度比第一凹槽部分的宽度大的第二凹槽部分即可。例如，可以组合使用干蚀刻和湿蚀刻。此外，无需仅通过第一蚀刻形成第一凹槽部分，也无需仅通过第二蚀刻形成第二凹槽部分。也就是说，如果第一蚀刻相对于第一凹槽部分是主要蚀刻，则可以包括除第一蚀刻以外的蚀刻，以及如果第二蚀刻相对于第二凹槽部分是主要蚀刻，则可以包括除第二蚀刻以外的蚀刻。此外，由于至少形成第一凹槽部分和第二凹槽部分就足够了，因此例如可以在第一凹槽部分与第二凹槽部分之间或参照第二凹槽部分靠近基板的背面侧的位置存在通过第三蚀刻或第四蚀刻形成的第三凹槽部分或第四凹槽部分。
[0131 ] 此外，例如可以按如下方式适当使用各向同性蚀刻和各向异性蚀刻。也就是说，如果第一凹槽部分由各向异性蚀刻形成而不由各向同性蚀刻形成，则第一凹槽部分可以容易地形成较窄凹槽，并且如果能够形成较窄凹槽，则可以增加能够从单个基板获得的半导体件的数量。此外，如果第二凹槽部分由各向同性蚀刻形成，则与各向异性蚀刻的情况相比，第二凹槽部分容易形成较宽凹槽，并且如果能够形成较宽宽度，则容易允许切割刀片沿凹槽宽度方向变化。另一方面，如果第二凹槽部分由各向异性蚀刻形成，则与各向同性蚀刻的情况相比，第二凹槽部分容易形成较深凹槽，并且如果能够形成较深凹槽，则能够增大台阶部分的厚度，从而提高台阶部分400的强度。如上所述，在考虑到诸如作为加工对象的基板材料和所使用的装置的精度等条件的情况下，可以选择蚀刻方法，使得台阶部分400不容易破损。
[0132]接下来，将对分离切割带时粘合剂层的残留进行描述。在图14所示的切割线A2中，在切割半导体基板W的同时，通过切割刀片300的旋转或切割刀片300与半导体基板W的相对移动，振动B和切割压力P经由凹槽170的内壁被施加在半导体基板W上。如果以切割压力P沿Y方向按压半导体基板W，则粘性粘合剂层164流入到细槽140中。此外，当振动B被传递到细槽140附近时，促进了粘合剂层164的流动。此外，在使用切割刀片300进行切割时，混有碎片的切削水流(喷射水流)被供应到凹槽170，并且沿细槽140因切削水流而扩展的方向施加压力Pl。因此，进一步促进了粘合剂层164的进入。
[0133]在完成切割的切割线Al中，由于在相邻切割线A2的切割期间施加了压力，使得细槽140沿宽度方向较窄，因此可以认为，进入细槽140的粘合剂层164容易进一步进入到内部。在切割之前的位于相反侧的切割线A3中，由于粘合剂层164仅被粘附，因此可以认为，粘合剂层164进入到细槽140中的量相对较小。
[0134]如果完成了利用切割刀片300的半切割，则将膨胀带190粘附在基板的背面上，然后用紫外线180照射切割带160。被紫外线照射的粘合剂层164固化，并且失去粘性(参见图3的(H))。然后使切割带与基板的正面的分离。图15是示出当切割带分离时粘合剂层的残留的剖视图。膨胀带190包括粘附在基板的背面上的带基材192和堆叠在带基材192上的粘合剂层194，并且所切割的半导体件由粘合剂层194保持。
[0135]这里，当如图6的⑶所示细槽140的形状为宽度从基板的正面的位置立即逐渐增大的倒锥形状时，与图6的(A)至图6的(C)所示的竖直形状(存在不具有倒锥形状的第一凹槽部分)相比，粘合剂层164a进入细槽的一部分未被紫外线充分照射并且容易未被固化。由于未固化的粘合剂层164具有粘性，因此当粘合剂层164与基板的正面分离时，未固化的粘合剂层164a可能被切断，使得粘合剂层164a可能残留在细槽140的内部，或可能重新粘附在基板的正面上而出现残留。此外，即使粘合剂层164a处于固化状态，由于粘合剂层164a深深侵入到较窄细槽中，因此粘合剂层164a可能在移除期间因应力而破损，从而出现残留。如果残留的粘合剂层164b再次粘附在发光器件的正面上，则会造成发光器件的光强度的降低。因此，发光器件变为缺陷产品，这导致产量下降。此外，即使在除发光器件以外的半导体芯片中，当粘合剂层164b残留时，可能出现其他负面影响。例如，通过目视检查等可以判断芯片是否有缺陷。因此，当分离切割带时，粘合剂层164a、164b残留在基板的正面上不是优选的。也就是说，为了抑制分离切割带时出现的切割带的粘合剂层的残留，优选的是，与宽度从基板的正面的位置立即逐渐增大的倒锥形状相比，第一凹槽部分的形状是图6的(A)至图6的(C)所示的竖直凹槽。此外，从抑制粘合剂层的残留的观点考虑，更优选的是，与图6的(A)至图6的(C)所示的竖直形状相比，第一凹槽部分的形状是宽度从基板的正面朝向基板的背面逐渐减小的形状(正锥形状)。也就是说，从抑制粘合剂层的残留的观点考虑，优选的是，第一凹槽部分的形状是没有宽度从基板的正面朝向基板的背面增大的部分(倒锥形状)的形状。
