2连接电极4接触的焊盘区域113B;和被配 置在电容器电极区域113A与焊盘区域113B之间的烙丝区域113C。
[0185] 在电容器电极区域113A中，上部电极膜113被分割（分离）为多个电极膜部分 (上部电极膜部分）131~139。在该实施方式中，各电极膜部分131~139均被形成为矩 形形状，从烙丝区域113C朝向第1连接电极3呈带状延伸。多个电极膜部分131~139隔 着电容膜112 (与电容膜112相接的同时）W多个种类的对置面积而与下部电极膜111对 置。更具体而言，电极膜部分131~139的相对于下部电极膜111的对置面积也可W规定为 1 : 2 : 4 : 8 : 16 : 32 : 64 : 128 : 128。目P，多个电极膜部分131~139包含对置 面积不同的多个电极膜部分，更详细而言包含具有按照形成公比为2的等比级数的方式设 定的对置面积的多个电极膜部分131~138 (或者131~137、139)。由此，通过各电极膜部 分131~139和隔着电容膜112进行对置的下部电极膜111所分别构成的多个电容器要素 C1~C9,包含具有互不相同的电容值的多个电容器要素。在电极膜部分131~139的对置 面积的比如前所述那样的情况下，电容器要素C1~C9的电容值的比等于该对置面积的比， 成为1 : 2 : 4 : 8 : 16 : 32 : 64 : 128 : 128。目P，多个电容器要素C1~C9包含：按 照形成公比为2的等比级数的方式设定电容值的多个电容器要素C1~C8 (或者C1~C7、 C9)。
[0186] 在该实施方式中，电极膜部分131~135被形成为：宽度相等、且将长度之比设定 为1 : 2 : 4 : 8 : 16的带状。此外，电极膜部分135、136、137、138、139被形成为；长度 相等、且将宽度之比设定为1 : 2 : 4 : 8 : 8的带状。电极膜部分135~139被形成为 遍及电容器配置区域105的第2连接电极4侧的端缘至第1连接电极3侧的端缘为止的范 围，电极膜部分131~134被形成得比其更短。
[0187] 焊盘区域113B被形成为与第2连接电极4大致相似的形状，且具有大致矩形的平 面形状。如图16所示，焊盘区域113B中的上部电极膜113与第2连接电极4相接。
[018引烙丝区域113C在基板2上沿着焊盘区域113B的一条长边（相对于基板2的周缘 为内部侧的长边）被配置。烙丝区域113C包含沿着焊盘区域113B的所述一条长边进行排 列的多个烙丝单元107。
[0189] 烙丝单元107 W与上部电极膜113的焊盘区域113B相同的材料被形成为一体。 多个电极膜部分131~139与一个或者多个烙丝单元107被形成为一体，经由该些烙丝单 元107而与焊盘区域113B连接，经由该焊盘区域113B而与第2连接电极4电连接。如图 15所示，面积比较小的电极膜部分131~136通过一个烙丝单元107而与焊盘区域113B连 接，面积比较大的电极膜部分137~139经由多个烙丝单元107而与焊盘区域113B连接。 在无需使用所有烙丝单元107的情况下，在该实施方式中一部分的烙丝单元107未使用。
[0190] 烙丝单元107包含；用于与焊盘区域113B连接的第1宽幅部107A;用于与电极膜 部分131~139连接的第2宽幅部107B;和对第1W及第2宽幅部107A、7B之间进行连接 的窄幅部107C。窄幅部107C被构成为能够通过激光来切断（烙断）。由此，通过烙丝单元 107的切断，能够将电极膜部分131~139之中不必要的电极膜部分从第1W及第2连接电 极3、4之中电断开。
[0191] 虽然在图15W及图17中省略了图示，但如图16所示的那样，包括上部电极膜113 的表面在内的贴片电容器101的表面被前述的纯化膜23覆盖。纯化膜23例如由氮化膜构 成，被形成为不仅覆盖贴片电容器101的上表面而且延伸至基板2的侧面2C~2F还覆盖 侧面2C~2F的整个区域。在侧面2C~2F中，介于基板2与第1连接电极3W及第2连 接电极4之间。进而，在纯化膜23之上形成有前述的树脂膜24。树脂膜24对元件形成面 2A进行覆盖。
[0192] 纯化膜23W及树脂膜24是对贴片电容器101的表面进行保护的保护膜。在该些 膜中，在与第1连接电极3W及第2连接电极4对应的区域分别形成有前述的缺口部25。 缺口部25贯通了纯化膜23W及树脂膜24。进而，在该实施方式中，与第1连接电极3对应 的缺口部25也贯通了电容膜112。
[0193] 在缺口部25中分别埋入有第1连接电极3W及第2连接电极4。由此，第1连接 电极3与下部电极膜111的焊盘区域111B接合，第2连接电极4与上部电极膜113的焊盘 区域113B接合。第1W及第2连接电极3、4具有从树脂膜24的表面突出并且沿着树脂膜 24的表面向基板2的内部（元件5侦D引出的引出部27。由此，能够相对于安装基板来对 贴片电容器101进行倒装片接合。
