第三gesn区上生长n掺杂ge层，包括：
在160℃温度下，利用cvd工艺在所述第一gesn区、所述第二gesn区以及所述第三gesn区上生长n掺杂ge层。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述n掺杂ge层上生长n掺杂si层，包括：
在275℃～325℃温度下，利用cvd工艺在所述n掺杂ge层上生长n掺杂si层。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述n掺杂si层上生长保护层，包括：
利用lpcvd工艺在所述n掺杂si层上生长二氧化硅层。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀第一指定区域的所述保护层、所述n掺杂si层以及所述n掺杂ge层，包括：
利用干法刻蚀工艺，采用hf刻蚀第一指定区域的所述保护层、所述n掺杂si层；
利用干法刻蚀工艺，采用浓度比为1：2.5：10的hf：hno3：ch3cooh，继续刻蚀第一指定区域的所述n掺杂ge层分别形成led和探测器的负电极区域。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀第二指定区域的所述第一gesn区、所述第二gesn区以及所述第三gesn区，包括：
利用干法刻蚀工艺，采用浓度比为1：2.5：10的hf：hno3：ch3cooh，刻蚀第二指定区域的第一gesn区、所述第二gesn区以及所述第三gesn区，直至刻蚀至所述p掺杂ge埋层表面。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述隔离沟槽中生长隔离层，包括：
通过sih4和o2，在所述隔离沟槽中淀积厚度为20nm的二氧化硅隔离层；
利用干法刻蚀工艺刻蚀所述二氧化硅隔离层。
10.一种光电集成器件，其特征在于，所述光电集成器件由权利要求1～9任一项所述的方法制备形成。