接器810,另一端通过一个或多个框架连接器808连接至框架804。如此 处所图示，第=边界824和第四边界826在每一边界上与两个微致动器806连接。运些微 致动器806可W帮助调整精细金属掩模802的对准。第一边界820和第二边界822通过形 成在连接板805中的掩模连接器810连接至框架804的框架连接器808。此处图示，在第一 边界820和第二边界822的每一边界上，有六个微致动器806连接精细金属掩模802。因 此，位于第一边界820和第二边界822上的微致动器806可W调整精细金属掩模802的位 置和拉伸精细金属掩模802。操作时，可W使用一个或多个对准标记814来确定精细金属掩 模802的位置和方向。在沉积之前，微致动器806可W基于已被检测到的对准标记814使 用已确定的精细金属掩模802的位置，W在必要时随后调整精细金属掩模802的位置，并拉 伸精细金属掩模802。
[0053] 精细金属掩模802可W包含一条或多条条带828。条带828是精细金属掩模802 的可独立运动部分，此处图示成=条矩形条带828。若从框架804开始描述，如图8所图示 的定位，精细金属掩模802的条带828可W按照经线方向（long;Uudinally)或缔线方向 (lat;Uudinally)来加W定位，W在相对应的方向进行调整和拉伸。此处所图示的条带828 是按照经线方向来加W定位。此外，条带828可W彼此独立地被调整、拉伸或重新定向，W 使每一个条带828之下的沉积外观（(^positionprofile)可W被彼此独立地加W修正。在 一个例子中，条带828基于沉积喷头（depositionhead)的位置，只对准目前沉积区域的上 方。此处所图示的条带828仅用来例示可能的实施方式，并非用来限制本发明。在另一些例 子中，条带828可W有不同的形状及尺寸，或者W它们可W被朝任何方向拉伸的方式定位。
[0054] 条带828之间的缺口（gaps)可W被挡片化lockingpieces)813a和813b覆盖。 挡片813a和813b可由和精细金属掩模802相同的材料所构成。挡片813a和813b具有容 许挡片防止源108通过条带828之间的缺口沉积在基板102上的尺寸，同时不会干扰其他 的沉积，或因为接触而损伤基板102。虽然此处图示两个挡片813a和813b，但随着条带828 数目的增加或减少或使用者的需求，可W有更多或更少的挡片。 阳化5] 图9是根据另一个实施方式所图示的掩模组件900。掩模组件900包括精细金属 掩模902和框架904。如前所述，精细金属掩模902具有图案906、一条或多条沟道908W及多个形成在其中的掩模开口 914。形成在精细金属掩模902中，位于图案906和一个或多 个连接板912之间的，是一个或多个长孔结构920。长孔结构920可执行与参考图6所描 述之长孔结构620基本相似的功能。多个微致动器918可通过连接板905和精细金属掩模 902连接。
[0056] 精细金属掩模902更包括多个连接臂922。每一个连接臂922形成在相邻的连接 板912之间。连接臂922可W大致呈如图所示的L型，或包含其他形状，W使连接臂922至 少和相邻的两个连接板912接触。在一个实施方式中，连接板912和连接臂922包含单一的 材料片（unitarypieceofmaterial)。连接臂922具有至少一个运动控制结构924。运 动控制结构924减少连接板912在两个方向的活动，所述两个方向是跟随着所连接的微致 动器918施加力的方向。
[0057] 运动控制结构924包含多个活动狭缝925。活动狭缝925是相邻两个侧壁之间的间 隔，可W创造出空间让其它固定连接臂922活动。因此，当精细金属掩模902只能移动由活 动狭缝925的宽度所产生的距离时，活动狭缝925控制了活动的方向和活动的距离。另外， 活动狭缝925在连接臂922中所创造出空间，所述空间容许连接臂922的每一侧边在两个 方向运动，而无需断开（withoutdisconnecting)。凹口 926防止在不希望的（undesired) 方向的力将连接臂922相邻的部份分离。插入孔927可W接受插入物（未图示），诸如螺 丝、销或其他物体。当运些物体被置入插入孔927时，将可阻止被运动控制结构924所允许 的移动。
[0058] 微致动器918被认为可同步地提供力至精细金属掩模902,运改变了力的方向，并 且可能在精细金属掩模902上造成剪切效应（shearingeffect)或其他损伤。通过使用运 动控制结构924在两个方向限制微致动器918所造成的运动，可防止累积的剪切效应或其 他与张力相关的损伤。
