技术总结
本公开提供了静态随机存取存储器(SRAM)单元及存储器结构。根据本公开的一种SRAM单元包括第一上拉栅极全环(GAA)晶体管以及第一下拉GAA晶体管，两者耦接在一起以形成第一反相器、第二上拉GAA晶体管以及第二下拉GAA晶体管，两者耦接在一起以形成第二反相器、第一传输闸GAA晶体管，耦接至第一反相器的输出及第二反相器的输入、第二传输闸GAA晶体管，耦接至第二反相器的输出及第一反相器的输入、第一介电鳍片，设置于第一上拉GAA晶体管与第一下拉GAA晶体管之间、以及第二介电鳍片，设置于第二上拉GAA晶体管与第二下拉GAA晶体管之间。上拉GAA晶体管与第二下拉GAA晶体管之间。上拉GAA晶体管与第二下拉GAA晶体管之间。
技术研发人员：廖忠志
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2020.05.14
技术公布日：2021/2/25