电路元件的制作方法

1.本实用新型涉及在绝缘体层的层叠体内具备线圈导体的电路元件或在层叠体内具备电容器电极的电路元件。


背景技术：

2.为了高频电路的高密度化，通过lc复合构件来构成滤波器是有效的。例如，在专利文献1公开了一种电路元件，其通过在将绝缘体层层叠而成的层叠体形成电感器以及电容器而构成，并被用作滤波器。
3.在先技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2013-21449号公报


技术实现要素：

6.实用新型要解决的课题
7.例如，在由上述lc复合构件构成lc低通滤波器的情况下，截止频率越低，上述电感器的电感或上述电容器的电容变得越大。因此产生以下问题：绝缘基材的必要的层数增加，不能低高度化，不能将高频电路高密度化。
8.此外，即使在设置具有相对微小的电容的电容器的情况下，也需要为此增加绝缘基材的层数或者确保形成电容器电极的区域，产生不能将高频电路高密度化这样的问题。
9.因此，本实用新型的目的在于，提供一种适合于高频电路的高密度化的小型的电路元件。
10.用于解决课题的技术方案
11.作为本公开的一个例子的电路元件具备绝缘基材的层叠体、设置在该层叠体的内部的第1线圈导体、设置在所述层叠体的外表面的第1外部电极以及第2外部电极，
12.所述第1线圈导体在所述绝缘基材的层叠方向上具有卷绕轴，
13.所述第1线圈导体与所述第1外部电极或所述第2外部电极连接，
14.所述第2外部电极沿着所述层叠体的侧面形成，
15.通过所述第2外部电极和所述第1线圈导体的靠近，在所述第2外部电极与所述第1线圈导体之间构成附加电容，
16.所述第2外部电极具有所述绝缘基材的层方向上的宽度相互不同的第1部分以及第2部分，所述第2部分的所述宽度比所述第1部分的所述宽度宽。
17.此外，作为本公开的一个例子的电路元件具备绝缘基材的层叠体、设置在该层叠体的内部的相互对置的第3电容器电极以及第4电容器电极、设置在所述层叠体的外表面的第1外部电极、第2外部电极以及接地电极，
18.所述第3电容器电极或所述第4电容器电极与所述第1外部电极、所述第2外部电极或所述接地电极连接，
19.所述第2外部电极沿着所述层叠体的侧面形成，
20.通过所述第2外部电极和所述第3电容器电极的靠近，在所述第2 外部电极与所述第3电容器电极之间构成附加电容。
21.此外，作为本公开的一个例子的电路元件具备绝缘基材的层叠体、设置在该层叠体的外表面的第1外部电极、第2外部电极以及接地电极、设置在所述层叠体的内部的相互对置的第7电容器电极以及第8电容器电极、设置在所述层叠体的内部的第3线圈导体以及第4线圈导体，
22.包含所述第3线圈导体的第3线圈和包含所述第4线圈导体的第4 线圈串联连接在所述第1外部电极与所述第2外部电极之间，
23.所述第8电容器电极与所述接地电极连接，所述第7电容器电极与所述第1外部电极连接，
24.所述接地电极沿着所述层叠体的侧面形成，
25.通过所述接地电极和所述第7电容器电极的靠近，在所述第7电容器电极与所述接地电极之间构成附加电容，
26.所述第2外部电极具有所述绝缘基材的层方向上的宽度相互不同的第1部分以及第2部分，所述第2部分的所述宽度比所述第1部分的所述宽度宽。
27.实用新型效果
28.根据本实用新型，能够在不增加绝缘基材的层数的情况下，此外，在无需在绝缘基材确保电容器电极形成用区域的情况下，形成附加电容而调整为所希望的电容容量，因此可得到适合于高频电路的高密度化的小型的电路元件。
附图说明
29.图1是第1实施方式涉及的电路元件101a的立体图。
30.图2是与y-z面平行且通过电路元件101a的中央的面处的剖视图。
31.图3是示出形成在电路元件101a的各绝缘基材的导体图案的分解俯视图。
32.图4是电路元件101a的电路图。
33.图5是示出电路元件101a的移相量的频率特性的图。
34.图6是示出通信终端装置内的作为移相器的电路元件101a的使用方式的电路图。
35.图7是与图1所示的例子不同的、第1实施方式涉及的电路元件101b 的立体图。
36.图8是示出形成在电路元件101b的各绝缘基材的导体图案的分解俯视图。
37.图9是第2实施方式涉及的电路元件102a的立体图。
38.图10是与x-z面平行且通过电路元件102a的中央的面处的剖视图。
39.图11是示出形成在电路元件102a的各绝缘基材的导体图案的分解俯视图。
40.图12是电路元件102a的电路图。
41.图13是示出电路元件102a的通过振幅的频率特性的图。
42.图14是与图9所示的例子不同的、第2实施方式涉及的电路元件 102b的立体图。
43.图15是示出形成在电路元件102b的各绝缘基材的导体图案的分解俯视图。
44.图16是第3实施方式涉及的电路元件103a的立体图。
45.图17是与y-z面平行且通过电路元件103a的给定位置的面处的剖视图。
46.图18是示出形成在电路元件103a的各绝缘基材的导体图案的分解俯视图。
47.图19是电路元件103a的电路图。
48.图20是示出电路元件103a的通过振幅的频率特性的图。
49.图21是与图16所示的例子不同的、第3实施方式涉及的电路元件 103b的立体图。
50.图22是示出形成在电路元件103b的各绝缘基材的导体图案的分解俯视图。
