1.一种制备多晶硅太阳能电池绒面结构的方法，其特征在于，包括：
a，将硅片放入含有金属银离子的溶液中，并在硅片表面形成多孔质层结构；
b，将包括多孔质层结构的硅片放入hcl溶液，以形成agcl保护层；
c，将带有agcl保护层的硅片放入第二腐蚀溶液，以获得多晶硅太阳能电池绒面结构。
2.根据权利要求1所述的制备多晶硅太阳能电池绒面结构的方法，其特征在于，所述步骤a包括：将硅片放入含有氧化剂以及金属银离子的氢氟酸溶液中，以在所述硅片表面形成所述多孔质层结构。
3.根据权利要求1所述的制备多晶硅太阳能电池绒面结构的方法，其特征在于：所述步骤a包括：
将所述硅片放入含有金属银离子的溶液中浸泡，以在所述硅片表面涂覆金属银纳米颗粒；
采用第一腐蚀溶液腐蚀硅片表面，以在所述硅片表面形成所述多孔质层结构，其中，所述第一腐蚀溶液为氢氟酸和氧化剂的混合溶液。
4.根据权利要求2所述的制备多晶硅太阳能电池绒面结构的方法，其特征在于：采用agno3、h2o2和hf按照预设质量百分比形成所述含有氧化剂和金属银离子的氢氟酸溶液，其中，
所述agno3的质量百分比的取值范围为2.0％-7.5％；
所述h2o2的质量百分比的取值范围为1.0％-5.0％；
所述hf的质量百分比的取值范围为15％-25％。
5.根据权利要求3所述的制备多晶硅太阳能电池绒面结构的方法，其特征在于，
采用agno3和hf按照预设质量百分比形成所述含有金属银离子的溶液，其中，所述agno3的质量百分比的取值范围为3％-8％，所述hf的质量百分比取值范围为0.1％-0.3％；
采用h2o2和hf按照预设质量百分比形成所述第一腐蚀溶液，其中，所述h2o2的质量百分比的取值范围为0.8％-4.0％，所述hf的质量百分比的取值范围为10％-20％。
6.根据权利要求1所述的制备多晶硅太阳能电池绒面结构的方法，其特征在于，在所述步骤a之前，所述方法还包括：
将所述硅片清洗并去除损伤层；
或者，将所述硅片进行清洗，以及将清洗后的硅片进行去除损伤层处理。
7.根据权利要求1所述的制备多晶硅太阳能电池绒面结构的方法，其特征在于：在所述步骤a和b之间，和/或，在所述步骤b和c之间，所述方法还包括：水洗步骤。
8.根据权利要求1所述的制备多晶硅太阳能电池绒面结构的方法，其特征在于：所述hcl溶液的浓度取值范围为10％-35％。
9.根据权利要求1所述的制备多晶硅太阳能电池绒面结构的方法，其特征在于：所述步骤b的条件包括：反应温度的取值范围为65℃-75℃，反应时间的取值范围为30s-160s。
10.根据权利要求1所述的制备多晶硅太阳能电池绒面结构的方法，其特征在于：所述方法还包括：
d，将带有所述步骤c得到的多晶硅太阳能电池绒面结构的硅片放入氨水溶液中以进行清洗。
11.根据权利要求10所述的制备多晶硅太阳能电池绒面结构的方法，其特征在于：所述氨水溶液的浓度取值范围为1.1％-3％。
12.根据权利要求11所述的制备晶体硅太阳能电池绒面结构的方法，其特征在于：所述步骤d的条件包括：清洗时间的取值范围为60s-160s，清洗温度为常温。
13.根据权利要求10所述的制备多晶硅太阳能电池绒面结构的方法，其特征在于：在所述步骤c和步骤d之间设有水洗步骤。
14.一种制备多晶硅太阳能电池的方法，其特征在于，包括：
提供多晶硅硅片；
采用如权利要求1-13任一项所述的制备多晶硅太阳能绒面结构的方法在所述多晶硅硅片上制备绒面结构；以及
在形成绒面结构的多晶硅硅片上制备光电转换结构。
15.一种多晶硅太阳能电池，其特征在于，包括：
多晶硅硅片；
所述多晶硅硅片上形成有绒面结构和光电转换结构，其中，所述绒面结构采用如权利要求1-13任一项所述的制备多晶硅太阳能电池绒面结构的方法制备。