[0194] 图18是表示所述贴片电容器的内部的电气构成的电路图。在第1连接电极3与 第2连接电极4之间并联连接有多个电容器要素C1~C9。在各电容器要素C1~C9与第 2连接电极4之间串联插入有由一个或者多个烙丝单元107分别构成的烙丝F1~F9。
[0195] 在烙丝F1~F9全部被连接时，贴片电容器101的电容值等于电容器要素C1~C9 的电容值的总和。若将从多个烙丝F1~F9之中选择出的一个或者两个W上的烙丝切断， 则与该被切断的烙丝对应的电容器要素被断开，贴片电容器101的电容值减少了该被断开 的电容器要素的电容值。
[0196] 因此，如果对焊盘区域1118、1138之间的电容值（电容器要素(：1~〔9的总电容 值）进行测量，然后W激光来烙断根据所期望的电容值从烙丝F1~F9之中适当选择出的 一个或者多个烙丝，则能够进行向所期望的电容值的校准（激光剪切）。尤其是，如果电容 器要素C1~C8的电容值被设定为形成公比为2的等比级数，则能够W与最小的电容值（该 等比级数的首项的值）即电容器要素C1的电容值对应的精度来实现向目标电容值校准的 微调整。
[0197] 例如，电容器要素C1~C9的电容值也可W按如下方式规定。
[019引 C1 = 0. 03125pF
[0199]C2 = 0. 0625pF
[0200]C3 = 0. 125pF
[020。 C4 = 0. 25pF
[020引 C5 = 0. 5pF
[0203]C6 = IpF
[0204]C7 =化F
[0205]C8 = 4pF
[0206]C9 = 4pF
[0207] 在该情况下，能够W0. 〇3125pF的最小校准精度来对贴片电容器101的电容进行 微调整。此外，通过适当地选择从烙丝F1~F9要切断的烙丝，从而能够提供lOpF~18pF 之间的任意的电容值的贴片电容器101。
[020引如W上，根据该实施方式，在第1连接电极3与第2连接电极4之间设置有通过烙 丝F1~F9可断开的多个电容器要素C1~C9。电容器要素C1~C9包含不同电容值的多 个电容器要素，更具体为按照形成等比级数的方式设定电容值的多个电容器要素。由此，从 烙丝F1~F9之中选择一个或者多个烙丝并W激光来烙断，从而不用变更设计便能对应于 多个种类的电容值，且能够W公共的设计来实现可正确地校准为所期望的电容值的贴片电 容器101。
[0209]W下，关于贴片电容器101的各部的详细内容加m兑明。
[0210] 参照图15,基板2例如也可W在俯视下具有0. 3mmX0. 15mm、0. 4mmX0. 2mm等的矩 形形状（优选为0. 4mmX0. 2mmW下的大小）。电容器配置区域105大体成为具有与基板2 的短边的长度相当的一边的正方形区域。基板2的厚度也可W为150ym程度。参照图16， 基板2例如也可W为通过从背面侧（未形成电容器要素C1~C9的表面）起的磨削或者研 磨而被薄型化的基板。作为基板2的材料，既可W使用娃基板所代表的半导体基板，也可W 使用玻璃基板，还可W使用树脂薄膜。
[0211] 绝缘膜20也可W为氧化娃膜等氧化膜。其膜厚也可W为500這~20()0义程度。
[0212] 下部电极膜111优选为导电性膜、尤其是金属膜，例如也可W为铅膜。由铅膜构成 的下部电极膜111能够通过姗射法来形成。上部电极膜113也同样优选由导电性膜、尤其是 金属膜来构成，也可W为铅膜。由铅膜构成的上部电极膜113能够通过姗射法来形成。用 于将上部电极膜113的电容器电极区域113A分割为电极膜部分131~139进而将烙丝区 域113C成形为多个烙丝单元107的图案化，能够通过光刻W及蚀刻工艺来进行。
[021引 电容膜112能够由例如氮化娃膜来构成，其膜厚能够设为50()备~2000A(例如 1000畫）。电容膜112也可W为通过等离子CVD(化学气相生长）所形成的氮化娃膜。
[0214] 纯化膜23能够由例如氮化娃膜来构成，能够通过例如等离子CVD法来形成。其膜 厚也可W被设为8000屋程度。树脂膜24如前所述，能够由聚醜亚胺膜的其他树脂膜来构 成。
[0215] 第1W及第2连接电极3、4例如也可W由将与下部电极膜111或者上部电极膜 113相接的媒层、层叠在该媒层上的把层、层叠在该把层上的金层进行层叠所得的层叠构造 膜构成，例如能够W锻敷法（更具体为无电解锻敷法）来形成。媒层有助于相对于下部电 极膜111或者上部电极膜113的密接性的提高，把层作为对上部电极膜或者下部电极膜的 材料和第1W及第2连接电极3、4的最上层的金之间的相互扩散进行抑制的扩散防止层来 发挥功能。
