50的上部2359的顶表面具有凸形。
[0066]参见图15，去除第一存储器图案2402暴露出的部分以形成第二存储器图案2401。去除第一存储器图案2402暴露出的部分直到暴露出第一电极线2300。因而，第二存储器图案2401彼此分开。S卩，如在图16中所示，第二存储器图案2401可以独立地位于第一电极线2300和第二电极线2350的交叉点处。
[0067]因此，第二存储器图案2401被彼此间隔开，且具有岛形状。随后，第三电介质层(未不出)可以被形成为覆盖第一电极线2300、第一电介质层2200、第二存储器图案2401和第二电极线2350。第三电介质层可以将第二电极线2350彼此电绝缘且还可以将第二存储器图案2401彼此电绝缘。
[0068]已出于说明性目的公开了实施例。本领域的技术人员将理解的是，在不脱离本公开和所附的权利要求的范围和精神的情况下，可以进行各种改变、增加和删减。
[0069]通过以上实施例可以看出，本申请提供了以下的技术方案。
[0070]技术方案1.一种非易失性存储器件，包括:
[0071]多个第一电极线，包括具有凸顶表面的上部；
[0072]多个第二电极线，与所述多个第一电极线交叉；以及
[0073]多个存储器图案，被设置在所述第一电极线和所述第二电极线之间。
[0074]技术方案2.如技术方案I所述的非易失性存储器件，还包括电介质层，所述电介质层被设置在所述多个第一电极线之间，且与所述多个第一电极线的上部分开以提供边缘谷，
[0075]其中，所述存储器图案包括填充所述边缘谷的延伸接触部，以与所述第一电极线的所述上部接触。
[0076]技术方案3.如技术方案2所述的非易失性存储器件，其中，所述存储器图案具有与所述多个第二电极线平行延伸的线形状。
[0077]技术方案4.如技术方案2所述的非易失性存储器件，其中，所述存储器图案中的每个位于所述第一电极线和所述第二电极线的多个交叉点中的相应一个处，且彼此间隔开。
[0078]技术方案5.如技术方案I所述的非易失性存储器件，其中，所述多个第一电极线中的每个具有倾斜的侧壁。
[0079]技术方案6.如技术方案I所述的非易失性存储器件，其中，所述多个第一电极线中的每个具有下部和上部，以及
[0080]其中，所述下部的线宽比所述上部的线宽更小。
[0081]技术方案7.如技术方案I所述的非易失性存储器件，其中，所述多个第二电极线中的每个包括凸顶表面。
[0082]技术方案8.如技术方案I所述的非易失性存储器件，其中，所述多个第二电极线中的每个具有倾斜的侧壁。
[0083]技术方案9.如技术方案I所述的非易失性存储器件，其中，所述多个第二电极线中的每个具有下部和上部，以及
[0084]其中，所述下部的线宽比所述上部的线宽更小。
[0085]技术方案10.如技术方案I所述的非易失性存储器件，其中，所述存储器图案中的每个包括电阻转变材料。
[0086]技术方案11.如技术方案I所述的非易失性存储器件，其中，所述存储器图案中的每个包括超巨磁阻CMR材料或镨钙锰氧化物PivxCaxMn03。
[0087]技术方案12.如技术方案I所述的非易失性存储器件，其中，所述存储器图案中的每个包括二元过渡金属氧化物材料的非化学计量组成。
[0088]技术方案13.如技术方案12所述的非易失性存储器件，其中，二元过渡金属氧化物材料是氧化铌、氧化钛、氧化镍或氧化铝。
[0089]技术方案14.如技术方案I所述的非易失性存储器件，其中，所述存储器图案中的每个包括硫族化物材料。
[0090]技术方案15.如技术方案I所述的非易失性存储器件，其中，所述存储器图案中的每个包括掺杂铬Cr或铌Nb的锶钛氧化物SrT13材料、或掺杂铬Cr或铌Nb的锶锆氧化物SrZrO3 材料。
[0091]技术方案16.如技术方案I所述的非易失性存储器件，其中，所述存储器图案中的每个包括掺杂银Ag的硒化锗GeSe材料。
[0092]技术方案17.如技术方案I所述的非易失性存储器件，还包括设置在所述存储器图案和所述第一电极线或所述第二电极线之间的选择图案或隧道阻挡层。
[0093]技术方案18.如技术方案17所述的非易失性存储器件，其中，所述选择图案中的每个包括PN 二极管或隧道二极管。
[0094]技术方案19.如技术方案17所述的非易失性存储器件，其中，所述隧道阻挡层中的每个包括氧化钛T12层、氧化铪HfO2层、氧化钽Ta2O5层、氧化锆ZrO2层或氧化铝Al2O3层。
[0095]技术方案20.如技术方案I所述的非易失性存储器件，其中，所述第一电极线或所述第二电极线包括钨W材料或铜Cu材料。
【主权项】
1.一种非易失性存储器件，包括: 多个第一电极线，包括具有凸顶表面的上部； 多个第二电极线，与所述多个第一电极线交叉；以及 多个存储器图案，被设置在所述第一电极线和所述第二电极线之间。
2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括电介质层，所述电介质层被设置在所述多个第一电极线之间，且与所述多个第一电极线的上部分开以提供边缘谷， 其中，所述存储器图案包括填充所述边缘谷的延伸接触部，以与所述第一电极线的所述上部接触。
3.如权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，所述存储器图案具有与所述多个第二电极线平行延伸的线形状。
4.如权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，所述存储器图案中的每个位于所述第一电极线和所述第二电极线的多个交叉点中的相应一个处，且彼此间隔开。
5.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述多个第一电极线中的每个具有倾斜的侧壁。
6.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述多个第一电极线中的每个具有下部和上部，以及 其中，所述下部的线宽比所述上部的线宽更小。
7.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述多个第二电极线中的每个包括凸顶表面。
8.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述多个第二电极线中的每个具有倾斜的侧壁。
9.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述多个第二电极线中的每个具有下部和上部，以及 其中，所述下部的线宽比所述上部的线宽更小。
10.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述存储器图案中的每个包括电阻转变材料。
【专利摘要】一种非易失性存储器件包括多个第一电极线，多个第一电极线包括具有凸顶表面的上部。多个第二电极线被设置在多个第一电极线之上以与多个第一电极线交叉，以及多个存储器图案被设置在多个第一电极线和多个第二电极线之间。
【IPC分类】H01L27-22, H01L27-24
【公开号】CN104752455
【申请号】CN201410330676
【发明人】赵光熙
【申请人】爱思开海力士有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2014年7月11日
【公告号】US20150187842