的各个N型金属氧化物半导体(NM0S)和/或P型金属氧化物半导体(PM0S)器件，诸如晶体管、电容器、电阻器、二极管、光电二极管、熔丝等。功能包括存储结构、处理结构、传感器、放大器、功率分配、输入/输出电路等的功能。本领域普通技术人员应当理解，提供上述实例仅用于说明的目的以进一步解释一些说明性实施例的应用而不旨在以任何方式限制本发明。只要适合用于给定的应用，其他电路也可以使用。
[0051 ] 管芯312可以包括位于电器件上面的一个或多个介电层，并且可以在介电层之间形成金属层以在电器件之间路由电信号。也可以在一个或多个介电层中形成电器件。管芯312包括位于最上部的介电层中的外部接触件(诸如接触件314)以提供与电路的外部电连接。在实施例中，接触件314是铝焊盘或铝铜焊盘，但是也可以使用其他金属材料。接触件314可以是连接至管芯312的电路的焊盘、柱状件、焊球、引线柱或其他导电连接件。
[0052]例如，可以使用设置在背面上的粘合层316 (例如，管芯附接膜(DAF))将管芯312附接至背侧重分布层304。在实施例中，粘合层316可以是任何合适的粘合剂，诸如紫外(UV)胶，当暴露于UV光时紫外(UV)胶将失去它的粘合性能。
[0053]图3D示出了根据一些实施例的模制工艺和模制背磨(molding grind back)。在一些实施例中，模制工艺是晶圆级模制工艺。例如，分配模塑料320以填充管芯312和通孔310之间的间隙。模塑料320可以包括任何合适的材料，诸如环氧树脂、模制底部填充物等。用于形成模塑料320的合适的方法可以包括压缩模制、转移模制、液体密封模制等。例如，可以以液体形式在管芯312和通孔310之间分配模塑料320。随后，实施固化工艺以使模塑料320固化。填充的模塑料320可以充溢管芯312和通孔310，从而使得模塑料320覆盖管芯312和通孔310的顶面。可以采用机械研磨、化学机械抛光(CMP)或其他回蚀刻技术以去除模塑料320的过量部分并且暴露管芯312的接触件314。在平坦化之后，模塑料320、管芯312和通孔310的顶面基本上平齐。
[0054]接下来参考图3E，根据一些实施例示出了一个或多个正侧重分布层330。在形成工艺和组成上，正侧重分布层330可以基本上类似于背侧重分布层304。例如，正侧重分布层330可以包括其中形成有导电部件(例如，导电线和通孔330b)的一个或多个介电材料层(例如，介电层330a)。可以使用任何合适的方法(例如，旋涂技术、溅射等)由任何合适的材料(例如，聚酰亚胺(PI)、聚苯并恶唑(PB0)、BCB、环氧树脂、硅树脂、丙烯酸酯、纳米填充酚树脂、硅氧烷、氟化聚合物、聚降冰片烯、氧化物、氮化物等)形成一个或多个介电层。正侧重分布层330的形成可以包括:图案化介电层(例如，使用光刻和/或蚀刻工艺)以及在图案化的介电层中形成导电部件(例如，通过在图案化的介电层的开口中形成导电材料)。
[0055]图3F示出了通过图3E中的虚线矩形标示出的参考区域317的放大视图。如图3E中所示，参考区域317包括相应于如以上参考图1所讨论的第三伪区域108c的区域和邻近第三伪区域108c的区域。图3F示出了两个接触焊盘318a和318b (共同称为接触焊盘318)以用于说明的目的，其中，第一接触焊盘318a位于第三伪区域108c的外侧而第二接触焊盘318b位于第三伪区域108c内。应当理解，可以存在更多的接触焊盘并且在接合区的其他区域(诸如以上参考图1讨论的第一伪区域108a和第二伪区域108b)中可以使用类似的工艺和材料。
[0056]返回参考图3F，示出了两个接触焊盘318a和318b，其均可以用于提供电接触。图3F也示出了邻近接触焊盘318b形成的伪焊盘部件332。供参考，沿着图2的A-A线示出了接触焊盘318b和伪焊盘部件332的形成。