[0216] 该种贴片电容器101的制造工序，与形成元件5之后的贴片电阻器1的制造工序 相同。
[0217] 在贴片电容器101中形成元件5 (电容器元件）的情况下，首先通过热氧化法W及 /或者CVD法，在前述的基板30(基板2)的表面形成由氧化膜（例如氧化娃膜）构成的绝 缘膜20。其次，通过例如姗射法，在绝缘膜20的表面整个区域形成由铅膜构成的下部电极 膜111。下部电极膜111的膜厚也可W被设为8000農程度。其次，通过光刻，在该下部电极 膜的表面形成与下部电极膜111的最终形状对应的抗蚀剂图案。将该抗蚀剂图案作为掩模 来蚀刻下部电极膜，从而可获得图15等所示的图案的下部电极膜111。下部电极膜111的 蚀刻，能够通过例如反应性离子蚀刻来进行。
[021引其次，通过例如等离子CVD法，在下部电极膜111上形成由氮化娃膜等构成的电容 膜112。在未形成有下部电极膜111的区域，在绝缘膜20的表面形成电容膜112。其次，在 该电容膜112之上形成上部电极膜113。上部电极膜113由例如铅膜构成，能够通过姗射法 来形成。其膜厚也可W被设为汾)00及程度。其次，通过光刻，在上部电极膜113的表面形成 与上部电极膜113的最终形状对应的抗蚀剂图案。通过将该抗蚀剂图案作为掩模的蚀刻， 上部电极膜113被图案化为最终形状（参照图15等）。由此，上部电极膜113被成形为下 述图案，即，在电容器电极区域113A具有被分割为多个电极膜部分131~139的部分，在烙 丝区域113C具有多个烙丝单元107,并具有与该些烙丝单元107连接的焊盘区域113B。用 于使上部电极膜113图案化的蚀刻，既可W通过使用了磯酸等蚀刻液的湿蚀刻来进行，也 可W通过反应性离子蚀刻来进行。
[0219] 通过W上工序，形成了贴片电容器101中的元件5 (电容器要素C1~C9、烙丝单元 107)。
[0220] 自该状态起，进行用于烙断烙丝单元107的激光剪切（参照图10B)。目P，向构成根 据所述总电容值的测量结果选择出的烙丝的烙丝单元107照射激光，该烙丝单元107的窄 幅部107C(参照图15)被烙断。由此，所对应的电容器要素从焊盘区域113B断开。在向烙 丝单元107照射激光时，由于作为覆膜的绝缘膜45的作用，而在烙丝单元107的附近蓄积 激光的能量，因此烙丝单元107烙断。由此，能够将贴片电容器101的电容值可靠地设为目 柄电各值。
[0221] 然后，仿效图10C~图101的工序来执行与贴片电阻器1的情况相同的工序即可。
[0222] W上，虽然说明了本发明的贴片部件（贴片电阻器1、贴片电容器101)，但本发明 也能够进一步W其他形态来实施。
[0223] 例如，在前述的实施方式中，在贴片电阻器1的情况下，多个电阻电路虽然示出包 括具有形成公比r(0 <r，r声1) = 2的等比级数的电阻值的多个电阻电路的示例，但该等 比级数的公比也可W为2W外的数。此外，在贴片电容器101的情况下，电容器要素虽然也 示出包括具有形成公比r(0 <r，r声1) = 2的等比级数的电容值的多个电容器要素的示 例，但该等比级数的公比也可W为2W外的数。
[0224] 此外，在贴片电阻器1、贴片电容器101中，虽然在基板2的表面形成有绝缘膜20， 但只要基板2为绝缘性的基板，也能够省去绝缘膜20。
[0225] 此外，在贴片电容器101中，虽然示出只有上部电极膜113被分割为多个电极膜部 分的构成，但也可W只有下部电极膜111被分割为多个电极膜部分，或者上部电极膜113W 及下部电极膜111双方均被分割为多个电极膜部分。进而，在前述的实施方式中，虽然示出 上部电极膜或者下部电极膜和烙丝单元被一体化的示例，但也可W由与上部电极膜或者下 部电极膜分开设置的导体膜来形成烙丝单元。此外，在前述的贴片电容器101中，虽然形成 了具有上部电极膜113W及下部电极膜111的一层电容器构造，但也可W在上部电极膜113 上隔着电容膜而层叠其他的电极膜，从而层叠有多个电容器构造。
[0226] 在贴片电容器101中，此外也可W使用导电性基板作为基板2,将该导电性基板作 为下部电极来使用，按照与导电性基板的表面相接的方式来形成电容膜112。在该情况下， 也可w从导电性基板的背面引出一个外部电极。
[0227] 此外，在将本发明适用于贴片电感器的情况下，在该贴片电感器中形成于前述的 基板2上的元件5包括含有多个电感器要素（元件要素）的电感器元件，且被连接在第1 连接电极3与第2连接电极4之间。元件5被设置在前述的多层基板的多层布线中，由布 线膜22来形成。此外，在贴片电感器中，在基板2上设置有前述的多个烙丝F，各电感器要 素相对于第1连接电极3W及第2连接电极4被连接为可经由烙丝F断开。
[022引在该情况下，在贴片