51.图23是示出各导体图案以及层叠体的制造方法的例子的、电路元件的概略剖视图。
52.图24是第5实施方式涉及的电路元件的电路图。
53.图25(a)、图25(b)、图25(c)、图25(d)是与图24所示的例子不同的、第5实施方式涉及的其它电路元件的电路图。
54.图26(a)、图26(b)是第5实施方式涉及的其它电路元件的电路图。
55.图27是第5实施方式涉及的电路元件的另一个电路图。
具体实施方式
56.以下，参照图并列举几个具体的例子来示出用于实施本实用新型的多个方式。在各图中，对同一部位标注同一附图标记。考虑到要点的说明或理解的容易性，为了便于说明，将实施方式分为多个实施方式示出，但是能够进行在不同的实施方式中示出的结构的部分置换或组合。在第2实施方式以后，省略关于与第1实施方式共同的事项的记述，仅对不同点进行说明。特别是，关于基于同样的结构的同样的作用效果，将不在每个实施方式中逐次提及。
57.《第1实施方式》
58.图1是第1实施方式涉及的电路元件101a的立体图。该电路元件101a具备层叠了多个绝缘基材的长方体形状的层叠体1。在层叠体1的外表面形成有第1外部电极ee1、第2外部电极ee2、以及接地电极eg1。另外，在该例子中，具备空置端子电极nc。该空置端子电极nc不与以后示出的第1线圈导体l11、l12、l13、l14等层叠体1内的各电路要素直接连接，是主要作为表面安装用的电极而设置的端子电极。在图1中，将与层叠体1的各边平行的轴作为x、y、z轴而表示了坐标轴。
59.第2外部电极ee2具有绝缘基材的层方向上的宽度(沿着x-y面的方向上的宽度)(在图1所示的例子中，是相对于x轴平行的方向上的宽度)相互不同的第1部分fp1、fp2以及第2部分sp。该第2部分sp的宽度比第1部分fp1、fp2的宽度宽。第2部分sp与以后示出的第1线圈导体的一部分的侧部对置。
60.图2是与y-z面平行且通过电路元件101a的中央的面处的剖视图。
61.其中，与y轴方向相比提高z轴方向(层叠方向)上的放大率而进行了图示。在层叠体的内部形成有第1线圈导体l11、l12、l13、l14以及第 2线圈导体l21、l22、l23、l24。此外，在层叠体1的内部形成有第1 电容器电极c11、c12以及第2电容器电极c21、c22。
62.图3是示出形成在电路元件101a的各绝缘基材的导体图案的分解俯视图。绝缘基材s1是最上层的绝缘基材，绝缘基材s17是最下层的绝缘基材。绝缘基材s2～s16是处于其间的绝缘基材。在绝缘基材s1的上表面以及绝缘基材s17的下表面形成有第1外部电极ee1、第2外部电极 ee2、接地电极eg1以及空置端子电极nc各自的一部分。像在图1表示的那样，
在层叠体1的四个侧面也形成有第1外部电极ee1、第2外部电极ee2、接地电极eg1以及空置端子电极nc各自的一部分。
63.在绝缘基材s3、s4、s5、s6分别形成有第1线圈导体l11、l12、 l13、l14。此外，在绝缘基材s7、s8、s9、s10分别形成有第2线圈导体l21、l22、l23、l24。在图3中，虚线示出利用过孔导体的连接位置。另外，虽然未形成电路用的导体图案的绝缘基材s11、s16分别存在多个层，但是在图3中分别仅表示了一片。
64.第1线圈导体l11的第1端与第1外部电极ee1连接。在绝缘基材 s3形成有将第1线圈导体l11的第2端和第1线圈导体l12的第1端连接的过孔导体。在绝缘基材s4形成有将第1线圈导体l12的第2端和第 1线圈导体l13的第1端连接的过孔导体。此外，在绝缘基材s5形成有将第1线圈导体l13的第2端和第1线圈导体l14的第1端连接的过孔导体。第1线圈导体l14的第2端与接地电极eg1连接。由上述第1线圈导体l11、l12、l13、l14以及过孔导体构成第1线圈l1。
65.第2线圈导体l21的第1端与接地电极eg1连接。在绝缘基材s7 形成有将第2线圈导体l21的第2端和第2线圈导体l22的第1端连接的过孔导体。在绝缘基材s8形成有将第2线圈导体l22的第2端和第2 线圈导体l23的第1端连接的过孔导体。此外，在绝缘基材s9形成有将第2线圈导体l23的第2端和第2线圈导体l24的第1端连接的过孔导体。第2线圈导体l24的第2端与第2外部电极ee2连接。由上述第2 线圈导体l21、l22、l23、l24以及过孔导体构成第2线圈l2。
66.在绝缘基材s12、s14分别形成有第2电容器电极c21、c22。此外，在绝缘基材s13、s15分别形成有第1电容器电极c11、c12。由上述第1 电容器电极c11、c12和第2电容器电极c21、c22构成电容器。
67.在绝缘基材s3形成有与图1所示的第2部分sp导通的扩幅电极 ee2p。扩幅电极ee2p在相对于x轴平行的方向上的宽度与第2部分sp 的宽度相同。像这样，扩幅电极ee2p以及第2部分sp和第1线圈导体 (特别是，第1线圈导体l11、l12等)以较宽的宽度对置，因此在其间形成给定的电容的附加电容。在图2中，用虚线表示该附加电容ca。
68.这样形成的附加电容使图4所示的在端口p1与端口p2之间形成的电容器c的电容仅增大给定的附加电容ca。由此，能够在端口p1与端口p2之间设置所希望的电容的电容器。