[0057]可由任何合适的工艺和任何合适的材料形成接触焊盘318和伪焊盘部件332。例如，在实施例中，在正侧重分布层330的表面上方沉积晶种层(未示出)。之后，在晶种层上方形成具有限定接触焊盘318和伪焊盘部件332的期望的形状的开口的图案化的掩模层，诸如已经沉积、曝光和显影的光刻胶层。应当理解，该开口可以进一步限定重分布线以将接触焊盘路由至期望的位置，诸如图2中示出的位置。可以使用镀工艺以在图案化的掩模层的开口内的晶种层上方形成接触焊盘318和伪焊盘部件332。例如，可以使用化学镀工艺或电化学镀工艺。之后，可以去除图案化的掩模层，以及将接触焊盘和伪焊盘部件332用作掩模可以去除晶种层的暴露部分。在一些实施例中，接触焊盘318和伪焊盘部件332是铝焊盘或铝铜焊盘，但是也可以使用其他的金属材料。
[0058]如图3F中所示，接触焊盘318的宽度W3为约100 μπι至约200 μm，而伪焊盘部件332的宽度W4为约15 μπι至约30 μπι。在一些实施例中，伪焊盘部件332与接触焊盘318b间隔距离Dp可以调整距离Di以维持伪焊盘部件332和随后形成的凸块下金属(下文中详细讨论)之间的重叠。在一些实施例中，伪焊盘部件332的厚度为约2 μπι至约10 μπι。已经发现，诸如这样的尺寸降低了应力，同时允许更小的焊盘尺寸。伪焊盘部件332也可以用作止裂器。
[0059]应当理解，接触焊盘318提供了随后将被附接的另一衬底(例如，参见图31)和管芯102和/或通孔310之间的电连接。另一方面，伪焊盘部件332不提供电连接性并且不是电路中的组件。如图3F中所示，接触焊盘318与伪焊盘部件332分隔开。因此，伪焊盘部件332是被加入以降低应力和不提供电连接性的部件。
[0060]图3G根据一些实施例示出了在正侧重分布层330上方形成的一个或多个保护层322。可以由诸如环氧树脂、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)、聚苯并恶唑(ΡΒ0)等的聚合物形成保护层322。例如，形成方法可以包括旋涂。图案化保护层322以形成开口，通过该开口暴露接触焊盘318。保护层322的图案化可以包括光刻技术。可以实施固化步骤以使保护层322固化。
[0061]图3H示出了在一个或多个保护层322上方形成并且图案化的凸块下金属(UBM) 324并且凸块下金属(UBM) 324延伸穿过一个或多个保护层322，从而形成与接触焊盘318的电连接。凸块下金属324提供其上可以放置电连接件(例如，焊料球/凸块)的电连接。在实施例中，凸块下金属324包括扩散阻挡层、晶种层或它们的组合。扩散阻挡层可以包括T1、TiN、Ta、TaN或它们的组合。晶种层可以包括铜或铜合金。然而，也可以包括诸如镍、钯、银、金、铝、它们的组合和它们的多层的其他金属。在实施例中，使用溅射形成凸块下金属324。在其他实施例中，可以使用电镀。
[0062]如图3H所示，在一些实施例中，凸块下金属324与伪焊盘部件横向重叠。在一些实施例中，凸块下金属324与伪焊盘部件横向重叠大于约7.5 μπι的距离D2。例如，在其中伪焊盘部件的宽度为约15 μπι的一些实施例中，凸块下金属重叠约50%的伪焊盘部件。凸块下金属324与伪焊盘部件的重叠有助于进一步降低应力，包括在凸块下金属边缘处的聚合物层内的应力，诸如在温度循环期间引起的应力。在一些实施例中，应力降低约30%。
[0063]接下来参考图31，根据一些实施例，在凸块下金属324上方形成连接件340。在实施例中，作为实例，该连接件340包括共晶材料并且可以包