此电子在远离第一分支部108a处仍可维持较高的浓度。所以，当电子移动至多个相邻的第二分支部110a之间的区域时，电子的浓度与电洞的浓度会较为接近，如此便能够使电子与电洞有较佳的复合率，进而提升发光二极管结构100的发光效率。
[0043]在本实施例中，由于每一所述第一分支部与相邻的所述第二分支部之间的2倍最短距离H1大于或等于相邻的二所述第二分支部之间的最大距离H2，因此这些相邻的第二分支部110a之间的电子浓度便能够有效提升，而使得电子的浓度与电洞的浓度更为接近，进而藉由提升电子与电洞的复合率来提升发光二极管结构100的发光效率。
[0044]此外，就本实施例的发光二极管结构100的中间区域C而言，中间区域C与第一分支部108a的距离较远，故由第一分支部108a发出的电子传递至中间区域C时，其(电子)浓度已下降。另一方面，虽然中间区域C与第二分支部110a的距离较近，但由于电洞的迀移率(mobility)较电子小，故由第二分支部110a发出的电洞传递至中间区域C时，其(电洞)浓度已下降至与电子浓度接近的程度。如此一来，中间区域C中的电洞浓度刚好可与中间区域C中的电子浓度匹配，进而使得电子电洞在中间区域C附近发生复合(recombinat1n)的机率大幅提尚，而更进一步地提升发光一■极管结构100的发光效率，且亦能够提升发光二极管结构100的发光均匀性。
[0045]请继续参照图1、图3及图4，本实施例的第一电极108可进一步包括至少一第一接垫108b，第一接垫108b连接第一分支部108a。本实施例的第二电极110可进一步包括至少一第二接垫110b，第二接垫110b连接第二分支部110a。在本实施例中，第二接垫110b配置于第一电极108的相邻的二第一分支部108a之间。如图4所示，第一接垫108b与第二接垫110b可通过导电凸块200与电路板300连接，进而让使用者可通过电路板300操作发光二极管结构100。
[0046]详言之，本实施例的第一分支部108a具有相对的第一端T1与第二端T2，且第二分支部110a具有相对的第三端T3与第四端T4。第一接垫108b连接相邻第一分支部108a的第一端T1，而第二接垫110b连接相邻第二分支部110a的第三端T3，且第二接垫110b配置于相邻二第一分支部108a的第二端T2之间。
[0047]在本实施例中，第一电极108中的二第一分支部108a呈U字形，本实施例的第二电极110中的二第二分支部110a亦呈U字形。并且，第一电极108的U字形的开口 108c朝向第二电极110的第二接垫110b，且第二电极110的U字形的开口 110c朝向第一电极108的第一接垫108b。
[0048]综上所述，本发明的发光二极管结构藉由在第一电极的相邻二第一分支部之间配置至少二第二电极的第二分支部，而使得发光二极管结构各区域上的电子电洞浓度匹配，此可有效促进电子与电洞的复合，进而提高电子电洞复合的机率。如此一来，本发明的发光一.极管结构的发光效率光提取效率便可有效提尚。
[0049]虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域的普通技术人员，当可作些许更动与润饰，而不脱离本发明的精神和范围。
【主权项】
1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括: 第一型掺杂半导体层； 第二型掺杂半导体层； 发光层，配置于所述第一型掺杂半导体层与所述第二型掺杂半导体层之间；以及 至少一单元，包括: 第一电极，配置于所述第一型掺杂半导体层上，所述第一电极包括多个第一分支部；以及 第二电极，配置于所述第二型掺杂半导体层上，所述第二电极包括多个第二分支部，所述第一电极及所述第二电极暴露所述单元的中间区域，且所述中间区域位于所述多个第二分支部之间，所述第二电极位于所述多个第一分支部之间。2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管结构包括多个所述单元，且所述多个单元重复排列。3.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第一型掺杂半导体层为N型半导体层，而所述第二型掺杂半导体层为P型半导体层。4.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第一型掺杂半导体层具有相连接的平台部与下陷部，所述平台部的厚度大于所述下陷部的厚度，所述发光层与所述第二型掺杂半导体层配置于所述平台部上，且所述第一电极配置于所述下陷部上。5.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第一电极还包括至少一第一接垫，所述第一接垫连接所述第一分支部，且所述第二电极还包括至少一第二接垫，所述第二接垫连接所述第二分支部。6.根据权利要求5所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第二接垫配置于所述第一电极的相邻的二所述第一分支部之间。7.