69.另外，在跨越多个层形成的第1线圈导体l11～l14之中，第2部分 sp优选设置在层叠体中的绝缘基材的层叠方向上的高度的1/2以内的范围。通过像这样限制宽度宽的第2部分sp的区域，从而可抑制在对置的线圈导体之间产生的无用的电容，能够防止在意想之外的部位形成电容器。例如，在图2中，不会在第1线圈导体l11～l14中的靠接地电极的线圈导体l13、l14与第2外部电极ee2之间产生无用的附加电容ca。
70.图4是电路元件101a的电路图。电路元件101a具备包含上述第1 线圈导体l11、l12、l13、l14的第1线圈l1、包含上述第2线圈导体 l21、l22、l23、l24的第2线圈l2、包含上述第1电容器电极c11、 c12和第2电容器电极c21、c22的电容器c。端口p1相当于上述第1 外部电极ee1，端口p2相当于上述第2外部电极ee2。此外，接地gnd 相当于上述接地电极eg1。
71.第1线圈l1的第1端与第1端口p1连接，第2端与接地gnd连接。第2线圈l2的第1端与第2端口p2连接，第2端与接地gnd连接。电容器c连接在第1端口p1与第2端口p2之间。
72.在与z轴平行的方向上观察，上述第1线圈导体l11、l12、l13、 l14的线圈开口与上
述第2线圈导体l21、l22、l23、l24的线圈开口重叠(卷绕轴对齐)，因此第1线圈l1和第2线圈l2进行磁场耦合。
73.上述附加电容ca产生在第2端口p2与第1线圈l1之间。在本实施方式中，像在图2表示的那样，在第1线圈l1之中处于靠近与第2外部电极ee2的连接位置的位置的第1线圈导体l11、l12与扩幅电极ee2p 之间产生附加电容ca。因此，该附加电容ca与电容器c并联连接，电容器c的电容仅增加附加电容ca的量。
74.图5是示出电路元件101a的移相量的频率特性的图。图4所示的电路作为l-c-l的π型电路的移相器而发挥作用。在图5中，横轴为频率，纵轴为移相量，特性曲线cc1为本实施方式的电路元件101a的特性，特性曲线cc0是没有附加电容ca的作为比较例的电路元件的特性。在比较例中，在2.4ghz处得不到所需的90
°
的移相量，但是根据本实施方式的电路元件101a，在2.4ghz处可得到移相量为90
°
的特性。
75.图6是示出通信终端装置内的作为移相器的电路元件101a的使用方式的电路图。在该例子中，具备两个输入输出端子po1、po2和将两个输入输出端子po1、po2之间相连的信号线路，并在该信号线路与接地之间的分路连接路径具备电路元件101a和lc并联谐振电路的串联电路。lc 并联谐振电路是电感器l10和电容器c10的并联电路。该lc并联谐振电路的谐振频率为2.4ghz。
76.在该例子中，电路元件101a的移相量确定为在2.4ghz时成为90
°
。通过将该电路元件101a和谐振频率为2.4ghz的lc并联谐振电路的串联电路分路连接在信号线路与接地之间，从而从信号线路观察分路连接路径的阻抗在2.4ghz处看上去为短路。也就是说，该分路连接电路作为 2.4ghz的陷波滤波器而发挥作用。
77.这样的陷波滤波器例如能够选择性地抑制由与信号线路连接的放大器产生的2.4ghz的噪声分量。
78.即使在作为这样的陷波滤波器来利用的情况下，通过使用如图1所示的外部电极，也能够在第2端口p2与第1线圈l1之间形成附加电容ca，使电容器c的电容仅增大附加电容ca的量。
79.图7是与图1所示的例子不同的、第1实施方式涉及的电路元件101b 的立体图。该电路元件101b具备层叠了多个绝缘基材的长方体形状的层叠体1。在层叠体1的外表面的侧面的角部形成有第1外部电极ee1、第 2外部电极ee2、以及接地电极eg1、eg2。
80.第2外部电极ee2具有绝缘基材的层方向上的宽度(在图7所示的例子中，是相对于x轴平行的方向上的宽度以及相对于y轴平行的方向上的宽度)相互不同的第1部分fp1、fp2以及第2部分sp。该第2部分sp的宽度比第1部分fp1、fp2的宽度宽。第2部分sp与以后示出的第1线圈导体的一部分的角部对置。
81.图8是示出形成在电路元件101b的各绝缘基材的导体图案的分解俯视图。绝缘基材s1是最上层的绝缘基材，绝缘基材s17是最下层的绝缘基材。绝缘基材s2～s16是处于其间的绝缘基材。在绝缘基材s1的上表面以及绝缘基材s17的下表面形成有第1外部电极ee1、第2外部电极ee2、以及接地电极eg1、eg2。像在图7表示的那样，在层叠体1的侧面也形成有第1外部电极ee1、第2外部电极ee2、以及接地电极eg1、 eg2。
82.在绝缘基材s3形成有与图7所示的第2部分sp导通的扩幅电极 ee2p。扩幅电极ee2p在相对于x轴平行的方向上的宽度以及在相对于 y轴平行的方向上的宽度与第2部分
sp在相对于x轴平行的方向上的宽度以及在相对于y轴平行的方向上的宽度相同。像这样，扩幅电极ee2p 以及第2部分sp和第1线圈导体(特别是，第1线圈导体l11、l12等) 以较宽的宽度对置，因此在其间形成给定的电容的附加电容。
83.在第1实施方式中，扩幅电极ee2p以及第2部分sp形成在与第1 线圈导体l11、l12对置的位置，在与电容器电极c11、c12、c21、c22 对置的位置、与第2线圈导体l21、l22、l23、l24对置的位置则不形成。由此，可抑制无用的寄生电容。
