技术特征：
1.一种碳化硅纳米多孔刻蚀方法，其特征在于：包括以下步骤：通过工具电极(104)产生的电解等离子体，在电解液中刻蚀碳化硅；所述工具电极(104)与脉冲电场之间电连接；刻蚀完成后，碳化硅表面形成纳米多孔层。2.根据权利要求1所述的碳化硅纳米多孔刻蚀方法，其特征在于：所述脉冲电场的电压为40v～100v。3.根据权利要求1所述的碳化硅纳米多孔刻蚀方法，其特征在于：所述电解液为强碱溶液。4.根据权利要求1所述的碳化硅纳米多孔刻蚀方法，其特征在于：所述工具电极(104)表面诱导产生电解等离子体层，电解液等离子体层与碳化硅工件(109)相接触。5.根据权利要求1所述的碳化硅纳米多孔刻蚀方法，其特征在于：所述工具电极(104)包括金属电极。6.一种碳化硅纳米多孔刻蚀装置，其特征在于：包括工具电极(104)；脉冲电场发生器，所述脉冲电场发生器设有正极和负极；所述负极与所述工具电极(104)电连接；辅助电极(112)，所述辅助电极(112)与所述正极电连接。7.根据权利要求6所述的碳化硅纳米多孔刻蚀装置，其特征在于：所述辅助电极(112)为惰性电极。8.根据权利要求6所述的碳化硅纳米多孔刻蚀装置，其特征在于：还包括驱动系统；所述工具电极(104)与驱动系统相连。9.根据权利要求8所述的碳化硅纳米多孔刻蚀装置，其特征在于：还包括碳化硅工件(109)；所述碳化硅工件(109)与所述工具电极(104)的扫描方向平行。10.根据权利要求8所述的碳化硅纳米多孔刻蚀装置，其特征在于：所述工具电极(104)的扫描方式为往复扫描。
技术总结
本发明涉及一种碳化硅纳米多孔刻蚀方法及刻蚀装置，属于半导体加工技术领域。本发明的刻蚀方式，包括如下步骤：通过工具电极产生的电解等离子体，在电解液中刻蚀碳化硅；所述工具电极与脉冲电场之间电连接；刻蚀完成后，碳化硅表面形成纳米多孔层。本发明的刻蚀方法，通过脉冲电场在工具电极表面诱导产生电解等离子体，基于电解等离子体的活性、电化学氧化和等离子体热氧化来促进碳化硅氧化。进一步的，电解液作为刻蚀液，加以电解等离子体活性，实现氧化物刻蚀，最终在碳化硅表面得到纳米多孔结构。同时，电解等离子体激发带来的热流体动力和碳化硅表面能带弯曲能强化电化学反应效率，从而提高碳化硅表面纳米多孔结构刻蚀效率。率。率。
技术研发人员：赵永华 詹顺达
受保护的技术使用者：南方科技大学
技术研发日：2022.05.19
技术公布日：2022/9/8