半导体晶片保护用粘接带的制作方法【
技术领域：
】[0001]本发明涉及气体蚀刻工序及等离子体切割工序中使用的半导体晶片保护用粘接带。【
背景技术：
】[0002]半导体晶片在表面形成电路后，进行对晶片的背面侧实施研磨加工来调整晶片的厚度的背面研磨工序以及将晶片单片化为规定的芯片尺寸的切割工序。[0003]近年来，IC卡的普及、USB存储器的急剧的容量提升正在推进，随着叠加芯片的片数的增加，希望进一步薄型化。由此，就需要将现有厚度为200μm~350μm左右的半导体芯片减薄到厚度为50~100μm或其以下。[0004]另一方面，为了提高性能，将芯片层叠起来的必要性逐渐提高，因此推进了芯片的薄膜化，然而与之相伴，芯片的使用量也增加，所以希望增加能通过一次加工制造的芯片。与此相对，晶片的大口径化正在推进，目前以12英寸（300mm)晶片为中心进行加工。但是，为了进一步提高芯片的加工效率，也正在研究18英寸（450mm)晶片的加工。[0005]图3(a)、（b)表示小直径的半导体晶片21或大直径的半导体晶片31中的芯片的配置图。如图3(a)所示那样，在将芯片23以棋盘格状排列的芯片配置中，可以进行现有的借助切割刀的切割。但是，在300mm以上的晶片直径中，在对存储器类器件等大尺寸的芯片写入布线的情况下，当对晶片表面进行布线图案时，不能使用的区域就会增加，经常产生不能作为产品使用的芯片。于是为了提高芯片的产量，如图3(b)所示，逐渐变为在半导体晶片31的外周部紧密地配置芯片33的方式。由于从此前的将芯片等间隔地配置的方式（图3(a))变为芯片不是等方向而是朝向各种方向被配置的方式（图3(b))，因此划线（切割线）并非直线，借助刀片的直线式的切割变得困难。[0006]针对上述的问题，如果使用激光等则在直线以外的情况下也可以切割，从而提出了如下的所谓隐形切割法，即，在将激光向半导体晶片内部照射而选择性地形成改性部的同时形成切割线，并以改性部为起点切断半导体晶片（专利文献1)。但是，借助激光的芯片的截断由于会对芯片造成损伤，所以存在着芯片的抗弯强度无法提高的问题。[0007]针对上述的问题提出过等离子体切割的方法（专利文献2)。等离子体切割是通过将未被掩模覆盖的部位用等离子体选择性地蚀刻而将半导体晶片分割的方法。当使用该切割方法时，可以选择性地进行芯片的截断，是即使划线弯曲也可以没有问题地截断的方法。另外，由于蚀刻率非常高，因此近年来被视为最适于芯片的截断的加工之一。但是，在等离子体切割中，将六氟化硫（SF6)或四氟化碳（CF4)等与晶片的反应性非常高的氟系的气体作为等离子体发生用气体使用，由于其高蚀刻率，因此必须对不蚀刻的面进行借助掩模的保护，必须事先利用抗蚀剂或胶带进行掩模处理。另外，由于在等离子体蚀刻后处于残留有该膜的状态，因此为了除去抗蚀剂，要使用大量的溶剂，在不能除去抗蚀剂的情况下，就会变成残胶而形成不良芯片，由于各种问题没有得到解决，因此现实状况是还没有普及。[0008]另外，在等离子体切割法中，晶片暴露于等离子体中并发热而达到高温，产生半导体晶片保护用粘接带热老化的问题。热老化后的半导体晶片保护用粘接带会在被粘附体上残留附着粘接剂、或丧失剥离性能，从而失去半导体晶片保护用粘接带的作用。[0009]另一方面，近年来，提出如下的新的加工方法，即为，在基于前述的隐形切割法的加工后，将抑制对晶片赋予的能量，并控制蚀刻率的气体团簇蚀刻法进行组合的加工方法。所谓气体团簇蚀刻，是通过朝向真空环境吹送气体而形成气体分子的团簇，并使其与晶片碰撞而进行晶片的处理的方法（专利文献3)。与晶片碰撞的团簇对晶片赋予动能后，被分解成气体分子而飞散。由此，能蚀刻晶片表面。通过在基于隐形切割法的加工后实施该蚀刻处理而除去基于激光的改性部，能期待抗弯强度的提高。