1.一种半导体器件，包括：
衬底；
在所述衬底上的栅极结构，所述栅极结构包括在第一方向上延伸的栅电极和在所述栅电极上的栅极覆盖图案，所述栅电极包括突起；以及
在所述栅极结构中并连接到所述栅电极的栅极接触，所述栅极接触被定位使得所述突起沿着所述栅极接触和所述栅极覆盖图案之间的边界延伸。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极的所述突起覆盖所述栅极接触的侧壁的至少一部分。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中
所述栅极接触的所述侧壁包括覆盖有所述栅电极的所述突起的第一部分和覆盖有所述栅极覆盖图案的第二部分。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
所述栅极覆盖图案包括面对所述衬底的下表面和与所述下表面相反的上表面，以及
所述栅极接触的上表面不从所述栅极覆盖图案的所述上表面向上突出。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：
在所述栅极接触上的布线结构，其中
所述布线结构包括通路和连接到所述通路的布线图案，以及
所述通路直接连接到所述栅极接触。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
所述栅电极的所述突起包括面对所述栅极接触的第一侧壁和与所述第一侧壁相反的第二侧壁，以及
所述栅电极的所述突起的所述第一侧壁包括弯曲表面。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述栅电极的所述突起的所述第一侧壁的高度与所述栅电极的所述突起的所述第二侧壁的高度相同。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述栅电极的所述突起的所述第一侧壁的高度大于所述栅电极的所述突起的所述第二侧壁的高度。
9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述栅电极的所述突起的所述第一侧壁的高度小于所述栅电极的所述突起的所述第二侧壁的高度。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
所述栅极结构包括栅极接触孔，
所述栅极接触包括接触阻挡膜和接触填充膜，
所述接触阻挡膜沿着所述栅极接触孔的轮廓延伸，以及
所述接触填充膜填充所述接触阻挡膜上的所述栅极接触孔。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述接触阻挡膜包括钽(ta)、钽氮化物(tan)、钛(ti)、钛氮化物(tin)、钌(ru)、钴(co)、镍(ni)、镍硼(nib)、钨(w)、钨氮化物(wn)、钨碳氮化物(wcn)、锆(zr)、锆氮化物(zrn)、钒(v)、钒氮化物(vn)、铌(nb)、铌氮化物(nbn)、铂(pt)、铱(ir)、铑(rh)和二维(2d)材料中的至少一种。
12.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：
在所述衬底上的多沟道有源图案，其中
所述多沟道有源图案在第二方向上延伸，并且
所述栅极结构与所述多沟道有源图案交叉。
13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
所述栅极结构包括在所述衬底和所述栅电极之间的栅极绝缘膜，以及
所述栅极绝缘膜包括硼氮化物。
14.一种半导体器件，包括：
包括有源区域和场区域的衬底，所述衬底在所述有源区域中包括多沟道有源图案，所述多沟道有源图案在第一方向上延伸；
与所述多沟道有源图案交叉的栅极结构，所述栅极结构包括在第二方向上延伸的栅电极，所述栅电极包括包含内壁和外壁的突起，所述外壁沿着所述内壁的外围被限定；
在所述栅极结构的至少一侧上并连接到所述多沟道有源图案的源极/漏极图案；
在所述衬底的所述有源区域上并连接到所述栅电极的栅极接触，所述栅极接触的至少一部分在由所述栅电极的所述突起的所述内壁所限定的袋中；以及
在所述衬底的所述有源区域上并连接到所述源极/漏极图案的源极/漏极接触。
15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中
所述栅极结构包括在所述栅电极的侧壁上的在所述第二方向上延伸的栅极间隔物，
所述栅极结构包括沿所述栅电极的上表面延伸的栅极覆盖图案，以及
所述栅电极的所述突起的所述外壁与所述栅极间隔物和所述栅极覆盖图案邻接。
16.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述栅电极的所述突起延伸直到所述栅极接触的上表面。
17.根据权利要求14所述的半导体器件，进一步包括：
在所述栅极结构上的布线结构，
其中，所述布线结构包括通路和连接到所述通路的布线图案，以及
所述通路直接连接到所述栅极接触。
18.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述栅电极的所述突起在所述衬底的厚度方向上延伸。
19.根据权利要求18所述的半导体器件，其中，所述栅电极的所述突起的所述内壁直接接合所述栅电极的所述突起的所述外壁。
20.一种半导体器件，包括：
衬底；
在所述衬底上彼此间隔开的多个纳米片，所述多个纳米片中的每个在第一方向上延伸；
包括栅电极的栅极结构，所述栅电极包裹在所述衬底上的所述多个纳米片中的每个周围，所述栅电极在第二方向上延伸，所述栅电极包括在所述衬底的厚度方向上突出的突起，所述栅电极的所述突起包括第一侧壁和与所述第一侧壁相反并直接接合所述第一侧壁的第二侧壁，所述栅电极的所述突起的所述第一侧壁包括弯曲表面；
连接到所述多个纳米片的源极/漏极图案，所述源极/漏极图案在所述栅极结构的至少一侧上；以及
在所述栅极结构中并连接到所述栅电极的栅极接触，所述栅极接触与所述栅电极的所述突起的所述第一侧壁接触，所述栅电极的所述突起覆盖所述栅极接触的侧壁的至少一部分。