基板托盘及包括该基板托盘的基板处理设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种用于装载基板的基板托盘以及包含该基板托盘的基板处理设备。
【背景技术】
[0002]基板处理设备被用来进行蚀刻基板的纹理化工艺、形成半导体层的工艺以及形成电极的工艺。这种基板处理设备通过使用能够装载多个基板的基板托盘来进行上述工艺。例如，用于进行薄膜沉积工艺(例如，等离子体沉积工艺)的基板处理设备可以将薄膜材料同时沉积在以固定间隔装载到基板托盘上的多个基板上。
[0003]图1示意性地示出了现有技术中的基板托盘。
[0004]参照图1，现有技术中的基板托盘10可以包括支撑框架11和支撑板12。支撑框架11形成为矩形框架，并且支撑框架11与支撑板112的边缘结合，从而形成基板托盘10的外边缘。支撑板12形成为平板形状，并与支撑框架11结合。在支撑板12上有多个以固定间隔装载的基板(S)。
[0005]现有技术中的基板托盘10具有以下问题。首先，为了实现大尺寸的基板托盘10，必须增大其中装载有多个基板(S)的支撑板12的尺寸。然而，如果增大一种构造的支撑板12的尺寸，将会过度消耗用于制造支撑板12的材料，使得支撑板12的制造成本增加。而且，不可避免地也需要增大用于制造支撑板12的设备。在这方面，增大支撑板12是有限制的。
[0006]另外，随着支撑板12制造成大尺寸，支撑板12的重量也会增加。此外，随着装载到支撑板12的基板(S)数量增加，基板(S)的总重量也会增加。当支撑板12的边缘与支撑框架11结合时，由于支撑板12和基板(S)重量的增加，远离支撑框架11的支撑板12的中心部位会下沉。相应地，在基板处理设备内部可能会发生基板(S)错位，从而产生缺陷，诸如基板拾取失败和工艺不均匀性。
【发明内容】
[0007]技术问题
[0008]相应地，本发明涉及一种基板托盘及包括该基板托盘的基板处理设备，能够基本上消除由于现有技术的局限和缺点所引起的一个或多个问题。
[0009]技术方案
[0010]在本发明的一个方面，提供一种便于实现大尺寸并防止由下沉引起的缺陷的基板托盘以及包括该基板托盘的基板处理设备。
[0011]本发明提供一种基板托盘，该基板托盘可以包括:多个带，用于支撑在第一轴方向布置的多个基板；以及支撑框架，在垂直于所述第一轴方向的第二轴方向上与所述多个带连接，其中，相对于所述第二轴方向每个所述带的长度大于所述基板的长度。
[0012]在本发明的另一个方面，提供一种基板处理设备，该基板处理设备可以包括:处理室，用于提供处理空间；承托器，可移动地设置在所述处理室中；以及基板托盘，被装载到所述处理空间并被所述承托器支撑，其中，所述基板托盘包括:多个带，用于支撑在第一轴方向布置的多个基板；以及支撑框架，在垂直于所述第一轴方向的第二轴方向上与所述多个带连接，其中，相对于所述第二轴方向每个所述带的长度大于所述基板的长度。
[0013]在本发明的另一个方面，提供一种基板处理设备，该基板处理设备可以包括:处理室，用于提供处理空间；承托器，可移动地设置在所述处理室中；以及基板托盘，被装载到所述处理空间并被所述承托器支撑，其中，所述基板托盘包括:多个带，用于支撑在第一轴方向布置的多个基板；以及支撑框架，在垂直于所述第一轴方向的第二轴方向上与所述多个带连接，其中，相对于所述第二轴方向每个所述带的长度等于所述基板的长度。
[0014]技术效果
[0015]本发明具有以下技术效果。
[0016]根据本发明，由于通过使用多个带支撑多个基板，因此易于通过增加带的数量实现大尺寸基板托盘，借此能够做到同时进行数量增加了的基板的基板处理，从而提高产量。
[0017]另外，通过使用多个带支撑多个基板，以及通过张力维持构件的弹性件恒定地维持带的张力，借此能够做到防止每个带下沉，从而防止产生工艺缺陷，如基板拾取失败和工艺的不均匀性等。
【附图说明】
[0018]图1不意性地不出了现有技术的基板托盘；
[0019]图2示出了本发明所述的基板托盘；
[0020]图3为分解透视图，示出了如图2所示的基板托盘的支撑框架；
[0021]图4到图6示出了带中突出部的多种实施例；
