技术特征：
1.一种主动元件基板，包括：基板；第一半导体层，位于该基板上，且包括依序连接的第一重掺杂区、第一轻掺杂区、沟道区、第二轻掺杂区以及第二重掺杂区；栅极绝缘层，位于该第一半导体层上；第一栅极，位于该栅极绝缘层上，且在该基板的法线方向上重叠于该第一半导体层的该沟道区；第一源极，电连接至该第一半导体层的该第一重掺杂区；第一漏极，电连接至该第一半导体层的该第二重掺杂区，其中第一主动元件包括该第一半导体层、该第一栅极、该第一源极以及该第一漏极；以及遮蔽电极，在该基板的该法线方向上重叠于该第一半导体层的该第二轻掺杂区，其中该遮蔽电极为浮置电极。2.如权利要求1所述的主动元件基板，其中该遮蔽电极在该基板的该法线方向上完全覆盖该第二轻掺杂区。3.如权利要求1所述的主动元件基板，还包括：第一介电层，形成于该第一栅极以及该栅极绝缘层上，其中该遮蔽电极形成于该第一介电层上；以及第二介电层，形成于该第一介电层以及该遮蔽电极上，且该第一源极以及该第一漏极形成于该第二介电层上。4.如权利要求3所述的主动元件基板，其中该遮蔽电极与该第一半导体层的该第二轻掺杂区之间的垂直距离为100纳米至450纳米。5.如权利要求1所述的主动元件基板，还包括：第一介电层，形成于该第一栅极以及该栅极绝缘层上；以及第二介电层，形成于该第一介电层上，其中该遮蔽电极形成于该第二介电层上。6.如权利要求5所述的主动元件基板，其中该第一源极、该第一漏极以及该遮蔽电极属于相同导电层，且该遮蔽电极分离于该第一源极以及该第一漏极。7.如权利要求5所述的主动元件基板，其中该遮蔽电极与该第一半导体层的该第二轻掺杂区之间的垂直距离为100纳米至1000纳米。8.如权利要求1所述的主动元件基板，其中至少部分该第一栅极位于该遮蔽电极与该第一半导体层之间。9.如权利要求1所述的主动元件基板，其中该遮蔽电极在该基板的该法线方向上重叠于该第一半导体层的该第一轻掺杂区以及该第一半导体层的该第二轻掺杂区。10.如权利要求1所述的主动元件基板，其中该遮蔽电极的材料不同于该第一源极以及该第一漏极的材料。11.一种主动元件基板，包括：基板；半导体图案，位于该基板上，且包括第一半导体层，该第一半导体层包括依序连接的第一重掺杂区、第一轻掺杂区、沟道区、第二轻掺杂区以及第二重掺杂区；栅极绝缘层，形成于该半导体图案上；
第一导电层，形成于该栅极绝缘层上，且包括第一栅极，该第一栅极在该基板的法线方向上重叠于该第一半导体层的该沟道区；第一介电层，形成于该第一导电层以及该栅极绝缘层上；遮蔽电极，形成于该第一介电层上，且在该基板的该法线方向上重叠于该第一半导体层的该第二轻掺杂区；第二介电层，形成于该第一介电层以及该遮蔽电极上；以及第二导电层，形成于该第二介电层上，且包括：第一源极，电连接至该第一半导体层的该第一重掺杂区；以及第一漏极，电连接至该第一半导体层的该第二重掺杂区。12.如权利要求11所述的主动元件基板，其中该遮蔽电极电连接至该第一漏极。13.如权利要求12所述的主动元件基板，其中该栅极绝缘层中具有第一通孔，该第一介电层中具有第二通孔，该第二介电层中具有第三通孔，其中该第一漏极通过依序相连的该第一通孔、该第二通孔以及该第三通孔而电连接至该第一半导体层的该第二重掺杂区，其中该第三通孔在该基板的该法线方向上重叠于该第二通孔以及该第一通孔，且该第三通孔的尺寸大于该第二通孔的尺寸以及该第一通孔的尺寸。14.如权利要求13所述的主动元件基板，其中部分该遮蔽电极位于该第一介电层与该第三通孔之间。15.如权利要求11所述的主动元件基板，其中该遮蔽电极电连接至该第一源极。16.如权利要求15所述的主动元件基板，其中该栅极绝缘层中具有第一通孔，该第一介电层中具有第二通孔，该第二介电层中具有第三通孔以及第四通孔，其中该第一源极通过依序相连的该第一通孔、该第二通孔以及该第三通孔而电连接至该第一半导体层的该第一重掺杂区，且该第一源极通过该第四通孔而电连接至该遮蔽电极。17.如权利要求15所述的主动元件基板，其中该第一源极在该基板的该法线方向上重叠于该第一轻掺杂区、该沟道区以及该第二轻掺杂区。18.如权利要求15所述的主动元件基板，其中该第一源极具有绕过该第一轻掺杂区的延伸部，该第一源极的该延伸部连接该遮蔽电极，使该第一源极在该基板的该法线方向上不重叠于该第一轻掺杂区。19.如权利要求16所述的主动元件基板，其中：该半导体图案还包括第二半导体层；该第一导电层还包括第二栅极，该第二栅极在该基板的该法线方向上重叠于该第二半导体层；该第二导电层还包括：第二源极以及第二漏极，电连接至该第二半导体层，其中该第二漏极电连接至该第一栅极。
技术总结
本发明公开一种主动元件基板，包括基板、第一半导体层、栅极绝缘层、第一栅极、第一源极、第一漏极以及遮蔽电极。第一半导体层包括依序连接的第一重掺杂区、第一轻掺杂区、沟道区、第二轻掺杂区以及第二重掺杂区。第一栅极位于栅极绝缘层上，且重叠于沟道区。第一源极电连接至第一重掺杂区。第一漏极电连接至第二重掺杂区。遮蔽电极在基板的法线方向上重叠于第二轻掺杂区。第二轻掺杂区。第二轻掺杂区。
技术研发人员：廖柏咏 何毅达
受保护的技术使用者：友达光电股份有限公司
技术研发日：2021.12.03
技术公布日：2022/3/11