根据权利要求5所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第一电极中的二所述第一分支部呈U字形，且所述第二电极中的二所述第二分支部呈U字形，所述第一电极的所述U字形的开口朝向所述第二电极的所述第二接垫，且所述第二电极的所述U字形的开口朝向所述第一电极的所述第一接垫。8.根据权利要求5所述的发光二极管结构，其特征在于，每一所述第一分支部具有相对的第一端与第二端，且每一所述第二分支部具有相对的第三端与第四端，所述第一接垫连接所述第一分支部的所述第一端，所述第二接垫连接所述第二分支部的所述第三端，且所述第二接垫配置于相邻二所述第一分支部的所述第二端之间。9.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管结构用于覆晶方式的封装。10.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括透明导电层，配置于所述第二电极与所述第二型掺杂半导体层之间。11.一种发光二极管结构，其特征在于，包括: 第一型掺杂半导体层； 第二型掺杂半导体层； 发光层，配置于所述第一型掺杂半导体层与所述第二型掺杂半导体层之间；以及 至少一单元，包括: 第一电极，配置于所述第一型掺杂半导体层上，所述第一电极包括多个第一分支部；以及 第二电极，配置于所述第二型掺杂半导体层上，所述第二电极包括多个第二分支部，所述第一电极及所述第二电极暴露所述单元的中间区域，且所述第一分支部与所述中间区域的距离较所述第二分支部与所述中间区域的距离远。12.根据权利要求11所述的发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管结构包括多个所述单元，且所述多个单元重复排列。13.根据权利要求11所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第一型掺杂半导体层为N型半导体层，而所述第二型掺杂半导体层为P型半导体层。14.根据权利要求11所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第一型掺杂半导体层具有相连接的平台部与下陷部，所述平台部的厚度大于所述下陷部的厚度，所述发光层与所述第二型掺杂半导体层配置于所述平台部上，且所述第一电极配置于所述下陷部上。15.根据权利要求11所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第一电极还包括至少一第一接垫，所述第一接垫连接所述第一分支部，且所述第二电极还包括至少一第二接垫，所述第二接垫连接所述第二分支部。16.根据权利要求15所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第二接垫配置于所述第一电极的相邻的二所述第一分支部之间。17.根据权利要求15所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第一电极中的二所述第一分支部呈U字形，且所述第二电极中的二所述第二分支部呈U字形，所述第一电极的所述U字形的开口朝向所述第二电极的所述第二接垫，且所述第二电极的所述U字形的开口朝向所述第一电极的所述第一接垫。18.根据权利要求15所述的发光二极管结构，其特征在于，每一所述第一分支部具有相对的第一端与第二端，且每一所述第二分支部具有相对的第三端与第四端，所述第一接垫连接所述第一分支部的所述第一端，所述第二接垫连接所述第二分支部的所述第三端，且所述第二接垫配置于相邻二所述第一分支部的所述第二端之间。19.根据权利要求11所述的发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管结构用于覆晶方式的封装。20.根据权利要求11所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括透明导电层，配置于所述第二电极与所述第二型掺杂半导体层之间。
【专利摘要】本发明提供一种发光二极管结构，包括第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层、发光层、至少一单元。发光层配置于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层之间。至少一单元包括第一电极以及第二电极，第一电极配置于第一型掺杂半导体层上，且包括多个第一分支部。第二电极配置于第二型掺杂半导体层上，且包括多个第二分支部。第一电极及第二电极暴露该单元的中间区域，且中间区域位于多个第二分支部之间，第二电极位于多个第一分支部之间。因此，本发明的发光二级管结构具有高发光效率。
【IPC分类】H01L33/38
【公开号】CN105390581
【申请号】CN201510688065
【发明人】陈正言, 赖育弘
【申请人】新世纪光电股份有限公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2011年7月13日
【公告号】CN102832310A, CN102832310B