一种电子深度保护剂涂覆方法及其应用与流程

1.本发明属于电子、电气技术领域，具体为一种电子深度保护剂涂覆方法及其应用。


背景技术：

2.现有生活中，当交变电流通过导体时，导体内部实际上没有任何电流，电流集中在临近导体外表的一薄层，这一现象称为趋肤效应，传输交流电流时，尤其是高频电流时，由于趋肤效应的影响，将会导致导线的等效电阻增加，损耗增大，故如何降低导体的趋肤效应已成为各科研单位研究的热点，而目前，现有的降低趋肤效应的常见方法，主要分为以下几类：1、用多股细导线并联代替相同截面积的单根导线来减低趋肤效应的影响；2、用空心导线代替相同截面积的实心导线来减低趋肤效应的影响；3、在导体表面镀银，以提高其表面导电性来减低趋肤效应的影响。
3.但是上述方法分别存在着不同的问题，比如方法1技术复杂，造价昂贵，会影响导线的机械性能；方法2技术工艺难度较大，应用范围较为局限；方法3造价昂贵，银容易氧化变色使其导电性变差。


技术实现要素：
：
4.本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种电子深度保护剂涂覆方法及其应用，解决了背景技术中提到的问题。
5.为了解决上述问题，本发明提供了一种技术方案：
6.一种电子深度保护剂涂覆方法，包括以下步骤：
7.s1、首先采用清洗剂配合使用相关设备对导体进行清洁处理；
8.s2、将清洁后的导体进行干燥处理；
9.s3、将电子深度保护剂进行均匀加热处理；
10.s4、再将导体置于电子深度保护剂中浸涂、干燥，即可。
11.作为优选，所述步骤s1中的清洗剂选自crc2125高闪点精密电器清洗剂。
12.作为优选，所述步骤s3中的电子深度保护剂牌号选自rh
‑
35电子深度保护剂、rh
‑
55电子深度保护剂、yj
‑
9201电接触表面润滑保护剂或yx
‑
9202电接触表面润滑保护剂其中的一种。
13.作为优选，所述步骤s3中的电子深度保护剂加热温度为35
‑
45℃。
14.作为优选，所述步骤s4中导体在电子深度保护剂中的浸涂时间为0.2
‑
2min。
15.作为优选，所述步骤s4中导体在电子深度保护剂中浸涂的厚度为0.2
‑
0.5μm。
16.作为优选，所述步骤s4中导体在电子深度保护剂中浸涂之后干燥的时间10
‑
20min。
17.作为优选，所述步骤s4中导体在电子深度保护剂中浸涂之后干燥的温度30
‑
50℃。
18.作为优选，所述的电子深度保护剂涂覆方法在降低导体趋肤效应中的应用。
19.本发明的有益效果是：本发明通过将电子深度保护剂涂覆在导体的表面，通过电
子深度保护剂分子基团的电子云与导体表面原子形成化学键，从而当有外在电场作用时电子云便产生离域作用，可显著提高导体元件表面导电性，进而有效降低趋肤效应，有利于实际的使用。
附图说明：
20.为了易于说明，本发明由下述的具体实施及附图作以详细描述。
21.图1是本发明电子深度保护剂涂覆在导体表面流程示意图。
具体实施方式：
22.如图1所示，本具体实施方式采用以下技术方案：
23.实施例：
24.一种电子深度保护剂涂覆方法，包括以下步骤：
25.s1、首先采用清洗剂配合使用相关设备对导体进行清洁处理；
26.s2、将清洁后的导体进行干燥处理；
27.s3、将电子深度保护剂进行均匀加热处理；
28.s4、再将导体置于电子深度保护剂中浸涂、干燥，即可。
29.其中，所述步骤s1中的清洗剂选自crc2125高闪点精密电器清洗剂，便于更好的选择合适的清洗剂。
30.其中，所述步骤s3中的电子深度保护剂牌号选自rh
‑
35电子深度保护剂、rh
‑
55电子深度保护剂、yj
‑
9201电接触表面润滑保护剂或yx
