= 7211111，且1]12 = 80111]1的情况下，]^1为1440nm。节距g、m、m2和V由式g2+m2 > v2以及LCM(g，m，m2)〈20g来约束。在一个配置中，假定了通孔节距V，并且门互连节距g、金属互连节距m、以及金属互连节距m2被调节以满足上式。这多个金属互连可以在第三互连级(例如，金属层M3)上，并且第二多个金属互连可以在高于第三互连级的第五互连级(例如，金属层M5)上。诸通孔在该多个金属互连和该第二多个金属互连之间互连金属互连第三互连级可以是第三金属层M3，且第五互连级可以是第五金属层M5。
[0025]图5是操作S0C装置的方法的流程图500。在步骤502，电流流过具有最小节距g的多个门互连。在步骤504，电流流过具有最小节距m的多个金属互连。在步骤506，电流流过互连诸门互连和诸金属互连的多个通孔。通孔具有最小节距V。门互连、金属互连和通孔的节距满足g2+m2 > V2。此外，g和m的LCM小于20g。该多个金属互连可以在第一互连级或第二互连级中的至少一者上，并且诸通孔可以在第一互连级和第二互连级之间互连诸金属互连。第一互连级可以是第一金属层，且第二互连级可以是第二金属层。在步骤508，电流流过具有最小节距m2的第二多个金属互连，其中m2>m，并且g、m和m2的LCM小于20g。该多个金属互连可以在第三互连级上，并且该第二多个金属互连可以在第五互连级上。诸通孔可以在该多个金属互连和该第二多个金属互连之间互连诸金属互连第三互连级可以是第三金属层，且第五互连级可以是第五金属层。
[0026]在一个配置中，S0C设备包括用于使得电流流过具有最小节距g的多个门互连的装置，用于使得电流流过具有最小节距m的多个金属互连的装置，以及用于使得电流流过互连诸门互连和诸金属互连的多个通孔的装置。该些通孔具有最小节距V，g2+m2 > V2，并且g和m的LCM小于20g。用于使得电流留过多个门互连的装置是该多个门互连，用于使得电流流过多个金属互连的装置是该多个金属互连，并且用于使得电流流过多个通孔的装置是该多个通孔。SOC装置可进一步包括用于使得电流流过具有最小节距!112的第二多个金属互连的装置，其中m2>m，并且g、m和m2的LCM小于20g。用于使得电流流过第二多个金属互连的装置是该第二多个金属互连。
[0027]如上文所提供的，在给定了要获得x2%的面积缩放的要求的前提下，大于的节距缩放可以被用于一些互连。最小节距缩放可以基于最小通孔节距限制来确定。此类缩放可以提供超过针对所有互连的节距缩放的改进的成本、功率和性能效益
[0028]应理解，所公开的过程中各步骤的具体次序或层次是示例性办法的解说。应理解，基于设计偏好，可以重新编排这些过程中各步骤的具体次序或层次。此外，一些步骤可被组合或被略去。所附方法权利要求以范例次序呈现各种步骤的要素，且并不意味着被限定于所给出的具体次序或层次。
[0029]提供之前的描述是为了使本领域任何技术人员均能够实践本文中所描述的各种方面。对这些方面的各种改动将容易为本领域技术人员所明白，并且在本文中所定义的普适原理可被应用于其他方面。因此，权利要求并非旨在被限定于本文所示出的方面，而是应被授予与语言上的权利要求相一致的全部范围，其中对要素的单数形式的引述除非特别声明，否则并非旨在表示“有且仅有一个”，而是“一个或多个”。本文使用术语“示例性”意指“用作示例、实例或解说”。本文中描述为“示例性”的任何方面不必被解释成优于或胜过其他方面。除非特别另外声明，否则术语“一些/某个”指的是“一个或多个”。诸如“A、B或C中的至少一者”、“A、B和C中的至少一者”以及“A、B、C或其任何组合”之类的组合包括A、B和/或C的任何组合，并且可包括多个A、多个B或者多个C。具体地，诸如“A、B或C中的至少一者”、“A、B和C中的至少一者”以及“A、B、C或其任何组合”之类的组合可以是仅A、仅B、仅C、A和B、A和C、B和C、或者A和B和C，其中任何此类组合可包含A、B或C中的一个或多个成员。本公开通篇描述的各种方面的要素为本领域普通技术人员当前或今后所知的所有结构上和功能上的等效方案通过引述被明确纳入于此，且旨在被权利要求所涵盖。此外，本文中所公开的任何内容都并非旨在贡献给公众，无论这样的公开是否在权利要求书中被显式地叙述。没有任何权利要求元素应被解释为装置加功能，除非该元素是使用短语“用于……的装置”来明确叙述的。
【主权项】
