共用。如图1(a)所示，所述第一 N型重掺杂区5部分包含于P型重掺杂区4中，所述叉指连接的元胞间相邻的第二 N型重掺杂区9和金属阳极8共用，相邻的第一 N型重掺杂区5和金属阴极7不共用。
[0051]进一步地，所述元胞中的金属阴极7和金属阳极8可沿氧化介质层6上表面延伸形成场板，场板的长度可调节，以使器件达到更好的恒流能力和更高的耐压值。
[0052]进一步地，元胞中所述P型重掺杂区4与P型轻掺杂衬底2之间形成导电沟道，沟道的宽度可通过调节P型重掺杂区4的结深以及扩散N型阱区3的结深调节，以使器件得到不同大小的恒流值和不同饱和压降。
[0053]进一步地，所述横向恒流二极管采用P型重掺杂区4和第一 N型重掺杂区5短接的结构大大减小了同等恒流大小下器件的面积，提高了器件的电流密度。
[0054]进一步地，所述横向恒流二极管的P型重掺杂区4采用硼离子注入，然后进行热扩散推结，可通过调节硼注入剂量、能量及推结时间控制所形成P型重掺杂区4的结深和浓度。最后淀积形成氧化介质层6及金属电极7，8。
[0055]本发明所述横向恒流二极管的工作原理为:
[0056]所述横向恒流二极管是由I (I)、1 (2)、1 (3)……I (i)相同的元胞叉指连接得到的，元胞个数i可以根据具体电流能力要求进行调整设计。图2所示的元胞包括P型轻掺杂衬底2、扩散N型阱区3、P型重掺杂区4、第一 N型重掺杂区5、氧化介质层6、金属阴极7、金属阳极8和第二 N型重掺杂区9。其中第一 N型重掺杂区5与P型重掺杂区4短接并与金属阴极7形成欧姆接触，P型重掺杂区4位于第一 N型重掺杂区5和第二 N型重掺杂区9之间，第一 N型重掺杂区5部分包含于P型重掺杂区4中，第二 N型重掺杂区9与金属阳极8形成欧姆接触。
[0057]所述横向恒流二极管金属阳极8连接高电位，金属阴极7连接低电位，则扩散N型阱区3靠近第二 N型重掺杂区9 一侧的电势较高，P型重掺杂区4与扩散N型阱区3以及P型衬底与扩散N型阱区3之间形成耗尽区，在P型重掺杂区4和P型轻掺杂衬底2之间形成电流沟道，随着外加电压变大，耗尽层厚度不断加厚，耗尽层扩展使导电沟道变窄。当沟道尚未夹断时，沟道电阻为半导体电阻，电流随着电压的增大而增大，此时二极管工作在线性区。当外加电压继续增大到两侧的耗尽层相接触时，沟道夹断，此时的阳极电压称为夹断电压。沟道夹断后，继续增加阳极电压，夹断点随阳极电压的增大变化缓慢，所以器件电流增大变缓，形成恒定电流功能，此时器件工作在恒流区。沟道的宽度可以通过调节P型重掺杂区4的结深以及扩散N型阱区的结深进行调节，以便得到不同大小恒流值的器件。
[0058]实施例
[0059]本实施例以耐压为180V，电流约为8E-6A/μ m的横向恒流二极管为例，详述本发明的技术方案。
[0060]借助TSUPREM4及MEDICI仿真软件对所提供的如图2 (b)所示的横向恒流二极管的元胞结构进行工艺仿真，仿真参数为:初始硅片厚度约为250 μ m，P型轻掺杂衬底浓度为8E14cm_3;扩散N型阱区注入剂量为lE12cm _2，注入能量为120keV，推结时间为800分钟；P型重掺杂区注入剂量为4E15cnT2，注入能量为60keV ;第一 N型重掺杂区与第二 N型重掺杂区的注入剂量为4E15cm_2，注入能量为60keV ;沟道长度约为6 μ m ;P型重掺杂区距离第二 N型重掺杂区的距离约为16 μm ;氧化层厚度约为0.4 μπι ;金属淀积厚度约为2 μπι。
[0061]图4是本发明实施例提供的横向恒流二极管通过仿真所得1-v特性曲线图。从图4可以看出器件的夹断电压在5V以下，夹断电压可通过调节P型重掺杂区4的结深以及扩散N型阱区3的结深进行调节；当达到饱和区后电流基本保持恒定，恒流特性好。
[0062]图5是本发明实施例提供的横向恒流二极管的制造方法的工艺流程示意图，图6是本发明实施例提供的横向恒流二极管制造过程中对应的工艺仿真图。其中，(I)为初始硅片；(2)为扩散N型阱区；(3)为P型重掺杂区的形成；(4)为第一、二 N型重掺杂区的形成；(5)为得到的器件。
【主权项】
1.一种横向恒流二极管，由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括P型轻掺杂衬底(2)、扩散N型阱区(3)、P型重掺杂区(4)、第一 N型重掺杂区(5)、氧化介质层(6)、金属阴极(7)、金属阳极(8)、第二 N型重掺杂区(9);所述扩散N型阱区(3)形成于P型轻掺杂衬底⑵之中，所述P型重掺杂区(4)、第一 N型重掺杂区(5)和第二 N型重掺杂区(9)形成于扩散N型阱区(3)之中，P型重掺杂区(4)位于第一 N型重掺杂区(5)和第二 N型重掺杂区(9)之间，其特征在于，所述第一 N型重掺杂区(5)部分包含于P型重掺杂区(4)之中，所述第一 N型重掺杂区(5)与P型重掺杂区(4)短接并与金属阴极(7)形成欧姆接触，所述第二 N型重掺杂区(9)与金属阳极(8)形成欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的横向恒流二极管，其特征在于，元胞中所述第一N型重掺杂区(5)全部包含于P型重掺杂区(4)之中。
