技术总结
本发明提供了一种功率器件结构及制作方法，应用于沟槽栅IGBT，包括：第一导电类型的基层；第二导电类型的基极区，基极区位于基层的上方；第一导电类型和第二导电类型相反；第一导电类型的源区，源区位于基极区的上方；沟槽贯穿源区和基极区，并向下延伸入基层；沟槽分沟槽上部和沟槽下部，沟槽下部位于所述基层中；沟槽下部设有介质层和与发射极相连的下多晶硅层，沟槽上部设有栅极氧化层和与栅极相连的上多晶硅层，两个多晶硅层通过氧化层隔离。本发明通过更宽的沟槽底部、使用高K介质层材料、与发射极相连的多晶硅，实现耐压能力更高、可靠性更强、饱和压降更低的沟槽栅IGBT。饱和压降更低的沟槽栅IGBT。饱和压降更低的沟槽栅IGBT。
技术研发人员：程炜涛 姚阳
受保护的技术使用者：上海埃积半导体有限公司
技术研发日：2021.03.26
技术公布日：2021/7/8