一种横向恒流二极管及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明属于半导体功率器件技术领域，具体涉及一种横向恒流二极管及其制造方法。
【背景技术】
[0002]恒流源是一种常用的电子设备和装置，在电子线路中使用相当广泛。恒流源用于保护整个电路，即使出现电压不稳定或负载电阻变化很大的情况，都能确保供电电流的稳定。恒流二极管(CRD，Current Regulative D1de)是一种半导体恒流器件，S卩用二极管作为恒流源代替普通的由晶体管、稳压管和电阻等多个元件组成的恒流源，目前恒流二极管的输出电流在几毫安到几十毫安之间，可直接驱动负载，实现了电路结构简单、器件体积小、器件可靠性高等目的。另外恒流二极管的外围电路非常简单，使用方便，已广泛应用于自动控制、仪表仪器、保护电路等领域。但是，目前恒流二极管的击穿电压高位普遍为30?100V，因此存在击穿电压较低的问题，同时能提供的恒定电流也较低。
【发明内容】
[0003]本发明针对恒流二极管夹断电压高、击穿电压低、恒流能力差等问题，提出了一种横向恒流二极管及其制造方法。本发明提供的横向恒流二极管采用PN结短接的结构，可减小芯片面积，降低成本；同时在P型衬底上采用N阱工艺，衬底可辅助耗尽沟道，从而加快导电沟道的耗尽，实现较低的夹断电压。
[0004]本发明的技术方案如下:
[0005]一种横向恒流二极管，由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括P型轻掺杂衬底2、扩散N型阱区3、P型重掺杂区4、第一 N型重掺杂区5、氧化介质层6、金属阴极7、金属阳极8、第二 N型重掺杂区9 ;所述扩散N型阱区3形成于P型轻掺杂衬底2之中，所述P型重掺杂区4、第一 N型重掺杂区5和第二 N型重掺杂区9形成于扩散N型阱区3之中，P型重掺杂区4位于第一 N型重掺杂区5和第二 N型重掺杂区9之间，其特征在于，所述第一 N型重掺杂区5部分包含于P型重掺杂区4之中，所述第一 N型重掺杂区5与P型重掺杂区4短接并与金属阴极7形成欧姆接触，所述第二 N型重掺杂区9与金属阳极8形成欧姆接触。
[0006]进一步地，元胞中所述第一 N型重掺杂区5还可以全部包含于P型重掺杂区4之中。
[0007]进一步地，所述元胞中的金属阴极7和金属阳极8可沿氧化介质层6上表面延伸形成场板，场板的长度可调节，以使器件达到更好的恒流能力和更高的耐压值。
[0008]进一步地，所述第一 N型重掺杂区5和第二 N型重掺杂区9的结深相同。
[0009]进一步地，所述第一 N型重掺杂区5、第二 N型重掺杂区9和P型重掺杂区4的结深均相同。
[0010]进一步地，所述横向恒流二极管是由相同的元胞叉指连接形成，其中，相邻的第二N型重掺杂区9和金属阳极8共用，相邻的第一 N型重掺杂区5和金属阴极7可以共用或者不共用。
[0011]进一步地，所述横向恒流二极管所用半导体材料为硅或碳化硅等。
[0012]进一步地，所述横向恒流二极管中各掺杂类型可相应变为相反的掺杂，即P型掺杂变为N型掺杂的同时，N型掺杂变为P型掺杂。
[0013]进一步地，所述横向恒流二极管P型重掺杂区4的长度可以调节，以使器件的恒流能力和夹断电压得到优化；所述P型重掺杂区4与第二 N型重掺杂区9之间的距离可以调节，以使器件得到不同的耐压值。
[0014]对于深结P型重掺杂区4，上述横向恒流二极管的制造方法，包括以下步骤:
[0015]步骤1:采用P型硅片作为衬底，进行扩散N型阱区3注入前预氧，进行窗口刻蚀；
[0016]步骤2:进行扩散N型阱区3注入，然后进行扩散N型阱区3推结，刻蚀多余的氧化层；
[0017]步骤3:进行P型重掺杂区4注入前预氧，进行窗口刻蚀；
[0018]步骤4:进行P型重掺杂区4注入，然后进行P型重掺杂区4推结，刻蚀多余的氧化层；
[0019]步骤5:进行第一 N型重掺杂区5和第二 N型重掺杂区9注入前预氧，进行窗口刻蚀；
[0020]步骤6:进行第一 N型重掺杂区5和第二 N型重掺杂区9注入，刻蚀多余的氧化层，所述P型重掺杂区4位于第一 N型重掺杂区5和第二 N型重掺杂区9之间，且所述第一 N型重掺杂区5部分包含于P型重掺杂区4之中；
[0021 ] 步骤7:淀积前预氧，淀积氧化物，致密；
[0022]步骤8:光刻欧姆孔；
[0023]步骤9:淀积金属层，刻蚀，形成金属阴极7和金属阳极8。