3.根据权利要求1所述的横向恒流二极管，其特征在于，所述金属阴极(7)和金属阳极(8)可沿氧化介质层(6)上表面延伸形成场板。
4.根据权利要求1所述的横向恒流二极管，其特征在于，所述第一N型重掺杂区(5)和第二 N型重掺杂区(9)的结深相同。
5.根据权利要求1所述的横向恒流二极管，其特征在于，所述第一N型重掺杂区(5)、第二 N型重掺杂区(9)和P型重掺杂区(4)的结深均相同。
6.根据权利要求1所述的横向恒流二极管，其特征在于，所述横向恒流二极管中相邻的第二 N型重掺杂区(9)和金属阳极(8)共用。
7.根据权利要求1所述的横向恒流二极管，其特征在于，所述横向恒流二极管所用半导体材料为硅或碳化硅。
8.根据权利要求1所述的横向恒流二极管，其特征在于，所述横向恒流二极管中各掺杂类型可相应变为相反的掺杂，即P型掺杂变为N型掺杂的同时，N型掺杂变为P型掺杂。
9.一种横向恒流二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤1:采用P型硅片作为衬底，进行扩散N型阱区(3)注入前预氧，进行窗口刻蚀； 步骤2:进行扩散N型阱区(3)注入，然后进行扩散N型阱区(3)推结，刻蚀多余的氧化层； 步骤3:进行P型重掺杂区(4)注入前预氧，进行窗口刻蚀； 步骤4:进行P型重掺杂区(4)注入，然后进行P型重掺杂区(4)推结，刻蚀多余的氧化层； 步骤5:进行第一 N型重掺杂区(5)和第二 N型重掺杂区(9)注入前预氧，进行窗口刻蚀； 步骤6:进行第一 N型重掺杂区(5)和第二 N型重掺杂区(9)注入，刻蚀多余的氧化层，所述P型重掺杂区(4)位于第一 N型重掺杂区(5)和第二 N型重掺杂区(9)之间，且所述第一 N型重掺杂区(5)部分包含于P型重掺杂区(4)之中； 步骤7:淀积前预氧，淀积氧化物，致密； 步骤8:光刻欧姆孔； 步骤9:淀积金属层，刻蚀，形成金属阴极(7)和金属阳极(8)。
10.一种横向恒流二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤1:采用P型硅片作为衬底，进行扩散N型阱区(3)注入前预氧，进行窗口刻蚀； 步骤2:进行扩散N型阱区(3)注入，然后进行扩散N型阱区(3)推结，刻蚀多余的氧化层； 步骤3:进行P型重掺杂区(4)注入前预氧，进行窗口刻蚀； 步骤4:进行P型重掺杂区(4)注入，刻蚀多余的氧化层； 步骤5:进行第一 N型重掺杂区(5)和第二 N型重掺杂区(9)注入前预氧，窗口刻蚀；步骤6:进行第一 N型重掺杂区(5)和第二 N型重掺杂区(9)注入，刻蚀多余的氧化层，所述P型重掺杂区(4)位于第一 N型重掺杂区(5)和第二 N型重掺杂区(9)之间，且所述第一 N型重掺杂区(5)部分包含于P型重掺杂区(4)之中； 步骤7:淀积前预氧，淀积氧化物，致密，同时激活P型杂质原子； 步骤8:光刻欧姆孔； 步骤9:淀积金属层，刻蚀，形成金属阴极(7)和金属阳极(8)。
【专利摘要】本发明提出了一种横向恒流二极管及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。所述横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括P型轻掺杂衬底、扩散N型阱区、P型重掺杂区、第一N型重掺杂区、氧化介质层、金属阴极、金属阳极、第二N型重掺杂区；P型重掺杂区位于第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区之间，第一N型重掺杂区部分包含于P型重掺杂区之中，第一N型重掺杂区与P型重掺杂区短接并与金属阴极形成欧姆接触，第二N型重掺杂区与金属阳极形成欧姆接触。本发明恒流二极管采用PN结短接结构，可减小芯片面积，降低成本；同时在P型衬底上采用N阱工艺，衬底可辅助耗尽沟道，加快导电沟道的耗尽，实现较低的夹断电压。
【IPC分类】H01L21-329, H01L29-06, H01L29-861
【公开号】CN104638021
【申请号】CN201510080605
【发明人】乔明, 于亮亮, 何逸涛, 代刚, 张波
【申请人】电子科技大学
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2015年2月15日