r>[0148]工业实用性
[0149]本发明的半导体件制造方法应用于分开(分立)诸如半导体晶片等形成有多个半导体器件以制造各个半导体件(半导体芯片)的基板状部件的方法。形成在基板上的半导体器件不受特定限制，并且可以包括发光器件、有源器件、无源器件等。在优选实施例中，本发明的制造方法应用于从基板提取包括发光器件的半导体件的方法，其中，发光器件可以为例如面发光型半导体激光器、发光二极管或发光晶闸管。
[0150]已经参考特定实施例详细描述了本发明，但对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明的范围的情况下，可以对本发明进行一系列各种变化或修改。本申请以2013年7月I日提交的日本专利申请(日本专利申请N0.2013-137829)、2013年7月I日提交的日本专利申请(日本专利申请N0.2013-137834)、2014年5月27日提交的日本专利申请(日本专利申请N0.2014-109041)、2014年5月27日提交的日本专利申请(日本专利申请N0.2014-109042)和2014年5月27日提交的日本专利申请(日本专利申请N0.2014-109043)为基础，这些申请的内容以引用的方式并入本文。
[0151]附图标记列表
[0152]100:发光器件
[0153]120:切割区域(划线)
[0154]130:光阻图案
[0155]140:细槽
[0156]160:切割带
[0157]170:凹槽
[0158]190:膨胀带
[0159]210:半导体芯片
[0160]300:切割刀片
[0161]400:台阶部分
[0162]500、500A、500B、500C:细槽
[0163]510:第一凹槽部分
[0164]520、530、540、550:第二凹槽部分
[0165]600、610、620、630:台阶部
[0166]700、800:光致抗蚀剂
[0167]710、810:开口
[0168]720、830、850:保护膜
【主权项】
1.一种半导体件制造方法，包括: 形成正面侧上的凹槽的步骤，所述正面侧上的凹槽包括:第一凹槽部分，其自基板正面起具有第一宽度；以及第二凹槽部分，其定位在与所述第一凹槽部分连通的下部并且具有比所述第一宽度大的第二宽度；以及 由旋转的切割部件从所述基板的背面沿着所述第二凹槽部分形成背面侧上的凹槽的步骤，所述背面侧上的凹槽具有比所述第一宽度大的宽度。2.根据权利要求1所述的半导体件制造方法， 其中，所述背面侧上的凹槽形成为具有到达所述第二凹槽部分却未到达所述第一凹槽部分的深度。3.根据权利要求2所述的半导体件制造方法， 其中，从所述第二凹槽部分的上端到所述第二凹槽部分的下端的高度是包括以下范围的高度:所述背面侧上的凹槽的深度因所使用的切割装置沿所述基板的厚度方向的精度而变化。4.根据权利要求2或3所述的半导体件制造方法， 其中，所述背面侧上的凹槽形成为具有以下深度:所述深度不超过所述第二宽度变为最大处的深度。5.根据权利要求2至4中的任一项所述的半导体件制造方法， 其中，从所述第二凹槽部分的上端到所述第二凹槽部分的下端的高度是包括以下范围的高度:所述背面侧上的凹槽的深度因从所述切割部件开始切割单个基板的时间到完全结束所述基板的切割的时间所述切割部件的磨损而变化。6.根据权利要求1所述的半导体件制造方法， 其中，在形成所述背面侧上的凹槽的过程中，在余留所述基板的厚度的一部分的同时形成所述背面侧上的凹槽， 所述制造方法还包括如下步骤:在形成所述背面侧上的凹槽之后，对所述基板施加应力，以分开所述基板的余留部分。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的半导体件制造方法， 其中，所述第二宽度比所述切割部件的厚度大。8.根据权利要求1至7中的任一项所述的半导体件制造方法， 其中，所述第二宽度是包括以下宽度的宽度:所述切割部件沿厚度方向的中心因所使用的制造装置的精度而沿凹槽宽度方向变化。9.根据权利要求1至8中的任一项所述的半导体件制造方法， 其中，所述第二宽度是包括以下范围的宽度:所述背面侧上的凹槽因所使用的制造装置沿凹槽宽度方向的精度而变化。