技术特征：
1.一种提升硅片转换效率的预处理方法，包括：去除硅片表面的损伤层；对去除损伤层的所述硅片的正表面进行硼扩散处理，形成p+掺杂层，并在所述p+掺杂层表面还形成一硼硅玻璃层；将硼扩散后的所述硅片置入氧化炉中，向所述氧化炉内通入氧气，在所述硼硅玻璃层表面形成一氧化层；去除所述氧化层和所述硼硅玻璃层，保留所述p+掺杂层，预处理完成。2.根据权利要求1所述的一种提升硅片转换效率的预处理方法，其特征在于：所述硅片包括掺镓硅片。3.根据权利要求1所述的一种提升硅片转换效率的预处理方法，其特征在于：去除硅片表面的损伤层过程中，采用第一腐蚀液对所述硅片表面进行腐蚀，来去除所述硅片正表面以及背表面的损伤层，其中，所述第一腐蚀液采用naoh，浓度范围为1.2-1.4％，腐蚀时间为120-140s。4.根据权利要求1所述的一种提升硅片转换效率的预处理方法，其特征在于：对所述硅片的正表面进行硼扩散处理中，硼源采用三溴化硼或者三氯化硼，扩散温度为750-1100℃，扩散时间为8000-9000s。5.根据权利要求4所述的一种提升硅片转换效率的预处理方法，其特征在于：对所述硅片的正表面进行硼扩散处理的阶段包括：第一升温阶段：在硼扩散设备中通入所述硼源，随后升温至第一温度，所述第一温度为800-900℃，第一升温时间为1000-1400s；沉积阶段：保持所述第一温度不变，所述硼源沉积在所述硅片正表面，沉积时间为1900-2300s；第二升温阶段：待所述硼源沉积后，再次升温值第二温度，所述第二温度为900-1100℃，第二升温时间为700-1100s；推进阶段：保持所述第二温度不变，硼元素推进至所述硅片内部，推进时间为700-1100s；第一降温阶段：待所述硼元素推进完成后，降温至第三温度，所述第三温度为820-900℃，第三降温时间为1300-1700s；第二降温阶段：待第一降温阶段结束后，再次降温至第四温度，所述第四温度为750-850℃，第四降温时间为1600-2000s。6.根据权利要求5所述的一种提升硅片转换效率的预处理方法，其特征在于：推进阶段中，所述硼元素推进至所述硅片的深度为0.8-1.2μm。7.根据权利要求1所述的一种提升硅片转换效率的预处理方法，其特征在于：将硼扩散后的所述硅片置入氧化炉中，向所述氧化炉内通入氧气，在所述硼硅玻璃层表面形成一氧化层的过程中，氧化温度为700-900℃，氧化时间为60-90min。8.根据权利要求1或7所述的一种提升硅片转换效率的预处理方法，其特征在于：所述氧化层的厚度为10-30nm。9.根据权利要求1所述的一种提升硅片转换效率的预处理方法，其特征在于：去除所述氧化层和所述硼硅玻璃层的步骤中，采用第二腐蚀液对所述氧化层和所述硼硅玻璃层进行
腐蚀，其中，所述第二腐蚀液为hf，浓度范围为45-55％，腐蚀时间为20-30min，最终保留所述p+掺杂层，预处理完成。
技术总结
本发明提供一种提升硅片转换效率的预处理方法，包括：去除硅片表面的损伤层；对去除损伤层的所述硅片的正表面进行硼扩散处理，形成P+掺杂层，并在所述P+掺杂层表面还形成一硼硅玻璃层；将硼扩散后的所述硅片置入氧化炉中，向所述氧化炉内通入氧气，在所述硼硅玻璃层表面形成一氧化层；去除所述氧化层和所述硼硅玻璃层，保留所述P+掺杂层，预处理完成。本发明的有益效果是在掺镓硅片的正表面进行硼扩散，使得硼元素掺杂至高电阻率的掺杂硅片表面，形成了硼镓共掺的状态，增加了硅片整体的杂质浓度，因硅片电阻率的大小与杂质浓度成反比，故可以大大降低硅片的电阻率，从而在后续的生产工艺中，提升电池片电流，进而提升电池片的转换效率。换效率。换效率。
技术研发人员：从海泉 何秋霞 马敏杰 马擎天 宋楠
受保护的技术使用者：环晟光伏（江苏）有限公司
技术研发日：2021.12.10
技术公布日：2022/3/25