原生区域上升直到直接在浮置栅极106下方的沟 道，最终在浮置栅极106下面延伸跨过第一有源区114a的整个沟道长度L。在运种情况下，浮 置栅极106下面的短路被终止，并且防止了 FN隧穿。
[0054] 在浮置栅极106下方使5V N-LDD注入物交叠通过简单地使得区域中存在的更多电 荷载流子耗尽来延迟耗尽区向更高电压的生长，从而提供更大的电压范围用于执行FN隧 穿。在原生区域中形成FN隧穿器件130通过W下方式增强了运一效果:提供相对较少的反向 渗杂的电荷载流子(例如空穴），其否则会干扰N-LDD注入物160交叠并且加速耗尽区的生长 并且防止FN隧穿。
[0055] 为了在高电压下进一步促进FN隧穿，FN隧穿器件130被配置成在第一有源区114a 之上具有带有窄的沟道(长度L)的窄的浮置栅极106。如果浮置栅极106更宽(例如如果沟道 长度增加），则FN隧穿在更低电压(例如14VW下）下切断。因为FN隧穿器件被配置成在比电 容器110高的电压下操作，所W在浮置栅极下面的原生区域132a的部分周围的原生区域 132a可W被配置成表面积比电容器大。在浮置栅极周围或者至少部分环绕浮置栅极的原生 区域132a围闭区越大(在俯视图中），该结的二极管击穿就越高。
[0056] 图3是其中使FN隧穿器件330短路不可行的FN隧穿器件330的替选构造的俯视图。 在一些实施方式中，如图ID中图示的实施方式中所进行的，在浮置栅极下面的第一有源区 中使FN隧穿器件短路是不可行的。运在其中位单元中的任何器件中的最高电压注入物为 2.5V的实施方式中是一个问题。运可W是使用特定注入工艺的情况，例如2.5V N-LDD注入 物不能在浮置栅极下面充分延伸地注入W与其本身交叠的工艺。尽管如此，仍然能够构造 可操作的NVM位单元，如本文中关于图3所描述的。
[0057] 在图3的实施方式中，在第一有源区314a之上的浮置栅极306的部分相对于图IA中 图示的FN隧穿器件130具有扩展的周长。浮置栅极306的周长是长度30化的两倍加上长度 306a的两倍加上长度306c的两倍减去长度306d。基于浮置栅极形状(未图示）的其他周长也 是可能的。FN隧穿器件330的浮置栅极306的扩展的周长增加了诸如2.5V N-LDD注入物之类 的注入物所穿透的在浮置栅极306下方的面积。运实现了在第一有源区314a中的LDD注入物 和栅极之间的更大交叠面积。浮置栅极306在垂直于线Q-R的方向上没有横跨整个第一有源 区314a。运使得第一有源区114a能够在NVM存储器设备中的大量位单元的大量FN隧穿器件 之间被共享，即使LDD在栅极下面没有短路。
[0058] 电容器的示例结构和操作
[0059] 图IC是根据一个实施例的NVM位单元的电容器的横截面视图。图IC在第=有源区 114c中沿着图IA的轴N/M得到。在第=有源区114c之上的电容器110的部分沿着运一横截面 与图IB和ID中相同，而浮置栅极106的宽度除外。在第=有源区114c内，器件关于尺寸和渗 杂而不同。第S有源区114c包括在所有侧上在间隔物158下方部分地延伸的N+注入物162。 第=有源区114c还包括除了使用浮置栅极将电容器连接到读取器件处之外在所有侧上在 浮置栅极106下方部分地或一直延伸的5V N-LDD注入物160。
[0060] 浮置栅极106与第S有源区114c之间的电容器110的电容器110的电容由浮置栅极 106与第=有源区114c之间的交叠的程度来确定。在第=有源区114c之上延伸的浮置栅极 106的部分被成形，使得到第=有源区114c中的电荷载流子的渗杂能够穿透到浮置栅极106 的该部分下方。增加第S有源区114c之上的浮置栅极的尺寸而不增加5V LDD注入物160的 范围并不可测量地增加电容性禪合。因此，为了减小位单元尺寸，如果并非自始至终在整个 浮置栅极106下方，则注入物160和浮置栅极形状106被配置成确保LDD注入物160在浮置栅 极106下方尽可能多地延伸。理想情况下，LDD在栅极下方合并。
[0061] 如W上所介绍的，第S有源区114c可W形成为原生区域13化或者P阱区域。在向第 =有源区114c施加正电压时，在第=有源区114c中形成耗尽区，耗尽区的尺寸随着电压增 加而生长。如果耗尽区到达衬底的表面，则电容器的该部分由于耗尽区中缺少电荷载流子 而不再电容性地禪合到浮置栅极106。因此，对于在电容性禪合由于耗尽而下降之前能够向 第=有源区114c拉取多高的电压是有限制的。运又限制了浮置栅极106能够由所施加的电 压电容性地禪合的电压有多高。
