C2~picolinate);电荷产生层a4204的主体材料为46DCzPPm，掺杂客体材料为锂Li，其掺杂浓度沿指向相邻发光层的方向依次为5% -0% ;电荷产生层b4205的主体材料为46DCzPPm，掺杂客体材料为三氧化钼MoO3，其掺杂浓度沿指向相邻发光层的方向依次为30% -0% ;电子侧发光层4206的主体材料为46DCzPPm，该结构膜层可掺杂客体材料，也可以不掺杂，其掺杂客体材料可以与上述空穴侧发光层4203的掺杂客体材料相同；电子传输层4207的主体材料为46DCzPPm，不存在掺杂客体材料；电子注入层4208的主体材料为46DCzPPm，掺杂客体材料为碳酸铯Cs2O3。
[0063]阴极43，该阴极43为单一金属或金属混合物，例如镁Mg或银Ag。
[0064]在实际的制备过程中，在玻璃基底上依次制作8nm厚的第一层ΙΤ0，10nm厚的Ag，8nm厚的第二层ΙΤ0，得到ITO玻璃基底；将该顶发射的ITO玻璃基底(其面电阻〈30 Ω )，依次在去离子水、丙酮、和无水乙醇超声环境中清洗，然后用N2吹干，并进行等离子02的处理；将处理好的基底置于蒸镀腔室中，待真空度低于5X10 _4Pa后，通过真空热蒸镀的方式，在ITO面依次沉积1nm厚的空穴注入层46DCzPPm:Mo03(46002??!111003表示MoO3掺杂在46DCzPPm中，以下皆类似)，90nm厚的空穴传输层46DCzPPm，20nm厚的空穴侧发光层46DCzPPm:FIrpic，40nm厚的电荷产生层a46DCzPPm:Li和40nm厚的电荷产生层b46DCzPPm:Mo03，20nm厚的电子侧发光层46DCzPPm:FIrpic，30nm厚的电子传输层46DCzPPm，1nm厚的电子注入层46DCzPPm:Cs2CO3,14nm厚的阴极，以及光取出层CPL。上述蒸镀过程中，除使用金属阴极掩膜版且蒸发速率为0.3nm/s外，其余各层均使用开放掩膜版且蒸发速率为0.lnm/so从制作工艺角度考虑，由于采用了同质结结构，在蒸镀过程中减少了材料的使用种类，简化了工艺制程。
[0065]另一种优选地实施例，如图4(b)所示的包含三个发光单元的串联式OLED器件的结构示意图，该串联式OLED器件由阳极至阴极依次包括:
[0066]阳极41'，该阳极41 '为IT0/Ag/IT0的玻璃基底。
[0067]功能层42 ^，具体包括:空穴注入层4201 ^、空穴传输层4202 ^、空穴侧发光层4203 ^、第一电荷产生层a4204 ^、第一电荷产生层b4205 ^、连接侧发光层4206 ^、第二电荷产生层a4207 '、第二电荷产生层b4208 '、电子侧发光层4209 '、电子传输层4210 ;、电子注入层4211'。其中，空穴注入层4201 '的主体材料为46DCzPPm，掺杂客体材料为三氧化钼MoO3;空穴传输层4202 ’的主体材料为46DCzPPm，可以不存在掺杂客体材料，也可以进行掺杂；空穴侧发光层4203丨的主体材料为46DCzPPm，掺杂客体材料根据发光颜色的需求进行选择，同空穴侧发光层4203 '类似；第一电荷产生层a4204 '的主体材料为46DCzPPm，掺杂客体材料为锂Li，其掺杂浓度沿指向相邻发光层的方向依次为5% -0% ;第一电荷产生层b4205丨的主体材料为46DCzPPm，掺杂客体材料为三氧化钼MoO3，其掺杂浓度沿指向相邻发光层的方向依次为30% -0% ;连接侧发光层4206丨的主体材料46DCzPPm，掺杂客体材料根据发光颜色的需求进行选择，第二电荷产生层a4207丨的主体材料为46DCzPPm，掺杂客体材料为锂Li，或者其他的金属单质材料或金属化合物材料或有机物材料，其掺杂浓度可根据选择的掺杂客体材料进行设置，但必须要遵循掺杂浓度沿指向相邻发光层的方向依次降低的原则；第二电荷产生层b4208 '的主体材料为46DCzPPm，掺杂客体材料为三氧化钼MoO3,其掺杂客体材料的选择也是比较灵活的，但是，必须与第二电荷产生层a4207 '的掺杂客体材料不同，相邻组间的掺杂客体可以相同，其掺杂浓度沿指向相邻发光层的方向依次降低；电子侧发光层4209 '的主体材料为46DCzPPm,其掺杂客体材料可以与上述空穴侧发光层4203丨的掺杂客体材料相同；电子传输层4210 ’的主体材料为46DCzPPm，不存在掺杂客体材料；电子注入层4211 ’的主体材料为46DCzPPm，掺杂客体材料可以为碳酸铯Cs203。