另外，在气体团簇蚀刻法中，作为反应性气体，使用三氟化氯（ClF3)气体，由于Cl-F的键合非常小，因此不需要像四氟化碳（CF4)等的等离子体发生用气体那样事先使之离子化，所以对基板的损伤极小，从而不需要基于掩模的保护，可以简便地进行芯片的截断加工。[0010]在使用了气体团簇蚀刻法等的气体蚀刻工序中，与等离子体切割工序相同，在进行晶片加工时，因晶片与气体分子的化学反应而伴随着发热。该发热有时会超过200°C，在这种伴随着发热的加工方法中，需要防止基材膜因热而与保持半导体晶片保护用胶带的夹盘台（chucktable)恪接、或因基材膜收缩而损伤半导体晶片。[0011]现有技术文献[0012]专利文献[0013]专利文献1:日本特开2003-33887号公报；[0014]专利文献2:日本特开2007-19386号公报；[0015]专利文献3:日本特开2011-171584号公报。【
发明内容】[0016]本发明所要解决的技术问题[0017]本发明的目的在于，提供一种即使在气体蚀刻工序、等离子体切割工序中暴露于高热下，也不会与夹盘台熔接、或过度地收缩的具有耐热性和耐热收缩性的半导体晶片保护用粘接带。[0018]用于解决技术问题的技术方案[0019]为了达成前述的目的，提供以下的发明。[0020]-种半导体晶片保护用粘接带，其特征在于，[0021]具有基材膜和形成于所述基材膜的一面的粘接剂层，[0022]所述基材膜在未形成所述粘接剂层的一侧的最外层具有含有已固化的树脂的流延膜层，在将使直径3.Omm的SUS304制的探针接触测定试样时的速度设为30mm/min、将接触载荷设为100gf、将接触时间设为1秒的条件下，根据将探针以600mm/min的剥离速度向上方拉剥时的、通过探针粘性测定出的所述流延膜层的粘性力的峰值在200°C为IOOkPa以下。[0023](2)根据⑴中记载的半导体晶片保护用粘接带，其特征在于，所述基材膜仅由流延膜层构成。[0024](3)根据⑴或⑵中记载的半导体晶片保护用粘接带，其特征在于，所述流延膜层含有已固化的丙烯酸系共聚物或聚酯树脂。[0025](4)根据⑴~⑶中任一项记载的半导体晶片保护用粘接带，其特征在于，所述流延膜层由通过固化剂或放射线固化的丙烯酸系共聚物构成。[0026](5)根据（1)~（4)中任一项记载的半导体晶片保护用粘接带，其特征在于，断裂强度为〇.5N/mm以上，断裂伸长率为200%以上。[0027](6)根据（1)~（5)中任一项记载的半导体晶片保护用粘接带，其特征在于，在将使直径3.Omm的SUS304制的探针接触测定试样时的速度设为30mm/min、将接触载荷设为100gf、将接触时间设为1秒的条件下，根据将探针以600mm/min的剥离速度向上方拉剥时的、通过探针粘性测定出的所述粘接剂层的粘性力的峰值在25°C为50~400kPa。[0028]发明的效果[0029]根据本发明，能提供一种即使在气体蚀刻工序、等离子体切割工序中暴露于高热下，也不会与夹盘台熔接、或过度地收缩的具有耐热性和耐热收缩性的半导体晶片保护用粘接带。【附图说明】[0030]图I(a)是表示本实施方式所涉及的半导体晶片保护用粘接带1的剖面图，（b)是表示本实施方式所涉及的半导体晶片保护用粘接带Ia的剖面图。[0031]图2是说明使用了本实施方式所涉及的半导体晶片保护用粘接带1的气体蚀刻工序的图。[0032]图3(a)是小直径的半导体晶片中的芯片的配置图，（b)是大直径的半导体晶片中的芯片的配置图。【具体实施方式】[0033]以下，基于附图对本发明的实施方式进行详细说明。[0034]图I(a)是表示本实施方式所涉及的半导体晶片保护用粘接带1的剖面图，图I(b)是表示本实施方式所涉及的半导体晶片保当前第1页1 2 3 4