用于发射辐射的半导体器件的生长结构和发射辐射的半导体器件的制作方法

用于发射辐射的半导体器件的生长结构和发射辐射的半导体器件
1.提出一种用于发射辐射的半导体器件的生长结构，该生长结构尤其包含基于砷化物化合物半导体的材料。
2.由gaas构成的生长衬底是已知的，该生长衬底存在相对较高的位错密度的问题。虽然硅晶片通常具有低于100cm
‑2的非常低的位错密度，但在gaas晶片中的位错密度却为105cm
‑2。在此，gaas衬底中出现的位错能够进一步迁移到生长的半导体结构的位于该gaas衬底之上的层中。因此，在具有这种半导体结构或这种发光二极管结构的发射辐射的半导体器件中，能够在操作中出现自发故障和加剧的老化。迄今为止使用的缓冲层或elog(“外延横向过度生长”)掩蔽层不能防止该问题，或者仅能够通过相当大的花费来防止该问题。
3.当前，要实现的目的在于：在制造费用可接受的情况下提出具有改进的晶体质量的生长结构或发射辐射的半导体器件。该目的尤其通过具有独立主题权利要求的特征的生长结构或发射辐射的半导体器件来实现。
4.生长结构或发射辐射的半导体器件的有利的改进方案是从属权利要求的主题。
5.提出一种用于发射辐射的半导体器件的生长结构。该生长结构尤其适用于激光二极管。根据至少一个实施方式，生长结构包括半导体衬底，该半导体衬底包含基于砷化物化合物半导体的材料。此外，生长结构具有缓冲结构，该缓冲结构设置在半导体衬底上并且包含基于砷化物化合物半导体的材料。
[0006]“基于砷化物化合物半导体”在本文中表示：如此描述的结构或该结构的一部分优选地包括al
n
ga
m
in1‑
n
‑
m
as，其中0≤n≤1、0≤m≤1和n+m≤1。此时，该材料不必强制性具有根据上式的数学上精确的组成。更确切地说，该材料能够具有基本上不改变材料的物理特性的一种或更多种掺杂材料以及附加的组成部分。
[0007]
根据至少一个实施方式，将由gaas构成的半导体衬底用于生长结构。基于砷化物化合物半导体的半导体衬底或基于砷化物化合物半导体的生长结构特别适用于制造基于砷化物化合物半导体或磷化物化合物半导体的发射辐射的半导体器件。
[0008]
缓冲结构包括缓冲层，该缓冲层具有含有氧的至少一个n掺杂层。至少一个n掺杂层因此是含氧的。此时，n掺杂层中氧的物质量占比为10
15
cm
‑3至10
19
cm
‑3。特别地，n掺杂层中的氧的物质量占比大于10
15
cm
‑3并且至多为10
19
cm
‑3。在此，氧
‑
例如如掺杂材料一样
‑
能够嵌入到n掺杂层的晶体结构中，有利地，n掺杂层中的氧有助于补偿半导体衬底的位错密度。
[0009]
在一个优选的设计方案中，n掺杂的含氧层中的氧的物质量占比为10
17
cm
‑3至10
18
cm
‑3。换言之，物质量占比能够为至少100ppm且至多20000ppm。在此，高达10％的偏差也是完全可容忍的。如果物质量占比在所给出的范围内，大部分的位错线可能折弯，使得它们无法到达生长衬底的设置用于生长发光二极管结构的表面。
[0010]
优选地，缓冲层或缓冲结构整体上是n掺杂的，这在发射辐射的半导体器件操作时确保了缓冲层或缓冲结构的导电性。特别地，利用相同的掺杂材料对包含在缓冲结构中的多个层进行n掺杂。
[0011]
根据至少一个实施方式，缓冲结构或包含在缓冲结构中的层在半导体衬底上生
长。这能够通过外延沉积来进行，例如借助于mocvd(“金属有机化学气相沉积”)、mbe(“分子束外延”)或lpe(“液相外延”)来进行。与在半导体衬底上产生elog掩蔽层的生长结构的制造相比，此时省略了掩蔽层的极其昂贵的结构化。
[0012]
将上述位错密度理解为：结晶固体中每单位体积的所有位错线的总长度。在传统的半导体器件中，位错线从生长衬底延伸到发光二极管结构中并在那里导致晶格缺陷。当前，该问题尤其是借助于缓冲层来解决。
[0013]
根据至少一个实施方式，半导体衬底具有位错线，该位错线延伸到缓冲结构中并且借助于缓冲层折弯。发明人已经发现：尤其是缓冲层中使用的氧会引起半导体衬底的位错线的折弯，使得这些位错线的绝大部分不能延伸到发光二极管结构中，从而发光二极管结构在很大程度上是无位错的，或位错密度所达到的数量级是微不足道的。