84.虽然在以上所示的例子中，在一个外部电极设置了第1部分fp1、fp2 以及第2部分sp，但是也可以通过对多个外部电极形成绝缘基材的层方向上的宽度相互不同的第1部分以及第2部分，从而形成附加电容。此外，外部电极的外形线并不限于由图1、图7所示的与正交的三个轴的坐标中的x、y、z的轴平行的线构成。例如，也可以在上述外形线具有从上述三个轴倾斜的部分。此外，也可以具有圆角、曲线。关于外部电极的形状，可考虑各种变形。这并不限于第1实施方式，对于以后示出的其它实施方式也是同样的。
85.《第2实施方式》
86.在第2实施方式中，示出用作lc滤波器的电路元件的例子。
87.图9是第2实施方式涉及的电路元件102a的立体图。该电路元件 102a具备层叠了多个绝缘基材的长方体形状的层叠体1。在层叠体1的外表面形成有第1外部电极ee1、第2外部电极ee2、以及接地电极eg1、 eg2。
88.第2外部电极ee2具有绝缘基材的层方向上的宽度(在图9所示的例子中，是相对于y轴平行的方向上的宽度)相互不同的第1部分fp1、 fp2以及第2部分sp。该第2部分sp的宽度比第1部分fp1、fp2的宽度宽。第2部分sp与以后示出的电容器电极的一部分的侧部对置。
89.图10是与x-z面平行且通过电路元件102a的中央的面处的剖视图。在层叠体的内部形成有电容器电极ca31、ca40、ca32、以及电容器电极cb61、cb50、cb62。此外，在层叠体1的内部形成有第3线圈导体 l31、l32、l33、以及第4线圈导体l41、l42、l43。
90.图11是示出形成在电路元件102a的各绝缘基材的导体图案的分解俯视图。绝缘基材s1是最上层的绝缘基材，绝缘基材s13是最下层的绝缘基材。绝缘基材s2～s12是处于其间的绝缘基材。在绝缘基材s1的上表面以及绝缘基材s13的下表面形成有第1外部电极ee1、第2外部电极ee2、以及接地电极eg1、eg2。像在图9表示的那样，在层叠体1 的四个侧面也形成有第1外部电极ee1、第2外部电极ee2、以及接地电极eg1、eg2。
91.在绝缘基材s3、s5分别形成有第3电容器电极ca31、ca32，在绝缘基材s4形成有第4电容器电极ca40。此外，在绝缘基材s9、s11形成有第6电容器电极cb61、cb62，在绝缘基材s10形成有第5电容器电极cb50。第3电容器电极ca31、ca32与第1外部电极ee1连接，第4 电容器电极ca40与第2外部电极ee2连接。
92.在绝缘基材s6、s7、s8分别形成有第3线圈导体l31、l32、l33。此外，在相同的绝缘基材s6、s7、s8分别形成有第4线圈导体l41、l42、 l43。第3线圈导体l31的第1端经由过孔导体以及过孔导体形成位置的导体图案与电容器电极cb50连接。在绝缘基材s6形成有将第3线圈导体l31的第2端和第3线圈导体l32的第1端连接的过孔导体。在绝缘基材s7形成有将第3线圈导体l32的第2端和第3线圈导体l33的第1 端连接的过孔导体。第3线圈导体l33的第2端与第1外部电极ee1连接。由上述第3线圈导体l31、l32、l33以及过孔导体构成第3线圈l3。同样地，由上述第4线圈导体l41、l42、l43以及过孔导体构成第4线圈l4。
93.在绝缘基材s3、s5形成有与图9所示的第2部分sp导通的扩幅电极ee2p。扩幅电极ee2p在相对于y轴平行的方向上的宽度与第2部分 sp的宽度相同。像这样，扩幅电极ee2p以及第2部分sp和第3电容器电极ca31、ca32以较宽的宽度对置，因此在其间形成给定的电容的附加电容。在图10中，用虚线表示该附加电容ca。
94.图12是电路元件102a的电路图。电路元件102a具备包含上述第3 线圈导体l31、l32、l33的第3线圈l3、包含上述第4线圈导体l41、 l42、l43的第4线圈l4。此外，电路元件102a具备包含上述第3电容器电极ca31、ca32和第4电容器电极ca40的电容器ca、包含上述第 5电容器电极cb50和第6电容器电极cb61、cb62的电容器cb。端口 p1相当于上述第1外部电极ee1，端口p2相当于上述第2外部电极ee2。此外，接地gnd相当于上述接地电极eg1、eg2。
95.上述附加电容ca在第2端口p2与第3电容器电极ca31、ca32之间产生。因此，该附加电容ca与电容器ca并联连接，电容器ca的电容增加附加电容ca的量。
96.图13是示出电路元件102a的通过振幅的频率特性的图。图12所示的电路作为低通滤波器而发挥作用。在图13中，横轴是频率，纵轴是通过振幅，特性曲线cc1是本实施方式的电路元件102a的特性，特性曲线cc0是没有附加电容ca的作为比较例的电路元件的特性。在比较例中，在1.78ghz处所需的通过振幅为大约-20db，但是根据本实施方式的电路元件102a，1.78ghz处的通过振幅为-36db以下。
97.像这样，通过将与第3线圈l3和第4线圈l4的串联电路并联连接的电容器ca的电容确定为给定值，从而能够将lc并联谐振频率确定为给定频率，由此，能够使通带向阻带的衰减陡峭。
98.图14是与图9所示的例子不同的、第2实施方式涉及的电路元件 102b的立体图。该电路元件102b具备层叠了多个绝缘基材的长方体形状的层叠体1。在层叠体1的外表面的侧面的角部形成有第1外部电极 ee1、第2外部电极ee2、以及接地电极eg1、eg2。
