技术特征：
1.一种用于发射辐射的半导体器件(10)的生长结构(1)，所述生长结构包括：
‑
半导体衬底(2)，所述半导体衬底
‑
包含基于砷化物化合物半导体的材料，
‑
缓冲结构(3)，所述缓冲结构
‑
设置在所述半导体衬底(2)上，
‑
包含基于砷化物化合物半导体的材料，以及
‑
具有缓冲层(4)，所述缓冲层具有至少一个n掺杂层(5)，其中，所述n掺杂层(5)包含氧并且所述n掺杂层(5)中的氧的物质量占比为10
15
cm
‑3至10
19
cm
‑3。2.根据前一项权利要求所述的生长结构(1)，其中，所述半导体衬底(2)具有位错线(7)，所述位错线延伸到所述缓冲结构(3)中并且借助于所述缓冲层(4)折弯。3.根据前述权利要求之一所述的生长结构(1)其中，所述至少一个n掺杂层(5)包含algaaso。4.根据前一项权利要求所述的生长结构(1)，其中，所述至少一个n掺杂层(5)包含al
m
ga1‑
m
as:o，并且0.01≤m≤1。5.根据前述两项权利要求之一所述的生长结构(1)，其中，所述至少一个n掺杂层(5)由algaaso构成。6.根据前述权利要求之一所述的生长结构(1)，其中，所述n掺杂层(5)中的氧的物质量占比为至少100ppm且至多20000ppm。7.根据前述权利要求之一所述的生长结构(1)其中，所述缓冲层(4)由n掺杂的含氧层(5)构成。8.根据权利要求1至6之一所述的生长结构(1)，其中，所述缓冲层(4)具有至少一个n掺杂的无氧层(6)和至少一个n掺杂的含氧层(5)，所述至少一个n掺杂的无氧层和至少一个n掺杂的含氧层彼此上下设置。9.根据前一项权利要求所述的生长结构(1)，其中，所述缓冲层(4)具有多个n掺杂的无氧层(6)和多个n掺杂的含氧层(5)，所述多个n掺杂的无氧层和多个n掺杂的含氧层交替设置。10.根据权利要求8或9所述的生长结构(1)，其中，所述至少一个无氧层(6)具有0.5nm至10nm的厚度。11.根据权利要求8至10之一所述的生长结构(1)，其中，所述至少一个含氧层(5)具有0.5nm至5nm的厚度。12.根据权利要求8至11之一所述的生长结构(1)，其中，所述无氧层(6)包含gaas。13.根据前述权利要求之一所述的生长结构(1)，其中，所述半导体衬底(2)由gaas构成。14.根据前述权利要求之一所述的生长结构(1)，其中，所述缓冲结构(3)具有至少一个另外的缓冲层(2、3)，所述至少一个另外的缓冲层是n掺杂的且不含氧。
15.一种发射辐射的半导体器件(10)，其包括：
‑
根据前述权利要求之一所述的生长结构(1)，以及
‑
基于砷化物化合物半导体或磷化物化合物半导体的发光二极管结构(11)，所述发光二极管结构具有第一导电类型的第一区域(12)、第二导电类型的第二区域(14)和设置在所述第一区域与第二区域(12、14)之间的用于产生辐射的有源区域(13)，其中，所述发光二极管结构(11)生长到所述生长结构(1)上。
技术总结
提出一种用于发射辐射的半导体器件(10)的生长结构(1)，其包括：
技术研发人员：安德里亚斯
受保护的技术使用者：欧司朗光电半导体有限公司
技术研发日：2020.02.21
技术公布日：2021/10/8