括焊料凸块或焊球。例如，焊料材料可以是铅基和无铅焊料，诸如用于铅基焊料的Pb-Sn组合物；包括InSb的无铅焊料；锡、银和铜(SAC)组合物；以及具有共同的熔点并且在电气应用中形成导电焊料连接的其他共晶材料。作为实例，对于无铅焊料，可以使用不同组分的SAC焊料，诸如SAC 105 (Sn98.5%，银1.0%，铜0.5%)、SAC 305和SAC 405。在不使用银(Ag)的情况下，也可以由SnCu化合物形成诸如焊球的无铅连接件。可选地，在不使用铜的情况下，无铅连接件可以包括锡和银Sn-Ag。连接件340可以是形成为栅格的连接件的阵列(诸如球栅阵列(BGA))中的一个。在一些实施例中，连接件340包括具有球体形状的导电球。可选地，连接件340可以包括其他形状。例如，连接件340也可以包括非球形导电连接件。
[0064]在一些实施例中，使用焊球降工艺来附接连接件340。在连接件340安装工艺期间，或在导电材料安装工艺之后，可以回流导电材料340的共晶材料。
[0065]图3J根据一些实施例示出了载体衬底302的去除和上衬底350和下衬底352的附接。上衬底350和下衬底352中的每个可以是管芯、晶圆、封装衬底、主板、印刷电路板等。在一些实施例中，形成叠层封装结构。例如，上衬底350可以是另一封装件，其中管芯312是处理器并且上衬底350是提供存储器的封装件。在该实施例中，下衬底352可以是印刷电路板或封装衬底。
[0066]如图3H中所示，在一些实施例中，未暴露出伪焊盘部件(例如，伪焊盘部件332)。由于上衬底350和其他组件之间的热膨胀系数(CTE)的差异，连接件340和接触焊盘318之间的应力可能导致分层或其他不期望的问题。如上所注意，随着接触焊盘尺寸的降低，接触焊盘318处的应力增大，这又可能导致分层或其他故障。在伪区域108，例如，沿着封装件的拐角和沿着管芯312和模塑料320之间的界面，这种应力可能特别高。
[0067]伪焊盘部件332提供应力缓解，从而降低施加到接触焊盘318的应力。伪焊盘部件332的加入允许接触焊盘降低尺寸，从而允许增加用于路由互连线的区域。这种增加的路由区域可以允许需要更少的层，从而降低成本。
[0068]如图3J中所示，伪焊盘部件332也可以引入到背侧重分布层304上。
[0069]为了说明的目的，诸如以上讨论的实施例以具有背侧和正侧重分布层的扇出封装的形成出现。其他的实施例可以利用在其他结构中公开的部件，例如，在所有的实施例中可以不出现背侧重分布层、通孔等。此外，实施例可以不利用扇出结构。在又一些其他实施例中，可以在背侧重分布层以及正侧重分布层上利用伪焊盘部件。另外，可以在背侧和正侧重分布层的一侧或两侧中利用单个重分布层。
[0070]图4是根据一些实施例示出形成器件的工艺的步骤的流程图。工艺开始于步骤402，其中，提供衬底。在一些实施例中，衬底是如以上参考图3A至图3E所讨论的集成的扇出封装件，但是也可以使用其他类型的衬底。如以上参考图3F所讨论的，在步骤404中，在衬底上形成接触焊盘并且在步骤406中形成伪焊盘区。在一些实施例中，可以同时形成接触焊盘和伪焊盘。伪焊盘区域可以在如以上所讨论的高应力区中形成，从而提供额外的引线路由区域。在步骤408中，形成外部连接件，诸如以上参考图3G至图31所论述的外部连接件。也可以形成钝化层和凸块下金属化层。之后，在步骤410中，可以将该结构接合至另一衬底，诸如以上参考图3J所论述的衬底。
[0071]在实施例中，提供了一种方法。该方法包括:提供衬底和在衬底上形成接触焊盘。接触焊盘提供至衬底上的电路的电连接。邻近第一接触焊盘形成伪焊盘部件，从而使得伪焊盘部件完全位于电介质表面上方并且不提供电连接性。在第一接触焊盘上形成外部电连接件。
[0072]在另一实施例中，提供了另一种方法。该方法包括:提供管芯和沿着管芯的侧壁形成模塑料。在管芯和模塑料上方形成接触焊盘。邻近接触焊盘的子集形成伪焊盘部件，其中，伪焊盘部件与接触焊盘电隔离。在接触焊盘上形成电连接件，以及将衬底附接至电连接件。
[0073]在又一些实施例中，提供了一种器件。该器件包括:管芯和沿着管芯的侧壁的模塑料。接触焊盘位于管芯和模塑料上方。伪焊盘部件邻近接触焊盘中的任选一个，其中，伪焊盘部件不提供电连接性。
[0074]上面概述了若干实施例的特征，使得本领域普通技术人员可以更好地理解本发明的各个方面。本领域普通技术人员应该理解，他们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实施与本文所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其他工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到，这种等同构造并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，在此他们可以对本发明做出多种变化、替换以及改变。
【主权项】
1.一种方法，包括: 提供衬底； 在所述衬底上形成接触焊盘，所述接触焊盘包括第一接触焊盘，所述接触焊盘提供至所述衬底上的电路的电连接； 邻近所述第一接触焊盘形成伪焊盘部件，所述伪焊盘部件不提供电连接性；以及 在所述第一接触焊盘上形成外部电连接件。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述外部电连接件包括焊球。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述伪焊盘部件包括金属。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述伪焊盘部件包括在平面图中部分地环绕所述第一接触焊盘的环形件。5.根据权利要求1所述的方法，其中，在封装件的拐角中的模塑料上方形成所述第一接触焊盘和所述伪焊盘部件。6.根据权利要求1所述的方法，其中，在管芯和模塑料之间的界面区域上方形成所述第一接触焊盘和所述伪焊盘部件。7.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述接触焊盘与管芯的中心相对的一侧上设置所述伪焊盘部件。8.一种方法，包括: 提供管芯； 沿着所述管芯的侧壁形成模塑料； 在所述管芯和所述模塑料上方形成接触焊盘； 邻近所述接触焊盘的子集形成伪焊盘部件，所述伪焊盘部件与所述接触焊盘电隔离； 在所述接触焊盘上形成电连接件；以及 将衬底附接至所述电连接件。9.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述模塑料的拐角区域中设置所述伪焊盘部件。10.一种器件，包括: 管芯; 模塑料，沿着所述管芯的侧壁； 接触焊盘，位于所述管芯和所述模塑料上方；以及 伪焊盘部件，邻近所述接触焊盘中的任选一个，所述伪焊盘部件不提供电连接性。
【专利摘要】本发明提供了利用邻近接触焊盘的伪焊盘部件的器件及其制造方法。接触焊盘可以是集成的扇出封装件中的接触焊盘，在集成的扇出封装件中，模塑料沿着管芯的侧部放置并且接触焊盘在管芯和模塑料的上方延伸。接触焊盘使用一个或多个重分布层电连接至管芯。伪焊盘部件与接触焊盘电隔离。在一些实施例中，伪焊盘部件部分地环绕接触焊盘，并且位于模塑料的拐角区域中、管芯的中心区域中和/或管芯的边缘和模塑料之间的界面区域中。本发明涉及用于半导体器件的接触焊盘。
【IPC分类】H01L23/488
【公开号】CN105280599
【申请号】CN201410829436
【发明人】黄昶嘉, 林宗澍, 谢政杰, 吴伟诚
【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2014年12月26日
【公告号】DE102014113698A1, US20150348877