[0014]
根据至少一个实施方式，至少一个n掺杂的含氧层包含algaaso。由于algaas或algaaso具有与gaas几乎相同的晶格常数，所以能够有利地至少部分地通过常见的铝来代替不常见的镓。此时，铝的物质量占比优选为1％和100％，其中包括边界值，特别优选为1％至60％，其中包括边界值。换言之，至少一个n掺杂层(5)包含al
m
ga1‑
m
as:o，其中，0.01≤m≤1，特别优选0.01≤m≤0.6。在此，高达10％的偏差是完全可容忍的。例如，将氧和复合的铝化合物一起引入到gaas材料中，其中，构成algaaso。特别地，至少一个n掺杂的含氧层由algaaso构成。
[0015]
此外，至少一个n掺杂的含氧层优选不含铟。
[0016]
在一个有利的实施例中，缓冲层由n掺杂的含氧层组成。在该情况下，缓冲层是所谓的“主体层(bulk layer)”。换言之，缓冲层绝大部分是均质的(即仅由单一材料构成)，并且相对较厚地或稳定地构成。例如，n掺杂的含氧层或缓冲层能够具有50nm至800nm的厚度，其中包括边界值。优选地考虑algaaso(即掺有氧的algaas)作为用于n掺杂的含氧层或缓冲层的材料。此外，n掺杂层能够n掺杂有例如te和/或si的掺杂材料。此外，缓冲层尤其是在很大程度上连续地构成。
[0017]
在另外一个实施例中，缓冲层能够具有至少一个n掺杂的无氧层(即没有氧的层)和至少一个n掺杂的含氧层，所述n掺杂的无氧层和n掺杂的含氧层彼此上下设置。特别地，缓冲层具有分别n掺杂的多个无氧层和分别n掺杂的多个含氧层，所述n掺杂的多个无氧层和n掺杂的多个含氧层交替设置。此时，至少一个含氧层能够由algaaso形成。优选地考虑gaas用于至少一个无氧层。特别优选地，缓冲层由超晶格构成，即由周期性重复的薄层的序列构成。例如，超晶格能够具有5到20次重复。此时，能够将至少一个无氧层构造成比至少一个含氧层更厚。至少一个无氧层优选以0.5nm至10nm(对应于单层，优选以2nm)的厚度构成，其中包括边界值。此外，至少一个含氧层的厚度能够为0.5nm至5nm(优选为1nm)。高达10％的偏差是完全可容忍的。例如，碲、硅或硫能够用作至少一个无氧层的n掺杂材料。能够在含氧层中和在无氧层中使用相同的n掺杂材料来对这些层进行掺杂。
[0018]
根据至少一个实施方式，缓冲结构由缓冲层构成，也就是说，缓冲结构除了缓冲层之外没有其他层。
[0019]
替换地，缓冲结构能够具有至少一个另外的缓冲层。该另外的缓冲层例如设置在上述的第一缓冲层的朝向半导体衬底的一侧上。另外的第二缓冲层能够包含gaas并且是n掺杂的。例如，碲、硅或硫能够作为n掺杂材料用于另外的缓冲层。特别地，第二缓冲层不含
氧。如果缓冲结构具有另外的缓冲层，则第一缓冲层能够更薄地构成。在该情况下，大约10nm的厚度已经能够是足够的。
[0020]
附加地或替代地，缓冲结构能够在第一缓冲层的背离半导体衬底的一侧上具有另外的缓冲层。该缓冲层还能够包含gaas，掺杂有n掺杂材料(例如碲、硅或硫)并且不含氧。
[0021]
根据至少一个实施方式，缓冲结构包括由具有上述特性的超晶格构成的第一缓冲层以及(分别)构成为具有上述特性的“主体层”的第二和/或第三缓冲层。
[0022]
借助于一个或多个另外的缓冲层能够进一步改进生长结构的晶体质量。此外，由此能够使生长结构的晶格常数进一步接近于半导体衬底的晶格常数。
[0023]
还能够想到的是：缓冲结构包括第一缓冲层，该第一缓冲层构成为具有上述特性的“主体层”，同时具有第二和/或第三缓冲层，该第二和/或第三缓冲层(分别)由具有上述特性的超晶格组成。
[0024]
例如，在半导体衬底或生长结构从发光二极管结构分离时，至少一个另外的缓冲层能够用作蚀刻停止层。
[0025]