10.根据权利要求1至9中的任一项所述的半导体件制造方法， 其中，所述切割部件具有厚度朝向所述切割部件的末端减小的锥形形状，并且 所述第二宽度是包括以下宽度的宽度:锥形形状的所述切割部件的顶部的位置因所使用的制造装置的精度而沿凹槽宽度方向变化。11.根据权利要求1至10中的任一项所述的半导体件制造方法， 其中，所述第二凹槽部分具有从所述第一凹槽部分的下端沿凹槽宽度方向和背面方向扩大的球面状的侧面。12.根据权利要求1至11中的任一项所述的半导体件制造方法， 其中，当执行所述制造方法时，当所述正面侧上的凹槽附近因来自所述切割部件的应力而破损时，并且当所述制造方法应用于不同基板时，在所述不同基板上形成具有比形成在所述基板上的所述第二凹槽部分的宽度大的宽度的第二凹槽部分。13.—种基板切割方法，包括: 准备基板的步骤，所述基板上形成有正面侧上的凹槽，所述正面侧上的凹槽包括:第一凹槽部分，其具有第一宽度；以及第二凹槽部分，其定位在与所述第一凹槽部分连通的下部并且具有比所述第一宽度大的第二宽度；以及 由旋转的切割部件从所述基板的背面形成背面侧上的凹槽的步骤，所述背面侧上的凹槽的宽度大于所述第一凹槽部分的宽度且深度到达所述基板的所述第二凹槽部分。14.一种基板切割方法，包括: 准备基板的步骤，所述基板上形成有正面侧上的凹槽，所述正面侧上的凹槽包括:第一凹槽部分，其具有第一宽度；以及第二凹槽部分，其定位在与所述第一凹槽部分连通的下部并且具有比所述第一宽度大的第二宽度； 在余留所述基板的厚度的一部分的同时由旋转的切割部件从所述基板的背面形成背面侧上的凹槽的步骤，所述背面侧上的凹槽具有比所述第一凹槽部分的宽度大的宽度；以及 在形成所述背面侧上的凹槽之后对所述基板施加应力以分开所述基板的余留部分的步骤。15.根据权利要求1所述的半导体件制造方法， 其中，由第一蚀刻形成所述第一凹槽部分，以及由第二蚀刻形成所述第二凹槽部分。16.根据权利要求15所述的半导体件制造方法， 其中，所述第二蚀刻是各向同性蚀刻。17.根据权利要求15或16所述的半导体件制造方法， 其中，所述第一蚀刻是各向异性蚀刻。18.根据权利要求15或16所述的半导体件制造方法， 其中，所述第一蚀刻和所述第二蚀刻是各向同性蚀刻，并且 在所述第一蚀刻之后，在所述第一凹槽部分的侧壁上形成保护膜，以及在形成所述保护膜之后，执行所述第二蚀刻。19.根据权利要求15所述的半导体件制造方法， 其中，所述第一蚀刻和所述第二蚀刻是各向异性蚀刻， 在所述第一蚀刻之后，执行所述第二蚀刻，以形成所述正面侧上的凹槽，与所述第一蚀刻相比，所述第二蚀刻沿凹槽侧壁方向具有更强的蚀刻强度。20.根据权利要求15至19中的任一项所述的半导体件制造方法， 其中，当执行所述制造方法时，当所述第一凹槽部分或所述第二凹槽部分附近因来自所述切割部件的应力而破损时，并且当所述制造方法应用于不同基板时，改变所述第二蚀刻的条件，使得形成在所述不同基板上的第二凹槽部分的宽度大于形成在所述基板上的所述第二凹槽部分的宽度，以在所述不同基板上形成第二凹槽部分。21.一种半导体件制造方法，包括: 从基板的正面通过单次蚀刻形成正面侧上的凹槽的步骤；以及 由旋转的切割部件从所述基板的背面侧沿着第二凹槽部分形成背面侧上的凹槽的步骤，所述背面侧上的凹槽具有比第一凹槽部分的宽度大的宽度， 其中，当执行所述制造方法时，当所述正面侧上的凹槽附近因来自所述切割部件的应力而破损时，并且当所述制造方法应用于除所述基板以外的不同基板时，由从所述不同基板的所述正面侧通过第一蚀刻形成第一凹槽部分的步骤和在与所述第一凹槽部分连通的下部形成第二凹槽部分的步骤形成所述正面侧上的凹槽，所述第二凹槽部分具有比通过所述第一蚀刻形成的宽度大的宽度并且比通过所述单次蚀刻形成的所述正面侧上的凹槽大。22.—种基板切割方法，包括: 准备基板的步骤，所述基板具有:第一凹槽部分，其从正面由第一蚀刻形成；以及第二凹槽部分，其在与所述第一凹槽部分连通的下部由第二蚀刻形成，其中，凹槽宽度大于由所述第一蚀刻形成的宽度；以及 由旋转的切割部件从所述基板的背面形成背面侧上的凹槽的步骤，所述背面侧上的凹槽具有比所述第一凹槽部分的宽度大的宽度且深度到达所述第二凹槽部分。