[0136]当多个发光器件100形成为台面形状时，各个发光器件100形成凸部，并且发光器件100之间的空间形成凹部。在许多情况下，细槽140形成在凹部中。在这样的构造中，可以考虑以下构造:通过粘附粘合剂层164，以跟随形成在除了凸部之外的凹部中的细槽140的入口部分，混有碎片的切削水流不侵入到基板的正面侧。这里，为了允许粘合剂层164跟随细槽140的入口部分，需要具有足够厚度的粘合剂层164的切割带，因此粘合剂层164容易且深深地进入细槽140。因此，在粘合剂层164容易且深深地进入细槽140的条件下，优选的是，第一凹槽部分的形状是没有宽度从基板的正面到背面增大的部分(倒锥形状)的形状。
[0137]此外，当形成自半导体基板的正面起竖直的细槽时，并且当粘合剂层164更深深地侵入超过细槽的凹槽宽度的距离时，也就是说，与粘合剂层164的在细槽内的粘合剂层164a的形状沿纵向不长的情况相比，当粘合剂层164的在细槽内的粘合剂层164a的形状沿纵向较长时，可以认为，当分离粘合剂层164时，粘合剂层164a因施加在细槽内的粘合剂层164a的根部上的应力而容易断裂，从而容易残留在细槽内。因此，在诸如细槽的宽度或粘合剂层164的厚度等制造条件(其中，细槽内的粘合剂层164a的形状沿纵向较长)下，优选的是，第一凹槽部分的形状是没有宽度从基板的正面到背面增大的部分(倒锥形状)的形状。
[0138]此外，优选的是，图6的(A)至图6的(C)中的第一凹槽的深度Dl是保持如下状态的深度:在通过切割刀片形成背侧上的凹槽之后，粘合剂层164在凹槽部分中不更深地侵入超过深度D1。这是因为由于凹槽的侧面的角度在第一凹槽部分与第二凹槽部分之间的边界处发生变化，因此当粘合剂层164在凹槽部分中更深地侵入超过深度Dl时，固化变得困难，并且因在移除期间施加的应力而容易发生断裂。在上文中，已经对抑制粘合剂层的残留的优选实施例进行了描述，优选的是，完全抑制粘合剂层的残留，但如果实施例有助于抑制粘合剂层的残留，则不管抑制程度如何，都能抑制粘合剂层的残留。
[0139]图16是示出根据的半导体件制造方法另一实例的流程图。图16是示出整个制造方法的流程图，该制造方法包括在批量生产过程中执行图1所示的一系列制造方法之前的准备(设计方法)。首先，在试制过程中，根据图1所示的流程图分立半导体基板(S300)。这里，没有必要完全分立半导体基板，只要过程进行到至少一个能够确认半导体件的破损程度(诸如台阶部分等正面侧上的细槽附近的破损程度)的步骤就足够了。然后，确认半导体件的破损程度，以判断是否没有问题(S310)。这里，优选的是，根本不存在破损，但即使存在破损，也可以判断出:如果存在的破损在批量生产容许的程度内，则不存在问题。例如，如果破损是不影响半导体件的电气特性的微小缺陷，则可以判断出不存在问题。此外，优选的是，基于通过加工多个基板而获得的大量结果来判断问题的存在与否。然后，如果判断出不存在问题(S310中的是)，则使用该制造条件作为批量生产的制造条件(S330)。如果判断出存在问题(S310中的否)，则改变该制造条件(S320)。这里，制造条件指的是影响破损程度的制造条件，以及细槽附近的“附近”指的是因来自切割刀片的应力而在半导体件中发生破损的区域。