提出一种发射辐射的半导体器件，其具有如上所述的生长结构。特别地，生长结构因此包括半导体衬底，该半导体衬底包含基于砷化物化合物半导体的材料。此外，生长结构包括设置在半导体衬底上的缓冲结构，该缓冲结构包含基于砷化物化合物半导体的材料并且该缓冲结构具有缓冲层，该缓冲层具有含氧的至少一个n掺杂层。
[0026]
此外，发射辐射的半导体器件具有基于砷化物化合物半导体或磷化物化合物半导体的发光二极管结构，该发光二极管结构具有第一导电类型的第一区域、第二导电类型的第二区域和设置在第一区域与第二区域之间的用于产生辐射的有源区域，其中，发光二极管结构生长到生长结构上。优选地，第一区域是n导电区域并且第二区域是p导电区域。特别优选地，第一区域设置在有源区域的朝向生长结构的一侧上，而第二区域位于有源区域的背离生长结构的一侧上。
[0027]“基于砷化物化合物半导体或磷化物化合物半导体”在本文中表示：如此描述的结构或该结构的一部分优选包括al
n
ga
m
in1‑
n
‑
m
as或al
n
ga
m
in1‑
n
‑
m
p，其中0≤n≤1，0≤m≤1和n+m≤1。在此，该材料不必强制性地具有根据上式的数学上精确的组成。更确切地说，该材料能够具有基本上不改变材料的物理特性的一种或更多种掺杂材料以及附加的组成部分。然而为了简单起见，上式仅包含晶格的主要组成部分(al，ga，in，p)，即使这些主要组成部分能够部分地通过少量其他材料代替。
[0028]
例如，发光二极管结构能够借助于mocvd(“金属有机化学气相沉积”)、mbe(“分子束外延”)或lpe(“液相外延”)外延生长到生长结构上。基于砷化物化合物半导体或磷化物化合物半导体的发光二极管结构或其有源区域尤其适合于产生具有红色(in
x
ga
y
al1‑
x
‑
y
p)到红外(in
x
ga
y
al1‑
x
‑
y
as)光谱范围内的波长的辐射。特别地，发射辐射的半导体器件在操作中发射波长为750nm至1200nm的辐射。
[0029]
发光二极管结构的有源区域优选具有用于产生辐射的pn结、双异质结构、单量子阱结构(sqw)或多量子阱结构(mqw)。在本技术的范围内，术语量子阱结构尤其包括其中载流子能够通过限制(confinements)经历多个能态的量子化的任何结构。特别地，术语量子阱结构不包含任何关于量子化维度的信息。因此，术语量子阱结构还包括量子阱、量子线和量子点以及这些结构的任意组合等。
[0030]
n导电区域、有源区域和p导电区域能够分别具有一个或更多个层。
[0031]
根据至少一个实施方式，发射辐射的半导体器件是激光二极管，即相干发射器。特别地，激光二极管是高功率激光二极管，该高功率激光二极管在电流为20a至300a的情况下产生20w到300w的辐射功率，其中包括边界值。为了达到这种辐射功率，半导体器件的发光二极管结构可以构成为激光棒并且具有并排的多个条形区域，所述区域电并联操作。半导体器件尤其具有并排的至少十个条形区域。
[0032]
根据一个优选的实施例，发射辐射的半导体器件是边缘发射器。这表示：由有源区域产生的辐射在半导体器件的至少一个侧面处射出。侧面在横向方向上(即在横向于、尤其是垂直于发光二极管结构的生长方向延伸的方向上)对半导体器件限界。生长方向表示发光二极管结构的层依次施加到生长结构上的方向。
[0033]
替换地，发射辐射的器件能够是表面发射器。在这种情况下，在有源区域中产生的辐射在半导体器件的主面处射出。半导体器件在发光二极管结构的背离生长结构的一侧上通过主面与外部限界。尽管，用表面发射器能够实现的辐射功率通常低于在边缘发射器情况下的辐射功率。然而，表面发射器通常具有更好的射束质量。
[0034]
整体上，因此，发射辐射的半导体器件的用途决定了其是否构成为边缘发射器还是表面发射器。边缘发射器例如用作泵浦激光器，而表面发射器例如用作用于光纤数据传输的光学发射器并且还用于激光打印机的光学发射器。
[0035]
从下文的说明结合图1至4中得出生长结构以及发射辐射的半导体器件的其他优点、优选的实施方式和改进方案。
[0036]
附图示出：
[0037]