23.—种基板切割方法，包括: 准备基板的步骤，所述基板具有:第一凹槽部分，其从正面由第一蚀刻形成；以及第二凹槽部分，其在与所述第一凹槽部分连通的下部由第二蚀刻形成，其中，凹槽宽度大于由所述第一蚀刻形成的宽度； 在余留所述基板的厚度的一部分的同时由旋转的切割部件从所述基板的背面形成背面侧上的凹槽的步骤，所述背面侧上的凹槽具有比所述第一凹槽部分的宽度大的宽度；以及 在形成所述背面侧上的凹槽之后对所述基板施加应力以分开所述基板的余留部分的步骤。24.根据权利要求1所述的半导体件制造方法，还包括: 将具有粘合剂层的保持部件粘附在形成有所述第一凹槽部分和所述第二凹槽部分的所述正面上的步骤； 由旋转的切割部件从所述基板的背面侧沿着所述第二凹槽部分形成所述背面侧上的凹槽的步骤，所述背面侧上的凹槽具有比所述第一凹槽部分的下端的宽度大的宽度；以及 在形成所述背面侧上的凹槽之后将所述正面与所述保持部件分离的步骤， 其中，所述第一凹槽部分的形状不具有宽度从所述基板的正面向背面凹槽扩大的部分，并且 所述第二凹槽部分具有以下形状:从所述第一凹槽部分的下端到下部，宽度自所述下端的宽度起逐渐增大。25.根据权利要求24所述的半导体件制造方法， 其中，所述第一凹槽部分具有以下深度:在形成所述背面侧上的凹槽之后，所述粘合剂层不进入所述第二凹槽部分。26.根据权利要求24或25所述的半导体件制造方法， 其中，所述基板因所述基板的正面侧上的台面形状的元件而具有凸部和凹部， 所述正面侧上的凹槽的至少一部分设置在所述凹部中， 粘合剂层具有跟随设置在所述凹部中的所述正面侧上的凹槽的入口部分的厚度并且粘附成跟随所述入口部分，并且 所述第一凹槽部分具有以下深度:粘附成跟随所述入口部分的所述粘合剂层不进入所述第二凹槽部分。27.—种切割方法，包括: 准备基板的步骤，所述基板具有:第一凹槽部分，其不具有宽度从正面向背面增大的部分；以及第二凹槽部分，其具有宽度从所述第一凹槽部分的下端逐渐增大的形状； 将具有粘合剂层的保持部件粘附在形成有所述第一凹槽部分和所述第二凹槽部分的所述正面上； 由旋转的切割部件从所述基板的背面形成背面侧上的凹槽的步骤，所述背面侧上的凹槽具有比所述下端的宽度大的宽度和到达所述第二凹槽部分的深度；以及在形成所述背面侧上的凹槽之后将所述正面与所述保持部件分离的步骤。28.—种切割方法，包括: 准备基板的步骤，所述基板具有:第一凹槽部分，其不具有宽度从正面向背面增大的部分；以及第二凹槽部分，其具有宽度从所述第一凹槽部分的下端逐渐增大的形状； 将具有粘合剂层的保持部件粘附在形成有所述第一凹槽部分和所述第二凹槽部分的所述正面上； 在余留所述基板的厚度的一部分的同时由旋转的切割部件从所述基板的背面形成背面侧上的凹槽的步骤，所述背面侧上的凹槽具有比所述下端的宽度大的宽度；以及 在形成所述背面侧上的凹槽之后对所述基板施加应力以分开所述基板的余留部分的步骤。29.—种电路板，其安装有通过根据权利要求1至28中的任一项所述的制造方法或切割方法制造的至少一个半导体件。30.一种电子设备，其安装有根据权利要求29所述的电路板。
【专利摘要】本发明提供了用于制造半导体部件的方法，该方法包括如下步骤：在形成有多个发光元件的半导体基板的正面的切割区域中，通过蚀刻形成正面侧上的凹部，该凹部具有包括第一宽度(Sa1)的第一凹部(510)和包括比第一宽度大的第二宽度(Sa2)的第二凹部(520)；以及利用旋转的切割刀片(300)从半导体基板的背面形成到达第二凹部(520)的背面侧凹部(170)，将多个半导体元件分成独立的半导体部件。
【IPC分类】H01L21/301
【公开号】CN105340065
【申请号】CN201480035154
【发明人】高桥睦也, 山田秀一, 村田道昭
【申请人】富士施乐株式会社
【公开日】2016年2月17日
【申请日】2014年6月25日
【公告号】EP3018701A1, US20160056080, WO2015002051A1