99.第2外部电极ee2具有绝缘基材的层方向上的宽度(在图14所示的例子中，是相对于x轴平行的方向上的宽度)相互不同的第1部分fp1、 fp2以及第2部分sp。该第2部分sp的宽度比第1部分fp1、fp2的宽度宽。第2部分sp与以后示出的容器电极的一部分对置。
100.图15是示出形成在电路元件102b的各绝缘基材的导体图案的分解俯视图。绝缘基材s1是最上层的绝缘基材，绝缘基材s13是最下层的绝缘基材。绝缘基材s2～s12是处于其间的绝缘基材。在绝缘基材s1的上表面以及绝缘基材s13的下表面形成有第1外部电极ee1、第2外部电极ee2、以及接地电极eg1、eg2。像在图14表示的那样，在层叠体1 的侧面也形成有第1外部电极ee1、第2外部电极ee2、以及接地电极 eg1、eg2。
101.在绝缘基材s3形成有与图14所示的第2部分sp导通的扩幅电极 ee2p。扩幅电极ee2p在相对于x轴平行的方向上的宽度与第2部分sp 的宽度相同。像这样，扩幅电极ee2p以及第2部分sp和第3电容器电极ca31、ca32以较宽的宽度对置，因此在其间形成给定的电容的附加电容。
102.在第2实施方式中，扩幅电极ee2p以及第2部分sp形成在与电容器电极对置的位置，在与第3线圈导体l31、l32、l33以及第4线圈导体l41、l42、l43对置的位置则不形成。由此，可抑制无用的寄生电容。
103.《第3实施方式》
104.在第3实施方式中，示出附加电容被分路连接的lc滤波器的例子。
105.图16是第3实施方式涉及的电路元件103a的立体图。该电路元件 103a具备层叠了多个绝缘基材的长方体形状的层叠体1。在层叠体1的外表面形成有第1外部电极ee1、第2外部电极ee2、以及接地电极eg1、 eg2。
106.第2外部电极ee2具有绝缘基材的层方向上的宽度(在图16所示的例子中，是相对于x轴平行的方向上的宽度)相互不同的第1部分fp1、 fp2以及第2部分sp。该第2部分sp的宽度比第1部分fp1、fp2的宽度宽。第2部分sp与以后示出的电容器电极的一部分的侧部对置。
107.图17是与y-z面平行且通过电路元件103a的以后示出的第7电容器电极cb71的面(以后示出的图18中的单点划线)处的剖视图。在层叠体的内部形成有电容器电极ca61、ca50、ca62、以及电容器电极 cb81、cb90、cb82。
108.图18是示出形成在电路元件103a的各绝缘基材的导体图案的分解俯视图。绝缘基材s1是最上层的绝缘基材，绝缘基材s13是最下层的绝缘基材。绝缘基材s2～s12是处于其间的绝缘基材。在绝缘基材s1的上表面以及绝缘基材s13的下表面形成有第1外部电极ee1、第2外部电极ee2、以及接地电极eg1、eg2。像在图16表示的那样，在层叠体1 的四个侧面也形成有第1外部电极ee1、第2外部电极ee2、以及接地电极eg1、eg2。
109.在绝缘基材s3、s5分别形成有电容器电极ca61、ca62，在绝缘基材s4形成有电容器电极ca50。电容器电极ca61、ca62与第2外部电极ee2连接，电容器电极ca50与第1外部电极ee1连接。
110.此外，在绝缘基材s9、s11形成有电容器电极cb81、cb82，在绝缘基材s10形成有电容器电极cb90、cb71、cb72。电容器电极cb81、 cb82均与接地电极eg1、eg2连接。
111.在绝缘基材s6、s7、s8分别形成有第3线圈导体l31、l32、l33。此外，在相同的绝缘基材s6、s7、s8分别形成有第4线圈导体l41、l42、 l43。第3线圈导体l31的第1端经由过孔导体以及过孔导体形成位置的导体图案与电容器电极cb90连接。在绝缘基材s6形成有将第3线圈导体l31的第2端和第3线圈导体l32的第1端连接的过孔导体。在绝缘基材s7形成有将第3线圈导体l32的第2端和第3线圈导体l33的第1 端连接的过孔导体。第3线圈导体l33的第2端与第1外部电极ee1连接。由上述第3线圈导体l31、l32、l33以及过孔导体构成第3线圈l3。同样地，由上述第4线圈导体l41、l42、l43以及过孔导体构成第4线圈l4。
112.在绝缘基材s10形成有与图16所示的第2部分sp导通的扩幅电极 eg1p。扩幅电极eg1p在相对于x轴平行的方向上的宽度与第2部分sp 的宽度相同。像这样，扩幅电极eg1p以及第2部分sp和电容器电极 cb71、cb72以较宽的宽度对置，因此在其间形成给定的电容的附加电容。
113.图19是电路元件103a的电路图。电路元件103a具备包含上述第3 线圈导体l31、l32、l33的第3线圈l3、包含上述第4线圈导体l41、 l42、l43的第4线圈l4。此外，电路元件103a具备包含上述第8电容器电极cb81、cb82和电容器电极cb90的电容器cb0、包含第8电容器电极cb81、cb82和第7电容器电极cb71、cb72的电容器cb1、cb2、包含上述第5电容器电极ca50和第6电容器电极ca61、ca62的电容器ca。端口p1相当于上述第1外部电极ee1，端口p2相当于上述第2 外部电极ee2。此外，接地gnd相当于上述接地电极eg1、eg2。