图1示出了基于氮化物化合物半导体的传统的半导体结构的tem图像的示意性示图(来源：博士论文“硅上的基于iii族氮化物的led结构的有机金属气相外延”，第136页，图5.36，1982年7月7日，sebastian drechsel)，
[0038]
图2示出了根据对比例的发射辐射的半导体器件的示意性横截面图，
[0039]
图3示出了根据第一实施例的发射辐射的半导体器件的示意性横截面图，
[0040]
图4示出了根据第二实施例的发射辐射的半导体器件的示意性横截面图。
[0041]
相同的、类似的或起相同作用的元件在附图中提供相同的附图标记。
[0042]
图1至4分别是示意性示图从而不一定是符合比例的。更确切地说，为了清楚起见，能够夸大地示出相对较小的元件和尤其是层厚度。
[0043]
图1示出了基于氮化物化合物半导体的传统的半导体结构15。
[0044]“基于氮化物化合物半导体”在本文中表示：有源外延层序列或其至少一层包括氮化物iii/v族化合物半导体材料。
[0045]
半导体结构15具有生长结构1和生长在其上的半导体层序列17。生长结构1包括半导体衬底2和施加在半导体衬底2上的elog(“外延横向过度生长”)掩蔽层16。elog掩蔽层16设置用于降低半导体结构15中的位错密度。掩蔽层16由sin形成，而半导体衬底2由蓝宝石构成。
[0046]
elog掩蔽层16具有大量留空部(未标记)，半导体层序列17通过外延生长穿过该留空部构成在半导体衬底2上。由于在此位错仅能够穿过留空部扩散，因此与半导体衬底2相比，生长结构1在朝向半导体层序列17的一侧上具有降低的位错密度。
[0047]
从图1中看出：仍然出现了晶格缺陷的裂口18。此外，例如通过光刻结构化在elog掩蔽层16中制造留空部是相对昂贵的。
[0048]
图2示出了发射辐射的半导体器件10的对比例。发射辐射的半导体器件10包括生长结构1和设置在其上的发光二极管结构11，该发光二极管结构设置用于产生辐射，优选用于产生红外线范围内的辐射。
[0049]
生长结构1具有由具有相对较高的位错密度的gaas构成的半导体衬底2。为了降低位错密度，生长结构1包含缓冲层4，该缓冲层设置在半导体衬底2上且发光二极管结构11生长在该缓冲层上。
[0050]
缓冲层4是由gaas构成的不含氧的n掺杂层。例如，在此使用碲作为n掺杂材料。
[0051]
发光二极管结构11沉积在生长结构1上。发光二极管结构11包含基于砷化物化合物半导体的材料。邻接到生长结构1处的发光二极管结构11具有第一n导电区域12，在生长方向a上随该第一n导电区域之后设置用于产生辐射的有源区域13。在生长方向a上，第二p导电区域14在该有源区域13之后。
[0052]
尽管包含在生长结构1中的缓冲层4能够绝大部分地以没有位错地构成。然而，缓冲层4不能充分地防止：在发光二极管结构11的生长期间或之后在器件操作过程中位错线7从半导体衬底2迁移到发光二极管结构11中。从图2中看出：位错线7从半导体衬底2穿过第一区域12和有源区域13延伸到第二区域14中，从而降低发射辐射的半导体器件10的晶体质量。
[0053]
因此，整体上，通过结合图1描述的掩蔽层16和通过结合图2描述的缓冲层4都不能在可接受的制造费用下实现足够品质的晶体质量。
[0054]
在下文结合图3和4描述的实施例中，情况有所不同。
[0055]
图3中所示的发射辐射的半导体器件10具有生长结构1和设置在其上的用于产生辐射的发光二极管结构11。
[0056]
生长结构1为复合的部件，该部件具有半导体衬底2和设置在半导体衬底2上的缓冲结构3。半导体衬底2尤其形成适合于生长缓冲结构3和生长发光二极管结构11的生长衬底。此外，半导体衬底2有利地形成自支撑的、稳定的基体并且能够在完成的发射辐射的半导体器件10中用作载体本体。替换地，半导体衬底2能够被移除或至少打薄并且例如通过另一个载体代替。
[0057]
半导体衬底2和缓冲结构3均由基于砷化物半导体的材料形成。半导体衬底2优选由gaas构成。
[0058]
发光二极管结构11也能够包含基于砷化物化合物半导体的材料。替换地，发光二极管结构11能够包含基于磷化物化合物半导体的材料。