[0140]在S320中，改变制造条件，以抑制破损。例如，改变制造条件，使得第二部分的宽度变为更大的宽度。通过改变第二蚀刻的条件实现这点，使得第二凹槽部分的宽度变为更大的宽度。具体而言，改变诸如蚀刻气体或蚀刻装置的设定等蚀刻条件，以便增大第二蚀刻中的凹槽的沿侧壁方向的蚀刻强度。例如，当基板的正面侧上的细槽的第二凹槽部分由各向同性蚀刻形成时，优选的是，延长各向同性蚀刻的时间。此外，当第二凹槽部分由各向异性蚀刻形成时，可以增大作为包括在蚀刻用的气体中的蚀刻气体的Cl2的流量，并且可以减小作为用于形成侧壁保护膜的气体的C4F8(CF系气体)的流量。通过改变上述流量中的至少一者来实现上述目的。另外，通过改变装置的输出，例如，可以改变蚀刻条件来扩大凹槽宽度。即使第二凹槽部分的宽度大于背面侧上的凹槽的宽度，也可以通过改变蚀刻条件来获得更大宽度的第二凹槽部分，与未改变蚀刻条件的情况相比，能够抑制半导体芯片的破损。
[0141]在S320中改变制造条件之后，再次在试制过程中分立半导体基板(S300)。然后，通过确认半导体芯片的破损程度来判断是否存在问题(S310)。当存在问题时，重复步骤S300至S320，直到不存在问题。当在S310中判断出不存在问题时，使用该制造条件作为批量生产过程中的制造条件(S330)。
[0142]在试制步骤S300中，半导体基板的正面侧上的细槽可以为不具有第二凹槽部分的形状，并且可以为仅有由单次蚀刻形成的凹槽部分。此外，如果在细槽中不存在破损问题，则可以在批量生产过程中使用细槽。相反，如果存在破损问题，则在S320中，可以改变制造工艺，以便形成第二凹槽部分，或者可以改变制造工艺，以便由多次蚀刻而非单次蚀刻形成凹槽部分。
[0143]在上文中，描述了本发明的优选实施例，但也可以在操作或效果不一致的范围内组合各个实施例或组合实施例所公开的各个功能或结构。此外，本发明不限于特定的实施例，而是可以包括在权利要求所公开的本发明的概要的范围内的各种修改和变化。
[0144]例如，背面侧上的凹槽170可以形成为具有到达正面侧上的细槽附近却不与正面侧上的细槽连通的深度。也就是说，在形成图3的(F)所示的背面侧上的凹槽170的过程中，可以通过余留半导体基板的厚度的一部分来形成背面侧上的凹槽170。对于这样的构造而言，由于可以确保台阶部分的厚度，因此能够抑制破损。在这种情况下，在后续过程中，通过对半导体基板施加诸如拉伸应力或弯曲应力等应力来分开余留部分，从而可以分开半导体基板。这样，在不与背面侧上的凹槽连通的半导体件的制造方法中，类似地，通过使第二凹槽部分具有比第一凹槽部分的宽度大的宽度，当施加应力来分开余留部分时，仅容易分开正面侧上的细槽与背面侧上的凹槽170之间余留的厚度部分。此外，正面侧上的细槽附近的破损、龟裂等的意外扩大被抑制，结果，抑制了半导体件的破损。此外，对于不与背面侧上的凹槽连通的半导体件的制造方法而言，可以在操作或效果不一致的范围内组合实施例所公开的各个功能、结构等，例如实施例所述的第一凹槽部分或第二凹槽部分的形状或位置与切割刀片的形状或位置之间的关系。
[0145]此外，在本发明的优选实施例中，示出了这样的实例:基板正面上的开口宽度Sal比背面侧上的凹槽170的宽度窄。这是优选的实施例，因为与凹槽170的宽度的全切割方法相比，增加了所得到的半导体件的数量。另一方面，从抑制正面上的细槽中的粘合剂层的残留的观点考虑，基板正面的开口宽度Sal与背面侧上的凹槽170的宽度之间的关系是任意的。在这种情况下，宽度可以相同，或者凹槽170的宽度可以比开口宽度Sal窄。
[0146]此外，作为形成背面侧上的凹槽170的旋转切割部件的末端形状，代替图5的(B)所示的矩形形状，沿旋转方向看到的末端截面可以为半圆形状或锥形形状。此外，作为形成背面侧上的凹槽170的切割部件，可以使用除在旋转的同时与基板接触的切割部件以外的切割部件，例如激光装置。也就是说，可以通过激光加工形成背面侧上的凹槽170。此外，作为本发明的正面上的细槽的应用实例，本发明可以应用于这样的情况:各个器件从不包括由玻璃、聚合物等制成的半导体的基板分立出来。例如，本发明可以应用于不包括半导体的MEMS基板。
[0147]此外，可以由多个对象执行本发明的实施例中的各个过程。例如，第一对象可以形成正面侧上的凹槽，然后可以将其上已由第一对象形成了正面侧上的凹槽的基板供应至第二对象以准备基板，第二对象可以在准备好的基板上形成背面侧上的凹槽，并且可以分立(分开)该基板。也就是说，其上形成有正面侧上的凹槽的基板可以由第一对象准备或可以由第二对象准备。