114.上述附加电容ca1在第1端口p1与接地之间产生，附加电容ca2在第2端口p2与接地之间产生。因此，该附加电容ca1、ca2分别与电容器cb1、cb2并联连接，电容器cb1、cb2的电
容分别增加附加电容ca1、 ca2的量。
115.图20是示出电路元件103a的通过振幅的频率特性的图。图19所示的电路作为低通滤波器而发挥作用。在图20中，横轴是频率，纵轴是通过振幅，特性曲线cc1是本实施方式的电路元件103a的特性，特性曲线cc0是没有附加电容ca1、ca2的作为比较例的电路元件的特性。与比较例相比，在本实施方式的电路元件103a中，1.78ghz附近的通过振幅下降。
116.图21是与图16所示的例子不同的、第3实施方式涉及的电路元件 103b的立体图。该电路元件103b具备层叠了多个绝缘基材的长方体形状的层叠体1。在层叠体1的外表面的侧面的角部形成有第1外部电极 ee1、第2外部电极ee2、以及接地电极eg1、eg2。
117.接地电极eg1、eg2具有绝缘基材的层方向上的宽度(在图21所示的例子中，是相对于x轴平行的方向上的宽度)相互不同的第1部分fp1、 fp2以及第2部分sp。该第2部分sp的宽度比第1部分fp1、fp2的宽度宽。第2部分sp与以后示出的容器电极的一部分对置。
118.图22是示出形成在电路元件103b的各绝缘基材的导体图案的分解俯视图。绝缘基材s1是最上层的绝缘基材，绝缘基材s13是最下层的绝缘基材。绝缘基材s2～s12是处于其间的绝缘基材。在绝缘基材s1的上表面以及绝缘基材s13的下表面形成有第1外部电极ee1、第2外部电极ee2、以及接地电极eg1、eg2。像在图21表示的那样，在层叠体1 的侧面也形成有第1外部电极ee1、第2外部电极ee2、以及接地电极 eg1、eg2。
119.在绝缘基材s10形成有与图21所示的第2部分sp导通的扩幅电极 eg1p、eg2p。在各绝缘基材s1～s13形成的其它的导体图案与图18所示的例子基本相同。
120.在像这样外部电极以及接地电极形成在层叠体1的外表面的侧面的角部的构造中也能够同样地应用。
121.《第4实施方式》
122.在第4实施方式中，示出各导体图案以及层叠体的制造方法的例子。在此，在绝缘基材通过丝网印刷法重复进行导电膏以及绝缘膏的涂敷，并将这些绝缘基材层叠，从而形成层叠体。图23是通过以下所示的制造方法制造的电路元件的概略剖视图。
123.具体地，电路元件像以下所示的那样制作。
124.(1)首先，通过重复进行利用了丝网印刷的绝缘膏的涂敷，从而形成绝缘层。
125.(2)接着，通过丝网印刷涂敷感光性导电膏，照射紫外线并用碱溶液进行显影，由此形成导电膏层的图案。
126.(3)通过丝网印刷涂敷感光性绝缘膏层而形成感光性绝缘层，照射紫外线并用碱溶液进行显影。由此，形成外部电极用的开口以及通孔。
127.(4)在外部电极用的开口内形成外部电极导体层，在通孔内形成过孔导体，并在面上形成导体图案。
128.通过重复上述(2)～(4)的工序，从而得到母层叠体。
129.通过重复上述工序，从而电路元件的各端子由层叠了多个的端子用导体图案构成，全部的绝缘性基材具备端子用导体图案。
130.导体图案的形成方法并不限于此，例如，也可以是如下工法，即，利用以导体图案形状开口的丝网版来印刷导体膏并进行层叠。此外，外部电极的形成方法也不限于此，例如，也可以通过对层叠的坯体实施的导体膏的浸渍、溅射法来形成端子电极，还可以在其表面实施镀敷加工。
131.《第5实施方式》
132.在第5实施方式中，对与至今为止示出的例子不同的、附加电容的应用例示出几个例子。
133.图24是第5实施方式涉及的电路元件的电路图。该电路元件具备包含第1线圈导体的第1线圈l1、包含第2线圈导体的第2线圈l2。进而，具备在第2外部电极与第1线圈导体之间产生的附加电容ca。
134.附加电容ca在第2端口p2与第1线圈l1之间产生。在本实施方式中，仅由附加电容ca来提供图4所示的电容器c。此外，在该例子中，第1线圈l1和第2线圈l2并不特别进行磁场耦合。
135.图25(a)、图25(b)、图25(c)、图25(d)是与图24所示的例子不同的、第5实施方式涉及的其它电路元件的电路图。
136.图25(a)所示的电路元件具备包含第1线圈导体的第1线圈l1、包含给定的导体图案的阻抗元件z1、z2。端口p1相当于第1外部电极，端口p2相当于第2外部电极。此外，接地gnd相当于接地电极。该电路元件具备在第2外部电极与第1线圈导体之间产生的附加电容ca。阻抗元件z1、z2是电感器、电容器等。
137.图25(b)所示的电路元件是图25(a)中的阻抗元件z1开路的情况。图25(c)所示的电路元件是图25(a)中的阻抗元件z2开路的情况。此外，图25(d)所示的电路元件是图25(a)中的阻抗元件z1、 z2均开路的情况。
138.图26(a)、图26(b)是第5实施方式涉及的电路元件的其它电路图。图26(a)、图26(b)所示的任一电路元件均具备包含第1线圈导体的第1线圈l1、包含给定的导体图案的阻抗元件z1、z2。阻抗元件 z1、z2是电感器、电容器等。
139.端口p1相当于第1外部电极，端口p2相当于第2外部电极。此外，接地gnd相当于接地电极。在图26(a)、图26(b)所示的任一电路元件中，第1线圈l1均串联地连接在端口p1-端口p2间的信号线。而且，具备在第2外部电极与第1线圈导体之间产生的附加电容ca。