[0059]
用于制造缓冲结构3和发光二极管结构11的合适方法是例如mocvd(“金属有机化学气相沉积”)、mbe(“分子束外延”)或lpe(“液相外延”)。
[0060]
在图3中所示的实施例中，缓冲结构3由具有超晶格的缓冲层4组成。在此，缓冲层4包括多个n掺杂的无氧层6和多个n掺杂的含氧层5，所述n掺杂的无氧层和含氧层以交替的顺序彼此上下设置。尤其考虑algaaso作为用于含氧层5的材料体系。在此，铝的物质量占比优选为1％至100％，其中包括边界值，尤其为1％至60％，其中包括边界值。换言之，n掺杂的含氧层5分别包含al
m
ga1‑
m
as:o，其中0.01≤m≤1，特别优选地0.01≤m≤0.6。氧的物质量占
比优选大于10
15
cm
‑3且至多为10
19
cm
‑3。n掺杂层5中的氧的物质量占比尤其优选为10
17
cm
‑3至10
18
cm
‑3。换言之，物质量占比可为至少100ppm且至多20000ppm。gaas特别适用于无氧层6。在所提出的物质量占比中高达10％的偏差是完全可容忍的。在含氧层6和无氧层5中能够分别使用相同的n掺杂材料来对这些层进行掺杂。
[0061]
无氧层6优选地以0.5nm至10nm(优选地以2nm)的厚度d1构成，其中包括边界值。此外，含氧层5的厚度d2尤其为0.5nm至5nm(优选为1nm)。在此，高达10％的偏差是完全可容忍的。
[0062]
发光二极管结构11具有第一导电类型的第一区域12、第二导电类型的第二区域14和设置在第一区域与第二区域14之间的用于产生辐射的有源区域13。优选地，第一区域12是n导电区域并且第二区域是p导电区域14。此外，第一区域12设置在有源区域13的朝向生长结构1的一侧上，而第二区域14位于有源区域13的背离生长结构1的一侧上。
[0063]
从图3可以看出，位错线7从半导体衬底2开始，该位错线延伸到缓冲结构3或缓冲层4中。借助于缓冲结构3或缓冲层4位错线7绝大部分被折弯，使得该位错线不会进一步迁移到发光二极管结构11中。发明人已经发现：尤其是在n掺杂层5中的所使用的氧引起位错线的折弯，使得该位错线的绝大部分无法延伸到发光二极管结构11中。
[0064]
该效果也能够在缓冲结构3中实现，该缓冲结构不像所示的实施例中那样仅由一个缓冲层4构成，而是具有至少一个另外的缓冲层(未示出)。另外的缓冲层能够设置在缓冲层4的朝向半导体衬底2的一侧上或在缓冲层4的背离半导体衬底2的一侧上。也能够提供两个另外的缓冲层，然后在其之间设置缓冲层4。至少一个另外的缓冲层能够包含gaas，不含氧并且同时是n掺杂的。例如，碲能够用作n掺杂材料。此外，能够想到的是：至少一个另外的缓冲层构成为具有下文结合图4描述的特性的“主体层”。
[0065]
发射辐射的半导体器件10构成为激光二极管，该激光二极管尤其发射红外线范围内的波长为750nm至1200nm的辐射。此外，所示出的发射辐射的半导体器件10是边缘发射器，该边缘发射器在半导体器件10的平行于图像平面设置的侧面处发射由有源区域13产生的辐射。侧面10a和平行于图像平面设置的(未示出的)侧面在横向方向上(即在横向于、尤其是垂直于发光二极管的生长方向a延伸的方向上)对半导体器件10限界。生长方向a表示发光二极管结构11的区域12、13、14依次施加到生长结构1上的方向。
[0066]
特别地，发射辐射的构件10是高功率激光二极管，该高功率激光二极管在电流为20a至300a的情况下下产生20w至300w的辐射功率，其中包括边界值。为了达到这种辐射功率，半导体器件10的发光二极管结构11能够构成为激光棒，从而包括并排的多个条形区域，该条形区域分别具有如图3所示的结构。
[0067]
图4中所示的发射辐射的半导体器件10的实施例具有与图3所示的半导体器件10类似的结构。就这方面来说，参考上文所作的说明。在缓冲结构3中存在差异，这将在下面更详细地讨论。
[0068]