[0024]对于浅结P型重掺杂区4，上述横向恒流二极管的制造方法，包括以下步骤:
[0025]步骤1:采用P型硅片作为衬底，进行扩散N型阱区3注入前预氧，进行窗口刻蚀；
[0026]步骤2:进行扩散N型阱区3注入，然后进行扩散N型阱区3推结，刻蚀多余的氧化层；
[0027]步骤3:进行P型重掺杂区4注入前预氧，进行窗口刻蚀；
[0028]步骤4:进行P型重掺杂区4注入，刻蚀多余的氧化层；
[0029]步骤5:进行第一 N型重掺杂区5和第二 N型重掺杂区9注入前预氧，窗口刻蚀；
[0030]步骤6:进行第一 N型重掺杂区5和第二 N型重掺杂区9注入，刻蚀多余的氧化层，所述P型重掺杂区4位于第一 N型重掺杂区5和第二 N型重掺杂区9之间，且所述第一 N型重掺杂区5部分包含于P型重掺杂区4之中；
[0031]步骤7:淀积前预氧，淀积氧化物，致密，同时激活P型杂质原子；
[0032]步骤8:光刻欧姆孔；
[0033]步骤9:淀积金属层，刻蚀，形成金属阴极7和金属阳极8。
[0034]对于浅结的P型重掺杂区4，可以省略P型重掺杂区4的推结过程，但是采取较大的注入能量，即便对于同样的注入能量，注入硼的结深也要比注入磷的结深要深，P型杂质原子的激活可以在步骤7致密的过程中和第一、第二 N型重掺杂区N型杂质原子一起进行激活，从而减少工序，节省芯片制造时间。
[0035]本发明的有益效果为:
[0036]1、本发明横向恒流二极管中P型重掺杂区4与第一 N型重掺杂区5短接形成了 PN结短路结构，大大减小了同等恒流大小下器件的面积，提高了器件的电流密度，提升了器件的恒流能力。
[0037]2、本发明横向恒流二极管中的夹断沟道包含P型重掺杂区4水平方向和相邻P型重掺杂区4的垂直方向，沟道长度增加，具有较好的恒流能力和较低的夹断电压。
[0038]3、本发明所述横向恒流二极管中的P型重掺杂区4可以不推结，简化了芯片制造的工艺；采用的工艺与B⑶工艺相一致，有利于器件的集成，可用于大规模集成电路中。
【附图说明】
[0039]图1为本发明提供的横向恒流二极管的结构示意图；
[0040]图2为本发明提供的横向恒流二极管的元胞的结构示意图；(a)为没有金属场板的结构；(b)为有金属场板的结构。
[0041]图3为本发明实施例的元胞的工艺仿真示意图；
[0042]图4为本发明实施例提供的横向恒流二极管的电流电压特性曲线图；
[0043]图5为本发明实施例提供的横向恒流二极管的制造方法的工艺流程示意图；
[0044]图6为本发明实施例提供的横向恒流二极管制造过程中对应的工艺仿真图。
【具体实施方式】
[0045]下面结合附图和实施例，详述本发明的技术方案。
[0046]一种横向恒流二极管，由多个结构相同的元胞I (I)、I (2)、I (3)…I⑴叉指连接形成，所述元胞包括P型轻掺杂衬底2、扩散N型阱区3、P型重掺杂区4、第一 N型重掺杂区5、氧化介质层6、金属阴极7、金属阳极8、第二 N型重掺杂区9 ;所述扩散N型阱区3形成于P型轻掺杂衬底2之中，所述P型重掺杂区4、第一 N型重掺杂区5和第二 N型重掺杂区9形成于扩散N型阱区3之中，P型重掺杂区4位于第一 N型重掺杂区5和第二 N型重掺杂区9之间，所述氧化介质层6、金属阴极7和金属阳极8完全覆盖整个元胞表面，其特征在于，所述第一 N型重掺杂区5部分包含于P型重掺杂区4之中，所述第一 N型重掺杂区5与P型重掺杂区4短接，所述第一 N型重掺杂区5、P型重掺杂区4和金属阴极7形成欧姆接触，所述第二 N型重掺杂区9与金属阳极8形成欧姆接触，所述第二 N型重掺杂区9与P型重掺杂区4之间有间距。
[0047]进一步地，元胞的个数i可根据具体的电流能力要求进行调节，P型重掺杂区4与第二 N型重掺杂区9之间的距离可调节，以得到不同的耐压值；P型重掺杂区4的长度可以调节，以使器件的恒流能力和夹断电压得到优化；P型重掺杂区4的结深以及扩散N型阱区3的结深可以调节，以调节沟道的宽度，使器件得到不同大小的恒流值和不同的饱和压降。
[0048]进一步地，元胞中所述第一 N型重掺杂区5还可以全部包含于P型重掺杂区4之中。
[0049]进一步地，所述第一 N型重掺杂区5和第二 N型重掺杂区9的结深相同，第一 N型重掺杂区5和第二 N型重掺杂区9的结深与P型重掺杂区4的结深可相同或不同。
[0050]进一步地，所述叉指连接的元胞间相邻的第二 N型重掺杂区9和金属阳极8可共用，相邻的第一 N型重掺杂区5和金属阴极7可共用或不