室盖130下方，与穿透室盖130的气体供应管161连接。气体分配装置160将从外部气体供应装置(未示出)供应的气体(例如，工艺气体、清洁气体或用于沉积的源气体)散布到承托器120上。为了达到这个目的，气体分配装置160可以包括:气体扩散空间(未示出)，该气体扩散空间用于扩散从气体供应管161供应的气体；以及多个气体分配孔洞(未示出)，多个气体分配孔洞与气体扩散空间连通，以便均匀地将气体散布到承托器120的整个区域。
[0134]同时，如果基板处理设备通过使用在处理空间形成的等离子体进行基板处理，气体分配装置160可以与在外部设置的等离子体电源供应装置(未示出)电连接，或者通过气体供应管161与该等离子体电源供应装置电连接。在这种情况下，气体分配装置160充当等离子体电极。
[0135]本发明所述的基板处理设备可以进一步包括覆盖框架170，该覆盖框架170设置在处理室110的内侧壁上，以便覆盖基板托盘I的上边缘。
[0136]覆盖框架170覆盖被提升至处理位置的基板托盘I的上边缘，从而防止用于基板处理的基板托盘I内产生集碳。覆盖框架170可以由绝缘材料形成，例如，陶瓷材料或包括陶瓷材料的非金属材料。
[0137]下面将描述本发明所述的利用基板处理设备的基板处理方法。
[0138]首先，如图17所示，将基板托盘I和被对齐装载到多个带3上的多个基板(S)装载到处理室110的内部，然后放置到托盘转移装置140的托盘传送辊141上。
[0139]然后，如图18所示，通过驱动升降轴驱动装置来升高承托器120，借此将被装载到基板托盘I的多个基板(S)安置在处理位置。
[0140]在升高承托器120期间或每个基板(S)到达处理位置之后，承托器120内部设置的加热装置121被驱动，以便加热承托器120，借此将被装载到基板托盘I上的多个基板
(S)加热到适于基板处理的温度。
[0141]在加热基板(S)的过程期间，通过承托器120的温度或处理空间的温度可以使基板托盘I的所有带3膨胀，借此可以增加每个带3的长度。因此，在弹性件42的弹力之下，滑动支架41可以朝远离第三框架构件23的方向滑动，借此可以朝远离第三框架构件23的方向牵引连接部34。相应地，在弹性件42的弹力之下，通过滑动支架133的滑动来恒定地维持每个带3中的张力，使得能够做到防止由于带3的热膨胀引起的每个带3下沉，从而防止产生工艺缺陷。
[0142]然后，当将多个基板(S)安置在处理位置时，通过气体分配装置160将气体分配到每个基板(S)，从而进行基板处理。基板处理可以是形成等离子体的工艺，即通过从气体分配装置160供应气体以及供应等离子体电源而在基板(S)与气体分配装置160之间的空间形成等离子体的工艺，但不限于形成等离子体的工艺。基板处理可以是沉积工艺、蚀刻工艺或清洗工艺。
[0143]基板处理完成之后，承托器120向下移动，借此将放置在承托器120上的基板托盘I放置到托盘传送辊141上。
[0144]然后，在托盘传送辊141的驱动之下，将基板托盘I从处理室110卸下至外部。在这种情况下，从处理室110卸下的基板托盘I的每个带3由于处理室110外部的环境温度而收缩，借此在每个带3中的热收缩和弹性件42的压缩之下，与每个带3连接的滑动支架41朝邻近于第三框架构件23的方向滑动。
[0145]对本领域的技术人员来说，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以进行各种修改和变型，这一点是显而易见的。因此，本发明覆盖落入附加权利要求和其等同物的范围内的修改和变型。
【主权项】
1.一种基板托盘，包括: 多个带，用于支撑在第一轴方向上布置的多个基板；以及 支撑框架，在垂直于所述第一轴方向的第二轴方向上与所述带连接， 其中，相对于所述第二轴方向，所述带的每一个的长度大于所述基板的长度。2.如权利要求1所述的基板托盘，其中，所述带在所述第二轴方向上以固定间隔设置，并与所述支撑框架连接。3.如权利要求1所述的基板托盘，进一步包括传热部，该传热部穿透所述带以将热量从所述带的下侧传递到在所述带上支撑的所述基板。4.如权利要求3所述的基板托盘，其中，所述传热部以预定尺寸形成，该预定尺寸相对地小于所述基板的尺寸，以便稳定地支撑所述带上的所述基板，所述多个传热部以固定间隔设置在所述带中。