140.像这样，也能够应用于在与信号线串联地连接的第1线圈连接附加电容的电路。
141.图27是第5实施方式涉及的电路元件的另一个电路图。该电路元件具备包含第1线圈导体的第1线圈l1、包含第2线圈导体的第2线圈l2、包含第1电容器电极和第2电容器电极的电容器c。端口p1相当于第1 外部电极，端口p2相当于第2外部电极。此外，接地gnd相当于接地电极。附加电容ca1是在第2外部端子与第1线圈导体之间产生的电容，附加电容ca2是在上述第1电容器电极与第2外部端子之间产生的电容。
142.上述附加电容ca2能够通过在图2、图3所示的第2外部电极ee2 的、与电容器电极c11、c12的对置位置形成扩幅部来设置。
143.像这样，也可以设置多个附加电容。
144.最后，上述的实施方式的说明在所有的方面均为例示，而不是限制性的。对本领域技术人员而言，能够适当地进行变形以及变更。本实用新型的范围不是由上述的实施方式示出，而是由权利要求书示出。进而，本实用新型的范围包含从与权利要求书的范围等同的范围内的实施方式进行的变更。
145.例如，虽然在以上所示的各实施方式中，示出了具备电容器用导体图案、第1线圈用导体图案以及第2线圈用导体图案并作为移相器、滤波器而发挥作用的电路元件，但是在
包含lc的阻抗匹配电路等中，在它们构成为单个构件的情况下，对于线圈和电容器形成在单个层叠体内的lc复合构件，也同样能够应用。
146.此外，虽然在以上所示的各实施方式中，示出了在层叠体的外表面形成了接地电极的电路元件，但是本实用新型对于在层叠体的外表面未形成接地电极的电路元件也同样能够应用。
147.《方式》
148.最后，列举由以上所示的本实用新型的各实施方式公开的代表性的方式。
149.(1)具备绝缘基材的层叠体1、设置在该层叠体1的内部的第1线圈导体l11～l14、设置在层叠体1的外表面的第1外部电极ee1以及第2 外部电极ee2，第1线圈导体l11～l14在绝缘基材的层叠方向上具有卷绕轴，第1线圈导体l11～l14与第1外部电极ee1或第2外部电极ee2 连接，第2外部电极ee2沿着层叠体1的侧面形成，通过第2外部电极 ee2和第1线圈导体l11～l14的靠近，在第2外部电极ee2与第1线圈导体l11～l14之间构成附加电容ca(第1实施方式等)。
150.通过上述结构，能够在不增加绝缘基材的层数的情况下，此外，在无需在绝缘基材确保电容器电极形成用区域的情况下形成附加电容，由此能够微调整为所希望的电容容量，因此可得到适合于高频电路的高密度化的小型的电路元件。
151.(2)具备设置在层叠体1的外表面的接地电极eg1、以及设置在层叠体1的内部的第2线圈导体l21～l24，包含第1线圈导体l11～l14的第1线圈l1的第1端与第1外部电极ee1连接，第1线圈l1的第2端与接地电极eg1连接，包含第2线圈导体l21～l24的第2线圈l2的第1 端与第2外部电极ee2连接，第2线圈l2的第2端与接地电极eg1连接(第1实施方式等)。通过该结构，能够应用于如图4等所示地具备相互进行磁场耦合的两个线圈的电路。
152.(3)具备设置在层叠体1的内部并相互对置的第1电容器电极c11、 c12以及第2电容器电极c21、c22，第1电容器电极c11、c12与第1 外部电极ee1连接，第2电容器电极c21、c22与第2外部电极ee2连接(第1实施方式等)。通过该结构，能够如图4等所示地通过附加电容使连接在第1外部电极ee1与第2外部电极ee2之间的电容器的电容增加。
153.(4)第2外部电极ee2具有绝缘基材的层方向上的宽度相互不同的第1部分fp1、fp2以及第2部分sp，第2部分sp的宽度比第1部分 fp1、fp2的宽度宽，第1线圈导体l11～l14的至少一部分和第2部分 sp位于层叠体1中的绝缘基材的层叠方向上的相同的高度(第1实施方式等)。通过该结构，能够在第2外部电极ee2与第1线圈导体的给定的部位之间容易地构成附加电容。
154.(5)第1线圈导体l11～l14跨越多个层而形成，第2部分sp设置在层叠体1中的绝缘基材的层叠方向上的高度的1/2以内的范围(第1实施方式等)。通过该结构，能够抑制在第2外部电极ee2与第1线圈导体之间产生的无用的电容。
155.(6)具备绝缘基材的层叠体1、设置在该层叠体1的内部的相互对置的第3电容器电极ca31、ca32以及第4电容器电极ca40、设置在层叠体1的外表面的第1外部电极ee1以及第2外部电极ee2，第3电容器电极ca31、ca32或第4电容器电极ca40与第1外部电极ee1、第2 外部电极ee2或接地电极eg1、eg2连接，第2外部电极ee2沿着层叠体1的侧面形成，通过第2外部电极ee2和第3电容器电极ca31、ca32 的靠近，在第2外部电极ee2与第3电容器电极ca31、ca32之间构成附加电容ca，第2外部电极ee2具有绝缘基材s1～s17的层方向上的宽度相互
不同的第1部分fp1、fp2以及第2部分sp，第2部分sp的宽度比第1部分fp1、fp2的宽度宽(第2实施方式等)。
156.通过上述结构，能够在不增加绝缘基材的层数的情况下，此外，在无需在绝缘基材确保电容器电极形成用区域的情况下构成附加电容，因此可得到适合于高频电路的高密度化的小型的电路元件。
