技术特征：
1.一种处理腐蚀液的方法，其特征在于，包括：在利用磷酸腐蚀液对晶圆片表面进行刻蚀的过程中，监测与所述腐蚀液中si浓度相关的目标参量；根据监测到的目标参量调整对所述腐蚀液的水供给量。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标参量为如下任意一种：所述腐蚀液中累积的si浓度、刻蚀速率、刻蚀的图形轮廓和处理晶圆张数。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述监测与所述腐蚀液中si浓度相关的目标参量，包括：通过硅浓度计检测所述腐蚀液的当前si浓度；所述根据监测到的目标参量调整对所述腐蚀液的水供给量，包括：判断所述腐蚀液的当前si浓度是否超出目标浓度范围，如果是，则根据所述当前si浓度调整对所述腐蚀液的水供给量。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述当前si浓度调整对所述腐蚀液的水供给量，包括：如果所述当前si浓度高于所述目标浓度范围，则根据所述当前si浓度缩减对所述腐蚀液的水供给量；如果所述当前si浓度低于所述目标浓度范围，则根据所述当前si浓度增加对所述腐蚀液的水供给量。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述监测与所述腐蚀液中si浓度相关的目标参量，包括：通过硅浓度计检测所述腐蚀液的当前si浓度，根据刻蚀速率与所述硫酸腐蚀液中si浓度之间的对应关系，确定所述当前si浓度对应的当前刻蚀速率；所述根据监测到的目标参量调整对所述腐蚀液的水供给量，包括：判断所述当前刻蚀速率是否超出目标刻蚀速率范围，如果是，则根据所述当前刻蚀速率调整对所述腐蚀液的水供给量。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述当前刻蚀速率调整对所述腐蚀液的水供给量，包括：如果所述当前刻蚀速率高于所述目标刻蚀速率范围，则缩减对所述腐蚀液的水供给量；如果所述当前刻蚀速率低于所述目标刻蚀速率范围，则增加对所述腐蚀液的水供给量。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述监测与所述腐蚀液中si浓度相关的目标参量，包括：监测所述腐蚀液对晶圆片表面进行刻蚀的当前处理晶圆张数；所述根据监测到的目标参量调整对所述腐蚀液的水供给量，包括：根据所述处理晶圆张数与水供给量之间的对应关系，确定所述当前处理晶圆张数对应的目标水供给量；在对所述当前张晶圆表面进行刻蚀的过程中，调整对所述腐蚀液的水供给量为所述目标水供给量。8.如权利要求1-7中任一所述的方法，其特征在于，调整所述磷酸腐蚀溶液中水含量在
10％～20％范围内。
技术总结
本发明公开了一种处理腐蚀液的方法，应用于半导体制造领域，在利用腐蚀液对晶圆片表面进行刻蚀的过程中，监测与所述腐蚀液中Si浓度相关的目标参量；根据监测到的目标参量调整对所述腐蚀液的水供给量。通过本发明通过调节对腐蚀液的水供应量来控制Si沉积引起的刻蚀速率变化，以保证在刻蚀行成相同的图形轮廓，节省了成本，提高了生产效率。提高了生产效率。提高了生产效率。
技术研发人员：车世浩 胡艳鹏 卢一泓 李琳
受保护的技术使用者：真芯（北京）半导体有限责任公司
技术研发日：2020.09.02
技术公布日：2022/3/18