1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
半导体衬底；
第一半导体区，所述第一半导体区形成于所述半导体衬底内，包括具有第一极性的第一材料；
第二半导体区，所述第二半导体区形成于所述半导体衬底内且耦合到所述第一半导体区，包括具有第二极性的所述第一材料；
第一电极，所述第一电极耦合到所述第一半导体区；
第二电极，所述第二电极耦合到所述第二半导体区；
耗尽区，所述耗尽区形成于所述第一半导体区与所述第二半导体区之间；
其中所述耗尽区包括混晶区，所述混晶区包括所述第一材料和第二材料的混晶合金，并且其中所述混晶区的带隙能量比所述第一材料的带隙能量低。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一半导体区的所述极性为p型，且所述第二半导体区的所述极性为n型。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一电极被配置成阳极且所述第二电极被配置成阴极。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述混晶区包括本征掺杂的半导体。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，另外包括邻近所述第一半导体区和所述第二半导体区形成的隔离区。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一材料和所述半导体衬底包括硅，且所述第二材料包括锗，其中所述混晶区包括硅锗。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述混晶区的锗摩尔分数超过百分之十。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述混晶区的所述锗摩尔分数超过百分之二十。
9.一种二极管装置，其特征在于，包括：
硅衬底；
第一半导体区，所述第一半导体区形成于所述硅衬底内，包括具有第一极性的硅；
第二半导体区，所述第二半导体区形成于所述硅衬底内且耦合到所述第一半导体区，包括具有第二极性的硅；
第一电极，所述第一电极耦合到所述第一半导体区；
第二电极，所述第二电极耦合到所述第二半导体区；
隔离区，所述隔离区邻近所述第一半导体区和所述第二半导体区；
耗尽区，所述耗尽区形成于所述第一半导体区与所述第二半导体区之间；以及
形成于所述耗尽区内的混晶区，其中所述混晶区包括硅锗的混晶合金，且其中所述混晶区的带隙能量比所述第一半导体区的带隙能量低。
10.一种射频开关装置，其特征在于，包括：
硅衬底；
第一半导体区，所述第一半导体区形成于所述硅衬底内，包括p型硅；
第二半导体区，所述第二半导体区形成于所述第一半导体区下方，包括n型硅；
第一电极，所述第一电极形成于所述第一半导体区上方且耦合到所述第一半导体区，被配置成阳极；
第二电极，所述第二电极邻近所述第一电极形成且耦合到所述第二半导体区，被配置成阴极；
隔离区，所述隔离区邻近所述第一半导体区和所述第二半导体区；
耗尽区，所述耗尽区形成于所述第一半导体区与所述第二半导体区之间；以及
形成于所述耗尽区内的混晶区，所述混晶区包括硅锗的混晶合金，其中所述混晶区的带隙能量比硅的带隙能量低。