[0022]图7示出了带的另一个实施例；
[0023]图8到图11示出了张力维持单元与连接部的多种实施例；
[0024]图12示出了张力维持单元的操作过程；
[0025]图13示出了安装单元与固定部的一个实施例；
[0026]图14为剖视图，示出了图13中的安装单元；
[0027]图15示出了安装单元与固定部的另外一个实施例；
[0028]图16为剖视图，示出了图15中的第二安装单元；以及
[0029]图17和图18不出了本发明所述的基板处理设备。
【具体实施方式】
[0030]将参考本发明的典型实施例进行详细描述，这些实施例在附图中被示出。在任何可能的情况下，所有附图中相同或相似的部分使用相同的附图标记。
[0031]本发明所述的基板托盘I起到的作用是用于支撑待处理的多个基板(S)并将它们装载到基板处理设备内部。这里，可以对基板(S)进行基板处理，例如，沉积工艺、刻蚀工艺、清洗工艺等。
[0032]参照图2，本发明所述的基板托盘I可以包括:多个带3，用于支撑在第一轴方向(X坐标轴方向)布置的多个基板(S);以及支撑框架2，该支撑框架2与在第二轴方向(Y坐标轴方向，垂直于第一轴方向)的多个带3结合。关于第二轴方向(Y坐标轴方向)，每个带3的长度相对地大于基板(S)的长度。
[0033]带3支撑多个基板(S)。带3支撑在第一轴方向(X坐标轴方向)布置的多个基板(S)。也就是说，多个基板(S)布置在带3上的第一轴方向(X坐标轴方向)，并被带3支撑。
[0034]每个带3以宽度较短的带状形成。在每个带3中，第一轴方向(X坐标轴方向)的长度大于第二轴方向(Y坐标轴方向)的长度。
[0035]关于第二轴方向(Y坐标轴方向)，每个带3的长度大于基板(S)的长度。在第二轴方向(Y坐标轴方向)，与基板(S)的长度相比，多个带3的长度更大。也就是说，多个带3的宽度大于基板(S)的宽度。相应地，基板(S)的整个背面处于与多个带3接触的状态。也就是说，基板(S)的背面没有不与多个带3接触的区域。
[0036]支撑框架2可以与多个带3结合。当沿着第二轴方向(Y坐标轴方向)布置多个带3时，多个带3与支撑框架2结合。支撑框架2以具有开口的矩形框架形状形成。在支撑框架2的开口内布置多个带3。最终，支撑框架2支撑多个带3，并同时形成基板托盘I的外边缘。
[0037]本发明所述的基板托盘I可以具有以下效果。
[0038]第一，为了增大本发明所述的基板托盘I的尺寸，增加带3的数量，而不是增大每个带3的尺寸。为了得到本发明所述的基板托盘I的增大的尺寸，增加带3的数量，而不用额外制造大尺寸的带3。也就是说，在第二轴方向(Y坐标轴方向)额外地布置带3以增大基板托盘I的整体尺寸。相应地，这促进增大本发明所述的基板托盘I的尺寸。本发明所述的大尺寸基板托盘I能够实现用于增加数量的基板(S)的基板处理，而且提高基板(S)的产量。
[0039]第二，尽管增加带3的数量以增大本发明所述的基板托盘的尺寸，但每个带3的尺寸保持相等，所以每个带3的重量没有增加。因此，能够做到防止每个带3由于自身重量引起的下沉，从而避免拾取失败和工艺的不一致性等缺陷，而且提高基板(S)的产量。
[0040]第三，基板(S)的背面处于与所有带3全面接触的状态，使得能够做到防止反应原料渗透入带3之间的间隙，并防止与基板(S)的背面发生反应。也就是说，能够做到防止反应原料与除了待工艺处理的基板的预定部分之外的其他部分反应。相应地，通过防止与除了待工艺处理的基板的预定部分之外的其他部分反应，能够做到极大降低反应原料的消耗，进而改善关于基板(S)的工艺效率。
[0041]第四，基板(S)的背面与所有的带3保持全面接触的状态，使得能够做到在整个基板(S)上恒定地维持热导系数。也就是说，工艺中恒定地维持传递到基板(S)的热量使得即使工艺结束之后也能防止基板(S)褪色，从而改善基板(S)质量。
[0042]在下文中，将参考附图详细描述本发明的实施例所述的支撑框架2和多个带3。
[0043]参照图2和图3，支撑框架2以具有开口的矩形框架形状形成，从而支撑多个带3。为了达到这个目的，支撑框架2可以包括第一到第四框架构件21、22、