‑
9202电接触表面润滑保护剂其中的一种，便于更好的选择合适牌号的电子深度保护剂。
31.其中，所述步骤s3中的电子深度保护剂加热温度为35
‑
45℃，便于更好的控制加热温度。
32.其中，所述步骤s4中导体在电子深度保护剂中的浸涂时间为0.2
‑
2min，便于更好的控制浸涂时间。
33.其中，所述步骤s4中导体在电子深度保护剂中浸涂的厚度为0.2
‑
0.5μm，便于更好的保证浸涂厚度。
34.其中，所述步骤s4中导体在电子深度保护剂中浸涂之后干燥的时间10
‑
20min，便于更好的对干燥的时间进行控制。
35.其中，步骤s4中导体在电子深度保护剂中浸涂之后干燥的温度30
‑
50℃，便于更好的对干燥的温度进行控制。
36.其中，所述的电子深度保护剂涂覆方法在降低导体趋肤效应中的应用，通过电子深度保护剂分子基团的电子云与导体表面原子形成化学键，从而当有外在电场作用时电子云便产生离域作用，可显著提高导体元件表面导电性，进而有效降低趋肤效应，有利于实际的使用。
37.以下通过具体实施例来说明本发明的有益效果：
38.实施例一、
39.本实施例提供的一种电子深度保护剂在降低导体趋肤效应中的应用，将电子深度保护剂涂覆于镀银器件上的方法，包括以下步骤:
40.s1、采用清洗剂配合使用相关设备对镀银器件进行清洁处理；
41.s2、将清洁后的镀银器件进行干燥处理；
42.s3、将电子深度保护剂进行均匀加热处理；
43.s4、将步骤s2处理后的镀银器件置于电子深度保护剂中浸涂，并放入烘箱干燥，烘干完成后晾至常温即可。
44.其中清洗剂选自crc2125高闪点精密电器清洗剂，电子深度保护剂牌号为rh
‑
35，电子深度保护剂涂覆于镀银器件表面的厚度为0.2μm，电子深度保护剂的加热温度为35℃，浸涂时间为0.2min，干燥时间为10min，干燥温度为30℃。
45.实施例二、
46.本实施例提供的一种电子深度保护剂在降低导体趋肤效应中的应用，除了电子深度保护剂的厚度为0.3μm外，其余步骤均与实施例一相同。
47.实施例三、
48.本实施例提供的一种电子深度保护剂在降低导体趋肤效应中的应用，除了电子深度保护剂的厚度为0.4μm外，其余步骤均与实施例一相同。
49.实施例四、
50.本实施例提供的一种电子深度保护剂在降低导体趋肤效应中的应用，除了电子深度保护剂的厚度为0.5μm外，其余步骤均与实施例一相同。
51.实施例五、
52.本实施例提供的一种电子深度保护剂在降低导体趋肤效应中的应用，除了电子深度保护剂的厚度为4.0μm外，其余步骤均与实施例一相同。
53.实施例六、
54.本实施例提供的一种电子深度保护剂在降低导体趋肤效应中的应用，除了电子深度保护剂的牌号为rh
‑
55，其余步骤均与实施例一相同。
55.实施例七、
56.本实施例提供的一种电子深度保护剂在降低导体趋肤效应中的应用，除了浸涂时间为1min外，其余步骤均与实施例一相同。
57.实施例八、
58.本实施例提供的一种电子深度保护剂在降低导体趋肤效应中的应用，除了浸涂时间为0.3min外，其余步骤均与实施例一相同。
59.实施例九、
60.本实施例提供的一种电子深度保护剂在降低导体趋肤效应中的应用，除了浸涂时间为2min外，其余步骤均与实施例一相同。
61.实施例十、
62.本实施例提供的一种电子深度保护剂在降低导体趋肤效应中的应用，除了干燥时间为11min外，其余步骤均与实施例一相同。
63.实施例十一、
64.本实施例提供的一种电子深度保护剂在降低导体趋肤效应中的应用，除了干燥时间为15min外，其余步骤均与实施例一相同。
65.实施例十二、