[0068]阴极43 ’，该阴极43 ’为单一金属或金属混合物，例如镁Mg或银Ag。
[0069]本发明所涉及的包括三个或三个以上的发光单元的串联式OLED器件的制作工艺与上述包含两个发光单元的串联式OLED器件的制作工艺类似，在此不作赘述。
[0070]在上述串联式OLED器件的结构中，电荷产生层a4204与电荷产生层b4205之间形成具有Pn结特性的同质结，并且两个电荷产生层的掺杂浓度均沿着远离同质结的方向降低。
[0071](二)、同质结结构的电荷产生层掺杂客体材料包含金属化合物
[0072]优选地，在该串联式OLED器件中，所述功能层中的任一电荷产生层a掺杂有第二金属化合物，其掺杂浓度沿指向相邻发光层的方向依次为15% -0%，其中，所述第二金属化合物至少包括以下之一或组合:碳酸铯Cs2O3、氟化锂LiF、碳酸锂Li2CO3、氯化钠NaCl、氯化铁FeCl3、四氧化三铁Fe3O4;
[0073]任一电荷产生层b掺杂有第一金属化合物，其掺杂浓度沿指向相邻发光层的方向依次为30% -0%。
[0074]一种较为优选的实施例，如图5(a)所示，该串联式OLED器件中与图4(a)中的串联式OLED器件的结构类似，该串联式OLED器件由阳极至阴极依次包括:
[0075]阳极51，该阳极51为IT0/Ag/IT0的玻璃基底。
[0076]功能层52，具体包括:空穴注入层5201、空穴传输层5202、空穴侧发光层5203、电荷产生层a5204、电荷产生层b5205、电子侧发光层5206、电子传输层5207、电子注入层5208。唯一不同的是，在图5(a)所示的串联式OLED器件的功能层中的电荷产生层a5204的掺杂客体材料由金属替换为金属化合物碳酸铯Cs2O3，其掺杂浓度沿指向相邻发光层的方向依次为15% -0% ;电荷产生层b5205仍掺杂有三氧化钼MoO3，其掺杂浓度沿指向相邻发光层的方向依次为30% -0%。
[0077]阴极53，该阴极53为单一金属或金属混合物，例如镁Mg或银Ag。
[0078]另一种较为优选地实施例，如图5(b)所示，该串联式OLED器件中与图4(b)中的串联式OLED器件的结构类似，该串联式OLED器件由阳极至阴极依次包括:
[0079]阳极51 '，该阳极51 '为IT0/Ag/IT0的玻璃基底。
[0080]功能层52'，具体包括:空穴注入层5201 '、空穴传输层5202'、空穴侧发光层5203 ^、第一电荷产生层a5204 ^、第一电荷产生层b5205 ^、连接侧发光层5206 ^、第二电荷产生层a5207 '、第二电荷产生层b5208 '、电子侧发光层5209 '、电子传输层5210 ,、电子注入层5211 '。唯一不同的是，在图5(b)所示的串联式OLED器件的功能层中的第一电荷产生层a5204 '和/或第二电荷产生层a5207 '的掺杂客体材料由金属替换为金属化合物碳酸铯Cs2O3，其掺杂浓度沿指向相邻发光层的方向依次为15% -0%;第一电荷产生层b5205'和第二电荷产生层b5208 '仍掺杂有三氧化钼MoO3，其掺杂浓度沿指向相邻发光层的方向依次为30% -0%。
[0081]阴极53'，该阴极53'为单一金属或金属混合物，例如镁Mg或银Ag。
[0082]在本实施例中，电荷产生层中掺杂有金属化合物，相比于金属单质而言，其稳定性要高，不易于被侵蚀，因此，制备而成的串联式OLED器件不仅具备本发明实施例方案所涉及的其他效果，同时，该串联式OLED器件的寿命较高。
[0083](三)、同质结结构的电荷产生层掺杂客体材料包含有机物
[0084]优选地，在该串联式OLED器件中，所述功能层中的任一电荷产生层a掺杂有第一有机物，其掺杂浓度沿指向相邻发光层的方向依次为50 % -O %，其中，所述第一有机