能量线固化性 粘接剂组合物A。
[0104] <实施例1 >
[0105] 在层叠了流延膜A与树脂膜A的薄膜的树脂膜A侧涂敷所制备出的粘接剂组合物 A并干燥，制成半导体晶片保护用粘接带。
[0106] <实施例2 >
[0107] 在流延膜B上涂敷粘接剂组合物A并干燥，制成半导体晶片保护用粘接带。
[0108] <比较例1>
[0109] 在树脂膜A上涂敷粘接剂组合物A并干燥，制成半导体晶片保护用粘接带。
[0110] <比较例2>
[0111] 在树脂膜B上涂敷粘接剂组合物A并干燥，制成半导体晶片保护用粘接带。
[0112] 〔半导体晶片保护用粘接带的物性和评价〕
[0113] (1)粘性力的测定
[0114] 使用株式会社RHESCA的粘性力试验机TAC - II进行。测定模式使用了如下的 Constant Load(定载），即，推压探针直至所设定的加压值，在经过所设定的时间之前以保 持加压值的方式控制并持续。剥离隔膜后，将没有形成粘接剂层的一侧朝上地将基材膜放 置在载板上，从上侧使直径3. Omm的SUS304制的探针与之接触。使探针与测定试样接触时 的速度为30mm/min，接触载荷为100gf，接触时间为1秒。其后，将探针以600mm/min的剥 离速度向上方拉剥，测定拉剥时所需的力，将其峰值作为粘性力。与想要测定粘性力的温度 相匹配，例如对于200°C的粘性力，将探针及载板温度设为200°C。
[0115] (2)气体蚀刻工序中的评价
[0116] 在直径6英寸厚100 μ m的镜面晶片上，贴合半导体晶片加工用粘接带，从晶片面 以IOmm见方切割（向基材中的切入深度为20 μ m) 6英寸晶片后，在真空室内，使半导体晶 片加工用粘接带吸附在夹盘台上，进行30秒的ClF3的气体蚀刻。而且，此时通过在夹盘台 内流过70°C的温水，进行半导体晶片加工用粘接带及晶片的冷却。本工序之后进行了是否 可以从夹盘台容易地剥离粘接带的评价。
[0117] 表中的〇、X表示以下的意思。
[0118] "〇"···在气体蚀刻工序后，能将粘接带从夹盘台容易地剥离。
[0119] "X"· ··在气体蚀刻工序后，不能将粘接带从夹盘台容易地剥离，或粘接带断裂、 熔融。
[0120] (3)芯片的位移评价
[0121] 对气体蚀刻评价中可以加工、且胶带可以从夹盘台中剥离的样品，通过光学显微 镜，各在5个部位对于由切割形成的芯片间隔在气体蚀刻工序中是否偏移进行了确认。例 如，在相对由切割形成的切入宽度25 μm，气体蚀刻工序后的芯片间的间隔为22 μm的情况 下，偏移为3 μπι。将所有的部位中偏移都为±1 μπι以内的作为◎，另外，将所有的部位中偏 移都为±2. 5 μπι以内的作为〇，将5个部位中即使1个部位的偏移为±2. 5 μπι以上的作 为X 〇
[0122] (4)断裂强度、断裂伸长率
[0123] 将粘接带以1号哑铃形状（JIS K 6301)打穿而制成试验片，使用拉伸试验装置 (JIS B 7721)进行测定。在试验片中划出40_的标线后，使用拉伸试验机测定出标线间切 断时的载荷（拉伸强度）和伸长率。其中，拉伸速度设为300mm/min。
[0124] [表 1]
[0125]
[0126] 如表1所示，实施例1~2的半导体晶片保护用粘接带，由于未形成粘接剂层的一 侧为流延膜层A~B，最外层的粘性力在200°C也为IOOkPa以下，所以在气体蚀刻工序中不 存在粘接带的基材膜与夹盘台熔接的情况。
[0127] 特别是，实施例2由于基材膜仅为流延膜，所以即使受到加热也较少收缩，在气体 蚀刻工序中芯片的位移更少。
[0128] 比较例1由于基材膜的未形成粘接剂的一侧的最外层为树脂膜A，所以在气体蚀 刻工序中粘接带的基材膜与夹盘台熔接。在气体蚀刻工序后难以将基材膜从夹盘台中剥 除。
