阵列基板及其制造方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]阵列基板行驱动(Gate driver On Array，GOA)技术作为一种新型显示技术，通过将扫描驱动电路集成在阵列基板上，以去掉扫描驱动集成电路的部分，从而节省材料并减少工艺步骤，达到降低产品成本的目的。然而除了扫描驱动电路之外，现有技术很少有将其他电路也集成制作在阵列基板上。其原因主要在于，例如数据驱动电路的电路模组相较于扫描驱动电路的结构而言更加复杂，若要将其制作于玻璃基板上则需要占用相当大的面积，因而势必会压缩显示区的面积。另外，例如数据驱动电路的电路模组必须能够正确且快速的处理大量显示数据，因此对组成器件的特性(尤其是反应速度)有着严格的要求。基于上述原因，以现有工艺制作形成的阵列基板无法满足其他电路模组整合至阵列基板的性能需求，因而无法实现扫描驱动电路与数据驱动电路在同一基板上的整合。
【发明内容】
[0003]针对现有技术中的缺陷，本发明提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，实现了扫描驱动电路与数据驱动电路在基板上的整合制作。
[0004]第一方面，本发明提供了一种阵列基板，包括单晶硅基板、阵列电路层和阳极导电层；其中，
[0005]所述单晶硅基板上设有中央显示区域、第一周边区域和第二周边区域；所述中央显示区域包括多个像素区域；
[0006]所述阵列电路层形成在所述单晶硅基板上，包括有源区形成在所述单晶硅基板内的若干个晶体管；所述阵列电路层在所述第一周边区域内形成扫描驱动电路、在所述第二周边区域内形成数据驱动电路、在每一所述像素区域内形成像素电路；
[0007]所述阳极导电层在每一所述像素区域内的所述阵列电路层上形成，用于分别在每一所述像素区域内输出有机发光层的驱动电流，并用于反射来自所述有机发光层的光线。
[0008]可选地，所述阵列电路层包括:
[0009]形成在所述单晶硅基板上的第一绝缘层；
[0010]形成在所述第一绝缘层上的第一金属层，所述第一金属层包括所述若干个晶体管的栅电极的图形；
[0011]覆盖所述第一金属层和所述第一绝缘层的第二绝缘层；
[0012]形成在所述第二绝缘层上的第二金属层，所述第二金属层包括所述若干个晶体管的源电极的图形和漏电极的图形；
[0013]位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的多个第一过孔；所述若干个晶体管的源电极的图形和漏电极的图形通过所述多个第一过孔与所述单晶硅基板内的有源区接触。
[0014]可选地，所述阵列电路层还包括覆盖所述第二金属层和所述第二绝缘层的平坦化层；
[0015]在每一所述像素区域内，所述平坦化层中形成有用于将所述第二金属层中至少一个晶体管的源电极的图形或漏电极的图形连接至所述阳极导电层的第二过孔。
[0016]可选地，所述多个像素区域由形成在所述中央显示区域内的多行扫描线与多列数据线交叉限定出来；所述扫描驱动电路与所述多行扫描线相连；所述数据驱动电路与所述多列数据线相连。
[0017]可选地，每一所述像素区域内的所述像素电路均各自连接一行扫描线和一列数据线；所述像素电路用于在所述扫描线上的信号的控制下根据来自所述数据线的数据电压生成流向阳极导电层的驱动电流。
[0018]可选地，所述第一金属层包括所述多行扫描线的图形，所述第二金属层包括所述多列数据线的图形；
[0019]或者，所述第二金属层包括所述多行扫描线的图形，所述第一金属层包括所述多列数据线的图形。
[0020]可选地，任一所述晶体管的形成区域占所述阵列基板的面积均小于第一预定值。
[0021]可选地，所述若干个晶体管均为P型晶体管。
[0022]第二方面，本发明还提供了一种上述任意一种阵列基板的制造方法，包括:
[0023]在所述单晶硅基板内形成所述若干个晶体管的有源区；
[0024]在所述单晶硅基板上形成所述阵列电路层；