66.本实施例提供的一种电子深度保护剂在降低导体趋肤效应中的应用，除了干燥时间为20min外，其余步骤均与实施例一相同。
67.实施例十三、
68.本实施例提供的一种电子深度保护剂在降低导体趋肤效应中的应用，除了加热温度为40℃外，其余步骤均与实施例一相同。
69.实施例十四、
70.本实施例提供的一种电子深度保护剂在降低导体趋肤效应中的应用，除了加热温度为38℃外，其余步骤均与实施例一相同。
71.实施例十五、
72.本实施例提供的一种电子深度保护剂在降低导体趋肤效应中的应用，除了加热温度为45℃外，其余步骤均与实施例一相同。
73.实施例十六、
74.本实施例提供的一种电子深度保护剂在降低导体趋肤效应中的应用，将电子深度保护剂涂覆于紫铜器件上的方法，包括以下步骤:
75.s1、采用清洗剂配合使用相关设备对紫铜器件进行清洁处理；
76.s2、将清洁后的紫铜器件进行干燥处理；
77.s3、将电子深度保护剂进行均匀加热处理；
78.s4、将步骤s2处理后的紫铜器件置于电子深度保护剂中浸涂，并放入烘箱干燥，烘干完成后晾至常温即可。
79.其中清洗剂选自crc2125高闪点精密电器清洗剂，电子深度保护剂牌号为rh
‑
35，电子深度保护剂涂覆于紫铜器件表面的厚度为0.5μm，电子深度保护剂的加热温度为45℃，浸涂时间为2min，干燥时间为20min，干燥温度为50℃。
80.为进一步验证上述实施例的效果，特设以下实验例：
81.测定实施例一至十六处理后的导体在不同频段下处理前与处理后的电导率，具体结果如下表所示，其中，平均增幅(％)＝(处理后电导率
‑
处理前电导率)/处理前电导率
×
100％。
82.各实施例和对比例在不同频段下处理前与处理后电导率情况
83.[0084][0085]
从表中可以看出，采用本发明实施例一至十六提供的方法可有效提升导体的电导率，降低导体表面的趋肤效应。且频段越高，对于降低导体表面趋肤效应的效用越明显。
[0086]
实施例二至五均为实施例一的对照实验，五者不同之处在于电子深度保护剂涂敷于导体表面的厚度不同。由表中数据可以看出，当电子深度保护剂涂敷于导体表面的厚度为0.2
‑
0.5μm时，能够有效提升导体的电导率，进而降低导体表面的趋肤效应。
[0087]
实施例六为实施例一的对照实验，两者不同之处在于电子深度保护剂的种类不同。可见，不同种类的电子深度保护剂，对于降低导体趋肤效应均有一定的功效。
[0088]
实施例七至九均为实施例一的对照实验，四者不同之处在于浸涂时间不同。由表中数据可以看出，浸涂时间太短，不利于电子深度保护剂与导体表面的充分接触，浸涂时间太长，则易造成保护剂堆积。故浸涂时间应控制在适当的范围内。
[0089]
实施例十至十二均为实施例一的对照实验，四者不同之处在于干燥时间不同。由表中数据可以看出，干燥时间时间过短，不利于保护剂与导体表面充分结合。干燥时间过长，则影响工时和效率。
[0090]
实施例十三至十五均为实施例一的对照实验，四者不同之处在于加热温度不同。由表中数据可以看出，不利于保护剂充分溶解和流动。加热温度过高，则会使保护剂挥发过快。
[0091]
综上所述，本发明中，电子深度保护剂使用方便，涂敷工艺简单，既可用于设计和生产低趋肤效应的高频导线或导体，也可用于现有铜导线、铜导体的涂敷，以降低其趋肤效应。
[0092]
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点，本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内，本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。