5.如权利要求1所述的基板托盘，其中，所述带包括:支撑表面，用于支撑所述基板；以及从所述支撑表面突出的多个突出部，且所述多个突出部与在所述支撑表面上支撑的所述基板的每个边相接触。6.如权利要求1所述的基板托盘，其中，所述带包括:支撑表面，用于支撑各个所述基板；以及从所述支撑表面突出的多个突出部，且所述多个突出部沿所述支撑表面上支撑的所述基板的每个边以预定间隔设置。7.如权利要求5或6所述的基板托盘，其中，所述支撑表面与所述突出部形成为一体。8.如权利要求5或6所述的基板托盘，其中，所述突出部是通过使所述支撑表面弯曲形成的。9.如权利要求1所述的基板托盘，进一步包括多个张力维持单元，用于维持每个所述带中的张力， 其中，每个所述带包括与所述张力维持单元连接的连接部，并且 其中，每个所述张力维持单元包括与所述连接部连接的滑动支架，以及安置于所述滑动支架与所述支撑框架之间的弹性件。10.如权利要求9所述的基板托盘，其中，每个所述带包括多个所述连接部，并且每个所述滑动支架与多个所述连接部连接。11.如权利要求9所述的基板托盘，进一步包括至少一个安装单元，用于在所述支撑框架上安装各个所述带， 其中，每个带包括用于支撑所述基板的支撑表面和与所述安装单元连接的固定部，并且所述连接部与所述固定部设置在相对于所述支撑表面的相对的两侧上。12.如权利要求1所述的基板托盘，进一步包括至少一个安装单元，用于在所述支撑框架上安装各个所述带， 其中，每个带包括与所述安装单元连接的固定部，并且所述安装单元包括用于接收所述固定部的接收部，其中，所述接收部的尺寸大于所述固定部的尺寸。13.如权利要求1所述的基板托盘，进一步包括至少一个安装单元，用于在所述支撑框架上安装各个所述带， 其中，每个带包括与所述安装单元连接的固定部，并且所述安装单元包括用于限制所述固定部运动的限制部。14.一种基板托盘，包括: 多个带，用于支撑在第一轴方向上布置的多个基板；以及 支撑框架，在垂直于所述第一轴方向的第二轴方向上与所述多个带连接， 其中，相对于所述第二轴方向，所述多个带的每一个的长度等于所述基板的长度。15.—种基板处理设备，包括: 处理室，用于提供处理空间； 承托器，所述承托器可移动地设置在所述处理室中；以及 基板托盘，所述基板托盘被装载到所述处理空间并被所述承托器支撑， 其中，所述基板托盘包括: 多个带，用于支撑在第一轴方向上布置的多个基板；以及 支撑框架，在垂直于所述第一轴方向的第二轴方向上与所述多个带连接， 其中，相对于所述第二轴方向，所述多个带的每一个的长度大于所述基板的长度。16.—种基板处理设备，包括: 处理室，用于提供处理空间； 承托器，所述承托器可移动地设置在所述处理室中；以及 基板托盘，所述基板托盘被装载到所述处理空间并被所述承托器支撑， 其中，所述基板托盘包括: 多个带，用于支撑在第一轴方向上布置的多个基板；以及 支撑框架，在垂直于所述第一轴方向的第二轴方向上与所述多个带连接， 其中，相对于所述第二轴方向，所述多个带的每一个的长度等于所述基板的长度。17.如权利要求15或16所述的基板处理设备，其中，所述基板托盘包括在所述支撑框架中的向所述带突出的多个突出件，所述承托器将所述多个突出件上下移动以上下移动所述基板托盘。18.如权利要求15或16所述的基板处理设备，其中，所述基板托盘包括传递部，所述传递部穿透所述带以将从所述承托器发出的热量传递到在所述带上支撑的所述基板。
【专利摘要】本发明公开了一种便于实现大尺寸和防止由下沉引起的缺陷的基板托盘以及包括该基板托盘的基板处理设备，其中基板托盘可以包括：多个带，用于支撑在第一轴方向布置的多个基板；以及支撑框架，在垂直于所述第一轴方向的第二轴方向上与所述带连接，其中，相对于所述第二轴方向每个所述带的长度大于所述基板的长度。
【IPC分类】B65D85/86, B65D85/38, H01L21/673
【公开号】CN104937707
【申请号】CN201380058399
【发明人】赵晟佑, 金钟寅, 朴慈日, 李基哲, 崔钟龙
【申请人】周星工程股份有限公司
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2013年11月5日
【公告号】US20150279619, WO2014073831A1