发射辐射的半导体器件10包括生长结构1和设置在其上的用于产生辐射的发光二极管结构11。两个结构1、11都能够包含基于砷化物化合物半导体的材料。替换地，发光二极管结构11能够由基于磷化物化合物半导体的材料形成。
[0069]
生长结构1包括半导体衬底2(优选为gaas衬底)和尤其生长在半导体衬底2上的缓冲结构3。
[0070]
缓冲结构3具有第一缓冲层4，该第一缓冲层由n掺杂的含氧层5构成。缓冲层4具有作为材料体系的掺有氧的algaas。缓冲层4因此由algaaso形成。缓冲层4是所谓的“主体层”。换言之，缓冲层4绝大部分是均质的(即仅由单一材料体系构成)，并且相对较厚地或稳定地构成。
[0071]
在图4所示的实施例中，缓冲结构3具有两个另外的缓冲层8、9，第一缓冲层4设置在该另外的缓冲层之间。在这种情况下，第一缓冲层4能够以大约10nm的厚度d相对较薄地构成。
[0072]
第二和第三缓冲层8、9能够分别包含gaas并且是n掺杂的，其中，例如使用碲作为n掺杂材料。特别地，缓冲层8、9不含氧。替代地，第二缓冲层8和第三缓冲层9能够分别由如结合图3所示的缓冲层4所描述的超晶格构成。
[0073]
此外，能够想到的是：缓冲结构3仅具有一个另外的缓冲层，该另外的缓冲层设置在第一缓冲层4的朝向或背离半导体衬底2的一侧上。
[0074]
还可行的是：缓冲结构3仅由缓冲层4组成。在这种情况下，缓冲层4以优选50nm至150nm的厚度d相对厚地构成，其中包括边界值，其中，高达10％的偏差是可容忍的。
[0075]
发射辐射的构件10优选地是边缘发射的激光二极管，该激光二极管具有已经结合图3描述的特性。然而，发射辐射的半导体器件10也能够是表面发射的激光二极管，其中辐射在半导体器件10的主面10b处耦合输出。
[0076]
整体上，借助于本文描述的缓冲结构3能够改进发光二极管结构11的晶体质量，使得能够在半导体器件10中出现更少的故障并且延长工作寿命。
[0077]
在这里描述的发明不局限于根据实施例进行的描述。更确切地说，本发明包括每个新特征以及特征的任意的组合，这尤其是包含在权利要求中的特征的任意的组合，即使所述特征或所述组合自身没有明确地在权利要求中或实施例中说明时也如此。
[0078]
本专利申请要求德国专利申请102019106521.6的优先权，其公开内容通过引用结合于此。
[0079]
附图标记列表
[0080]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
生长结构
[0081]2ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
半导体衬底
[0082]3ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
缓冲结构
[0083]4ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
缓冲层
[0084]5ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
含氧层
[0085]6ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
无氧层
[0086]7ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
位错线
[0087]
8、9
ꢀꢀꢀ
另外的缓冲层
[0088]
10
ꢀꢀꢀꢀꢀ
发射辐射的半导体器件
[0089]
10a
ꢀꢀꢀꢀ
侧面
[0090]
10b
ꢀꢀꢀꢀ
主面
[0091]
11
ꢀꢀꢀꢀꢀ
发光二极管结构
[0092]
12
ꢀꢀꢀꢀꢀ
第一区域
[0093]
13
ꢀꢀꢀꢀ
有源区域
[0094]
14
ꢀꢀꢀꢀ
第二区域
[0095]
15
ꢀꢀꢀꢀ
半导体结构
[0096]
16
ꢀꢀꢀꢀ
掩蔽层
[0097]
17
ꢀꢀꢀꢀ
半导体层序列
[0098]
18
ꢀꢀꢀꢀ
裂口
[0099]
a
ꢀꢀꢀꢀꢀ
生长方向
[0100]
d、dl、d2
ꢀꢀ
厚度