[0059] 多个框架开口 916形成在框架904之中。微致动器918可W通过多个框架开口 916连接至框架904,并且通过多个掩模开口 914连接至精细金属掩模902。因此，框架904 可W使用多个微致动器918与精细金属掩模902 (至少一部分）连接。此处图示的框架904 和精细金属掩模902使用位于每一个掩模开口 914上及位于每一个框架开口 916上的单个 微致动器918来连接。虽然每一个连接只图示单个微致动器918,但所使用的微致动器918 的数量和位置并没有限制。
[0060] 与框架904连接的是多个微调致动器（fineadjustmentaerators) 928。微调 致动器928各具有多个磁体929,可W连接至基板支撑件（未图示）。运些多个磁体929可 W是能附接铁磁性物质的任何形式磁体。微调致动器928接着使用检测器930来控制框架 904和精细金属掩模902与基板支撑件起的距离。
[0061] 图10是根据一个实施方式所图示的一种调整精细金属掩模的方法1000的方块 图。先前所述的主动对准精细金属掩模可W被置入工艺腔室，并与基板连接。基于溫度、沉 积喷头的位置和其他因素，至少有一部分的精细金属掩模可W被对准或拉伸。当精细金属 掩模被适当地对准或拉伸时，精细金属掩模可W被定位W与要进行沉积的基板连接。
[0062] 方法1000包含将基板定位于工艺腔室中，所述工艺腔室具有设置于其中的精细 金属掩模，所述精细金属掩模包括图案W及一个或多个对准标记，如步骤1002所示。基板 可W是如参考图IA和图IB所描述的基板。具有图案及对准标记的精细金属掩模，可W是 如参考图IB至图9所描述的精细金属掩模，所述精细金属掩模包含本文所述的特点或特征 的组合。
[0063] 方法1000进一步包括使用一个或多个对准标记来确定精细金属掩模的至少一部 分相对于基板的对准，如步骤1004所示。对准标记可W被定位在精细金属掩模表面的不同 位置上，诸如在沟道中和在连接板中，如图IB至图9所图示。接着，使用光学系统确定对准 标记相较于工艺腔室中设定点（诸如基板）的位置。然后，从对准标记已确定的位置推算 (extrapolate)出精细金属掩模相对于基板的位置。
[0064] 此方法1000进一步包括响应于所述确定步骤而改变精细金属掩模之至少一部分 的对准，如步骤1006所示。使用精细金属掩模已确定的位置来拉伸或调整精细金属掩模， W使目前正用来进行沉积的精细金属掩模之至少一部分对准基板。在一个实施方式中，整 个精细金属掩模被定位来对准基板。在另一个实施方式中，精细金属掩模的特定条带被对 准，而没对准掩模的其他构件。
[0065] 当精细金属掩模被对准时，精细金属掩模可W被定位来连接基板，W使沉积喷头 可W通过掩模对基板进行沉积。此时，精细金属掩模可W被重新对准W进行沉积的下一个 部份，直到沉积工艺完成为止。
[0066] 改变精细金属掩模的对准，如前所述，并不需要对整个精细金属掩模进行调整。在 一个实施方式中，整个精细金属掩模系基于对准标记的已确定位置进行对准，使图案的所 有部份在基板相对部份的上方被正确地定位并调整。之后，源可W通过精细金属掩模的每 个部份，W预定的顺序（可W是依次地）进行沉积。
[0067] 在另一个实施方式中，精细金属掩模的对准是在特定区域中进行调整，诸如在图 IB至图9的图案中九个方格中的其中一个方格。适当地调整第一方格或部份的图案，W使 源通过第一方格或部份的图案在基板上进行沉积，不需要考虑其他区域。第一方格或部份 可W由图案的任何一个位置中挑选出来。调整第一方格或部份可能需要任何数量的微致动 器施加力至精细金属掩模，其中一些微致动器施加比其他微致动器更大的力，诸如，在单一 微致动器、一些微致动器或所有微致动器的移动。当在第一方格或部份上的沉积完成时，源 会扫描至精细金属掩模的第二方格或部份，同时在第二方格或部份上对精细金属掩模进行 调整。第二方格或部份可W位于图案的任何一个部份，且相较于第一方格或部份可W是非 直线的。适当地调整图案的第二方格或部份，W使源通过第二方格或部份在基板上进行沉 积，不需要考虑其他区域。
[0068] 在另一些实施方式之中，精细金属掩模的对准，是在特定的条带上进行对准，而不 对准其他条带。图8所图示的条带，可W被分别的对准，W使精细金属掩模相对应的部份可 W对准基板。一旦对准，在移动至条带的下一部分或精细金属掩模的下一条带之前，源可W 通过精细金属掩模的对准条带或一部份进行沉...