1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一半导体衬底；所述半导体衬底至少包括中压区域，所述中压区域包括第一中压区和第二中压区，所述第一中压区和所述第二中压区通过隔离结构隔开；
形成栅极结构于所述第一中压区和所述第二中压区上；
形成侧墙结构于所述栅极结构的两侧；
形成光阻层于所述半导体衬底上，所述光阻层包括至少一开口，所述开口暴露所述第一中压区或所述第二中压区，其中，所述开口的宽度为第一宽度，所述开口的厚度为第一厚度；
进行离子掺杂步骤，以在所述第一中压区或所述第二中压区中形成源极和漏极，所述源极和所述漏极位于所述栅极结构的两侧；
对所述光阻层进行减薄处理，以使所述开口的宽度变为第二宽度，所述开口的厚度变为第二厚度，其中，所述第一宽度小于所述第二宽度，所述第一厚度大于所述第二厚度；
通过倾斜离子注入的方式在所述第一中压区或所述第二中压区内形成第一轻型掺杂区，所述第一轻型掺杂区位于所述栅极结构的两侧，且分别与所述源极和所述漏极接触。
2.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底还包括低压区域，所述低压区域和所述中压区域通过所述隔离结构隔开，所述低压区域包括第一低压区和第二低压区，所述第一低压区和所述第二低压区通过所述隔离结构隔开。
3.根据权利要求2所述半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成栅极结构于所述第一低压区和所述第二低压区上之后，以及在形成侧墙结构于所述第一低压区和所述第二低压区上之前，还包括在所述第一低压区和所述第二低压区内形成第二轻型掺杂区，以及在所述第一低压区和所述第二低压区内至少形成第一口袋区和第二口袋区。
4.根据权利要求3所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二口袋区位于所述第二轻型掺杂区的外侧，且与所述第二轻型掺杂区接触；所述第一口袋区分别与所述第二口袋区、所述第二轻型掺杂区接触。
5.根据权利要求2所述半导体器件的制造方法，其特征在于，当所述光阻层同时暴露所述第一中压区和所述第一低压区时，通过所述离子掺杂步骤，以在所述第一中压区内形成所述源极和所述漏极，以及在所述第一低压区内形成所述源极和所述漏极。
6.根据权利要求2所述半导体器件的制造方法，其特征在于，当所述光阻层同时暴露所述第二中压区和所述第二低压区时，通过所述离子掺杂步骤，以在所述第二中压区内形成所述源极和所述漏极，以及在所述第二低压区内形成所述源极和所述漏极。
7.根据权利要求2所述半导体器件的制造方法，其特征在于，在对所述第一中压区进行倾斜离子注入的同时，对所述第一低压区进行倾斜离子注入；在对所述第二中压区进行倾斜离子注入的同时，对所述第二低压区进行倾斜离子注入。
8.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述倾斜离子注入的角度在25°-50°。
9.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，位于所述第一中压区内的所述第一轻型掺杂区的离子掺杂类型不同于位于所述第二中压区内的所述第一轻型掺杂区的离子掺杂类型。
10.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，通过氧气等离子体对所述光阻层进行减薄处理。