1.一种片上系统(SOC)装置，包括: 具有最小节距g的多个门互连； 具有最小节距m的多个金属互连；以及 互连所述门互连和所述金属互连的多个通孔，所述通孔具有最小节距V， 其中g2+m2 > V2并且g和m的最小公倍数(LCM)小于20g。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，g为大约96nm，m为大约64nm，并且V为大约115nm03.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述多个金属互连在第一互连级或第二互连级中的至少一者上，并且所述通孔在所述第一互连级和所述第二互连级之间互连所述金属互连。4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一互连级是第一金属层，并且所述第二互连级是第二金属层。5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括具有最小节距肥的第二多个金属互连，其中m2>m，并且g、m和m2的LCM小于20g。6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，g为大约96nm，m为大约72nm，V为大约115nm，并且m2为大约80nm。7.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述多个金属互连在第三互连级上，并且所述第二多个金属互连在第五互连级上，其中所述通孔在所述多个金属互连和所述第二多个金属互连之间互连金属互连。8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述第三互连级是第三金属层，并且所述第五互连级是第五金属层。9.一种操作片上系统(S0C)装置的方法，包括: 使得电流流过具有最小节距g的多个门互连； 使得电流流过具有最小节距m的多个金属互连；以及 使得电流流过互连所述门互连和所述金属互连的多个通孔，所述通孔具有最小节距V， 其中g2+m2 > V2并且g和m的最小公倍数(LCM)小于20g。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述多个金属互连在第一互连级或第二互连级中的至少一者上，并且所述通孔在所述第一互连级和所述第二互连级之间互连所述金属互连。11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一互连级是第一金属层，并且所述第二互连级是第二金属层。12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，进一步包括使得电流流过具有最小节距肥的第二多个金属互连，其中m2>m，并且g、m和n^tlLCM小于20g。13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述多个金属互连在第三互连级上，并且所述第二多个金属互连在第五互连级上，其中所述通孔在所述多个金属互连和所述第二多个金属互连之间互连金属互连。14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第三互连级是第三金属层，并且所述第五互连级是第五金属层。15.—种片上系统(S0C)设备，包括: 用于使得电流流过具有最小节距g的多个门互连的装置； 用于使得电流流过具有最小节距m的多个金属互连的装置；以及用于使得电流流过互连所述门互连和所述金属互连的多个通孔的装置，所述通孔具有最小节距V， 其中g2+m2 > V2并且g和m的最小公倍数(LCM)小于20g。16.如权利要求15所述的设备，其特征在于，所述多个金属互连在第一互连级或第二互连级中的至少一者上，并且所述通孔在所述第一互连级和所述第二互连级之间互连所述金属互连。17.如权利要求16所述的设备，其特征在于，所述第一互连级是第一金属层，并且所述第二互连级是第二金属层。18.如权利要求15所述的设备，其特征在于，进一步包括用于使得电流流过具有最小节距m2的第二多个金属互连的装置，其中m2>m，并且g、m和!112的^11小于20g。19.如权利要求18所述的设备，其特征在于，所述多个金属互连在第三互连级上，并且所述第二多个金属互连在第五互连级上，其中所述通孔在所述多个金属互连和所述第二多个金属互连之间互连金属互连。20.如权利要求19所述的装置，其特征在于，所述第三互连级是第三金属层，并且所述第五互连级是第五金属层。
【专利摘要】SOC装置包括具有最小节距g的多个门互连、具有最小节距m的多个金属互连、以及互连诸门互连和诸金属互连的多个通孔。诸通孔具有最小节距v。值m、g和v为g2+m2≥v2，并且g和m的LCM小于20g。该SOC装置可进一步包括具有最小节距m2的第二多个金属互连，其中m2>m，并且g、m和m2的LCM小于20g。
【IPC分类】H01L23/498, H01L21/768, H01L27/02, H01L23/522
【公开号】CN105453263
【申请号】CN201480041649
【发明人】X·陈, O·翁, E·特泽格鲁, H·汶纳林
【申请人】高通股份有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2014年7月23日
【公告号】CA2917642A1, EP3025370A1, US9331016, US20150028495, WO2015013415A1