[0025]在所述阵列电路层上的每一所述像素区域内形成所述阳极导电层。
[0026]可选地，所述在所述单晶硅基板上形成所述阵列电路层，包括:
[0027]在所述单晶硅基板上形成第一绝缘层；
[0028]在所述第一绝缘层上形成第一金属层；所述第一金属层包括所述若干个晶体管的栅电极的图形；
[0029]在所述第一金属层和所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；所述第二绝缘层覆盖所述第一金属层和所述第一绝缘层；
[0030]在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中形成多个第一过孔；
[0031]在所述多个第一过孔内和所述第二绝缘层上形成第二金属层；所述第二金属层包括所述若干个晶体管的源电极的图形和漏电极的图形；所述若干个晶体管的源电极的图形和漏电极的图形通过所述多个第一过孔与所述单晶硅基板内的有源区接触。
[0032]可选地，所述在所述单晶硅基板内形成所述若干个晶体管的有源区，包括:
[0033]在所述单晶硅基板上形成掩膜图形；所述掩膜图形覆盖所述若干个晶体管的有源区之外的区域；
[0034]在所述掩膜图形的遮挡下对所述单晶硅基板进行离子注入，形成位于所述单晶硅基板内的所述若干个晶体管的有源区；
[0035]去除所述掩膜图形。
[0036]可选地，所述在所述单晶硅基板上形成所述阵列电路层，还包括:
[0037]在所述第二金属层和所述第二绝缘层上形成平坦化层；其中，所述平坦化层覆盖所述第二金属层和所述第二绝缘层；在每一所述像素区域内，所述平坦化层中形成有用于将所述第二金属层中至少一个晶体管的源电极或漏电极连接至所述阳极导电层的第二过孔。
[0038]第三方面，本发明还提供了一种显示装置，包括上述任意一种的阵列基板。
[0039]可选地，还包括位于该阵列基板上并且一侧与所述阳极导电层相接触的有机发光层，以及与所述有机发光层的另一侧相接触的透明的阴极导电层。
[0040]由上述技术方案可知，本发明采用单晶硅基板作为衬底，并将包括扫描驱动电路、数据驱动电路以及像素电路的阵列电路层中若干个晶体管的有源区形成在单晶硅基板内。由于单晶硅的载流子迀移率可以超过600Cm2/V-SeC，因此数据驱动电路和扫描驱动电路内部的晶体管都可以具有足够尚的性能，并在保障性能的同时在现有技术的基础上缩小尺寸，使得数据驱动电路与扫描驱动电路不会占用很大的基板面积，实现扫描驱动电路与数据驱动电路在基板上的整合制作。基于此，本发明可以缩小显示区外的面积、增加画面显示面积，还可以保障电路性能和像素数目不变的情况下缩小装置尺寸，并有利于提高显示装置的显示分辨率。
[0041]当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
【附图说明】
[0042]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0043]图1A和图1B是本发明一个实施例中一种阵列基板的结构不意图；
[0044]图2是本发明一个实施例中增加画面显示面积的效果示意图；
[0045]图3是本发明一个实施例中减小装置尺寸的效果示意图；
[0046]图4A、图4B和图4C分别是非晶硅制程下、多晶硅制程下和本发明一个实施例中的显示分辨率的对比示意图；
[0047]图5是本发明一个实施例中一种阵列基板的剖面结构不意图；
[0048]图6是本发明一个实施例中一种阵列基板中的电路连接关系示意图；
[0049]图7是本发明一个实施例中一种显示装置的剖面结构图；
[0050]图8是本发明一个实施例中一种阵列基板的制造方法的步骤流程示意图；
[0051]图9是本发明一个实施例中第一周边区域内的有源区的示意图；
[0052]图10是本发明一个实施例中有源区制作完成后的单晶硅基板的剖面结构图；
[0053]图11至图16是上述阵列电路层在制作过程中的结构示意图。
【具体实施方式】
[0054]为使本发明实施例的目的、技术方