157.(7)第3电容器电极ca31、ca32的至少一部分和第2部分sp位于层叠体1中的绝缘基材的层叠方向上的相同的高度(第2实施方式等)。通过该结构，能够在第2外部电极ee2与第3电容器电极ca31、ca32 的给定的部位之间容易地构成附加电容。
158.(8)具备：第3线圈导体l31～l33以及第4线圈导体l41～l43，设置在层叠体1的内部，并串联连接在第1外部电极ee1与第2外部电极 ee2之间，具备：第5电容器电极cb50，设置在层叠体1的内部，并与包含第3线圈导体l31～l33的第3线圈l3和包含第4线圈导体l41～l43 的第4线圈l4的连接部导通；以及第6电容器电极cb61、cb62，与该第5电容器电极cb50对置并与接地电极导通(第2实施方式等)。通过该结构，如图12所示，可得到作为lc低通滤波器而发挥作用的电路元件。
159.(9)具备绝缘基材的层叠体1、设置在该层叠体1的外表面的第1 外部电极ee1、第2外部电极ee2以及接地电极eg1、eg2、设置在层叠体1的内部的相互对置的第7电容器电极cb71以及第8电容器电极 cb81、cb82、设置在层叠体的1内部的第3线圈导体l31～l33以及第4 线圈导体l41～l43，包含第3线圈导体l31～l33的第3线圈l3和包含第 4线圈导体l41～l43的第4线圈l4串联连接在第1外部电极ee1与第2 外部电极ee2之间，第8电容器电极cb81、cb82与接地电极eg1、eg2 连接，第7电容器电极cb71与第1外部电极ee1连接，接地电极eg1 沿着层叠体1的侧面形成，通过接地电极eg1和第7电容器电极cb71 的靠近，在第7电容器电极cb71与接地电极eg1之间构成附加电容ca1。另外，在第3实施方式中，在第7电容器电极cb72与接地电极eg1之间也构成附加电容ca2，第2外部电极ee2具有绝缘基材s1～s17的层方向上的宽度相互不同的第1部分fp1、fp2以及第2部分sp，第2部分 sp的宽度比第1部分fp1、fp2的宽度宽(第3实施方式等)。通过该结构，能够在lc滤波器电路的前级或后级设置分路连接的电容器。
160.(10)接地电极eg1、eg2具有绝缘基材的层方向上的宽度相互不同的第1部分fp1、fp2以及第2部分sp，第2部分sp的宽度比第1部分fp1、fp2的所述宽度宽，第7电容器电极cb71(cb72)的至少一部分和第2部分sp位于层叠体1中的绝缘基材的层叠方向的相同的高度(第 3实施方式等)。通过该结构，能够在接地电极eg1与第7电容器电极cb71 (cb72)之间容易地构成附加电容。
161.(11)第1部分fp1形成在从层叠体的向作为安装目的地的电路基板的安装面起的高度低的位置，第2部分sp形成在从层叠体向作为安装目的地的电路基板的安装面起的高度高的位置(第1实施方式、第2实施方式等)。通过该结构，在将该电路元件通过回流焊法等安装到电路基板时，可抑制焊料向第2部分的不必要的附着(焊料倒角的润湿扩展)。
162.(12)第2部分sp比第1部分fp1的两侧部向绝缘基材的层方向突出。通过该结构，与从第1部分fp1的一方的侧部向层方向突出的形状相比，突出部的突端和相邻电极的间隔不会变得过窄，可抑制无用的寄生电容、焊桥。
163.(13)层叠体1为长方体形状，第2外部电极ee2与形成在层叠体1 的外表面之中夹
着层叠体1的位置的电极相对于层叠体1的中心是非对称形。通过该结构，第2外部电极ee2能够兼用作方向识别标识，无需形成专用的方向识别标识，能够低成本化。
164.附图标记说明
165.c、c10：电容器；
166.c11、c12：第1电容器电极；
167.c21、c22：第2电容器电极；
168.ca：电容器；
169.ca、ca1、ca2：附加电容；
170.ca31、ca32：第3电容器电极；
171.ca40：第4电容器电极；
172.ca50：第5电容器电极；
173.ca61、ca62：第6电容器电极；
174.cb、cb0、cb1、cb2：电容器；
175.cb50：第5电容器电极；
176.cb61、cb62：第6电容器电极；
177.cb71、cb72：第7电容器电极；
178.cb81、cb82：第8电容器电极；
179.cb90：电容器电极；
180.ee1：第1外部电极；
181.ee2：第2外部电极；
182.ee2p：扩幅电极；
183.eg1、eg2：接地电极；
184.eg1p、eg2p：扩幅电极；
185.fp1、fp2：第1部分；
186.l1：第1线圈；
187.l10：电感器；
188.l11、l12、l13、l14：第1线圈导体；
189.l2：第2线圈；
190.l21、l22、l23、l24：第2线圈导体；
191.l3：第3线圈；
192.l31、l32、l33：第3线圈导体；
193.l4：第4线圈；
194.l41、l42、l43：第4线圈导体；
195.nc：空置端子电极；
196.p1：第1端口；
197.p2：第2端口；
198.po1、po2：：输入输出端子；
199.s1～s17：绝缘基材；
200.sp：第2部分；
201.z1、z2：阻抗元件；
202.1：层叠体；
203.101a、101b、102a、102b、103a、103b：电路元件。