[0129] 比较例2虽然基材膜的未形成粘接剂的一侧的最外层的粘性力在200°C也为 IOOkPa以下，但是受蚀刻工序中加热的影响，因薄膜成型时的残留应力而收缩，粘接带从夹 盘台中浮起，未被夹盘台冷却，所以观察到晶片的变色或粘接剂的劣化。
[0130] 以上边参照附图，边对本发明的优选的实施方式进行了说明，但是本发明并不限 定于这些例子。显而易见，只要是本领域技术人员，就可以在本申请公开的技术思想的范畴 内想到各种变形例或改进例，可以领会，它们也当然属于本发明的技术范围。
[0131] [符号的说明]
[0132] Ula.........半导体晶片保护用粘接带
[0133] 3.........基材膜
[0134] 5.........粘接剂层
[0135] 7.........流延膜层
[0136] 9.........树脂膜层
[0137] 11.........芯片
[0138] 13.........蚀刻气体
[0139] 15.........环形框架
[0140] 17.........夹盘台
[0141] 21.........半导体晶片
[0142] 23.........芯片
[0143] 31.........半导体晶片
[0144] 33.........芯片
【主权项】
1. 一种半导体晶片保护用粘接带，其特征在于， 具有基材膜和形成于所述基材膜的一面的粘接剂层， 所述基材膜在未形成所述粘接剂层的一侧的最外层具有含有已固化的树脂的流延膜 层， 在将使直径3. Omm的SUS304制的探针接触测定试样时的速度设为30mm/min、将接触载 荷设为100gf、将接触时间设为1秒的条件下，根据将探针以600mm/min的剥离速度向上方 拉剥时的、通过探针粘性测定出的所述流延膜层的粘性力的峰值在200°C为IOOkPa以下。2. 根据权利要求1所述的半导体晶片保护用粘接带，其特征在于， 所述基材膜仅由流延膜层构成。3. 根据权利要求1或2所述的半导体晶片保护用粘接带，其特征在于， 所述流延膜层含有已固化的丙烯酸系共聚物或聚酯树脂。4. 根据权利要求1~3中任一项所述的半导体晶片保护用粘接带，其特征在于， 所述流延膜层由通过固化剂或放射线固化的丙烯酸系共聚物构成。5. 根据权利要求1~4中任一项所述的半导体晶片保护用粘接带，其特征在于， 断裂强度为0. 5N/mm以上，断裂伸长率为200%以上。6. 根据权利要求1~5中任一项所述的半导体晶片保护用粘接带，其特征在于， 在将使直径3. Omm的SUS304制的探针接触测定试样时的速度设为30mm/min、将接触载 荷设为100gf、将接触时间设为1秒的条件下，根据将探针以600mm/min的剥离速度向上方 拉剥时的、通过探针粘性测定出的所述粘接剂层的粘性力的峰值在25°C为50~400kPa。
【专利摘要】本发明提供一种即使在气体蚀刻工序或等离子体切割工序中暴露于高热下，也不会有与夹盘台熔接或过度地收缩的情况，并且具有耐热性和耐热收缩性的半导体晶片保护用粘接带。本发明使用如下的半导体晶片保护用粘接带(1)，其特征在于，具有基材膜(3)和形成于基材膜(3)的一面的粘接剂层(5)，基材膜(3)在未形成粘接剂层(5)的一侧的最外层具有含有已固化的树脂的流延膜层(7)，流延膜层(7)的粘性力在200℃为100kPa以下。另外，也可以使用基材膜仅由流延膜层(7)构成的半导体晶片保护用粘接带(1a)。
【IPC分类】C09J7/02, H01L21/301
【公开号】CN105103273
【申请号】CN201480009464
【发明人】大仓雅人
【申请人】古河电气工业株式会社
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2014年4月23日
【公告号】WO2014175321A1