[0062] 在原生区域中形成电容器110有利地实现了更大的电容性表面积，因为原生区域 缺乏反向渗杂的电荷载流子。如同W上的FN隧穿器件130,更少的反向渗杂的电荷载流子的 存在预先阻止在所施加的电压下的耗尽区的生长。因此，在第=有源区114c之上的浮置栅 极的部分可能相当大，同时在高电压下仍然提供有效的电容性禪合。相比较而言，在P阱区 域中形成电容器提供大量反向渗杂的电荷载流子W在所施加的电压存在的情况下加速耗 尽区的生长。为了形成同等有效的电容器，通常相对于其原生区域对应部(counterpad)来 减小浮置栅极106的宽度，W确保能够在变窄的浮置栅极106下方一直注入另外的5V N-LDD 电荷载流子W抵消P阱反向渗杂剂。
[0063] 图4A和4B图示位单元400的实施方式，其中电容器410形成在P阱区域418中而非在 原生区域中。图4A是位单元400的俯视图。为了抵消加速耗尽区生长的P阱418中的另外的反 向渗杂剂(例如空穴），在第=有源区之上的浮置栅极406的部分被配置成在某个宽度W下， 使得5V N-LDD注入物的电子一直穿透到浮置栅极406的该部分下方。运在所施加的电压下 抵消了另外的空穴的存在，从而甚至在高的施加电压(例如在7-10V的范围内）下维持电容 性禪合。例如，浮置栅极406可W具有外部宽度406a和长度406b，其中宽度间隙为406c，长度 间隙为406d。为了使得电容器410能够匹配电容器110的表面积(并且从而匹配其电容），期 望有源区414c大于有源区114c。图4A的实施例表示与图IA的实施方式的折衷。在此，电容器 410没有形成在原生区域中，W节省空间，因为不存在任何非有源原生区域电隔离来占用空 间。然而，运一空间节省被沿着C/D轴的电容器410的增加的竖直延伸抵消，从而相对于其图 IA对应部110占用了另外的空间。
[0064] 图4B是根据一个实施例的沿着线C得到的位单元400的横截面视图。在制造工艺期 间使用掩模416 W防止渗杂剂注入到FN隧穿器件430的原生区域432中。注意，用于电容器 410的掩模416中没有单独的阻挡，因为在本实施例中，电容器形成在P阱418中。将电容器 410形成在P阱区域中是有利的，其中一个原因是，能够相对于位单元110的第二有源区114b 与第S有源区114a之间的距离减小第二有源区414b与第S有源区414c之间的距离，从而节 省NVM存储器设备中的大量空间。运一距离差在图1和4中没有明确图示。相比较而言，如果 电容器110形成在原生区域中，则第二有源区114b与第S有源区114cW某个最小距离间隔 开(未标记）。
[0065] 原生区域的放置在制造期间由于掩模未对准W及抗蚀剂开口尺寸的变化而变化。 电容器的最小原生区域围闭区具有大的最小尺寸，因为即使在最差情况的未对准和开口尺 寸变化场景下，另外的尺寸也确保最小围闭区。类似地，P阱注入也具有读取器件的有源区 的最小围闭区W确保正确地渗杂器件。如果P阱抗蚀剂壁太接近读取器件，则可W有阱接近 效应注入的电荷载流子。
[0066] 在位单元之间共享的金属线和金属接触
[0067] 图8A和8B图示将NVM位单元的各个器件(例如AT、电容器、FN隧穿器件）电禪合到电 源的NVM存储器设备800的金属线和金属接触。示出示例位单元的器件W清楚地理解各个金 属线和金属接触如何交叠。在图8A和8B二者中，示出了两个完整的位单元：具有电容器 810a、AT 820a和FN 830a的第一位单元，W及具有电容器SIOcUAT 820d和FN 830d的第二位 单元。也示出了 NVM存储器设备中的其他位单元的部分，包括每个与不同的位单元相关联的 FN隧穿器件83化和830c W及每个也与不同的位单元相关联的电容器SlOe和SlOf。图8A和8B 中仅部分示出水平金属线884和890W及竖直金属线886。图示部分位单元和金属线W清楚 地示出多个位单元能够如何布置在NVM存储器设备中。实际上假定，NVM存储器设备每行和 每列包括很多完整的位单元，并且叠置在运些位单元之上的金属线至少延伸到位单元的列 或行的端部。
[0068] 如W上所介绍的，每个NVM位单元具有至少四个电接触：一个用于AT的源极，一个 用于AT的漏极，一个用于FN隧穿器件，一个用于电容器。在NVM存储器设备中，位单元布置成 行和列。行列布置使得能够选择单独的位单元用于读取和写入。逐行执行擦除。
[0069] 沿着单个行的多个位单元的源极共享公共的电源，其中每个电源通过单独的金属 接触禪合到位单元。在图8A中，金属线884使用金属接触882电禪合到各个源极。例如，沿着 单个行，金属线884a将AT 820a和AT 820d与金属接触882a和882b禪合。沿着不同的行，层 884b和884c将未示出的AT与诸如金属接触882c的金属接触禪合。
[0070] 沿着单个列的多个位单元的漏极共享公共的电源，其中每个漏极通过单独的金属 接触禪合到电源。在图8A中，金属接触882d和882e将AT 820a和AT 820d分别禪合到图8B中 所示的单独的金属线。图8B图示运些金属线886,其中金属线886a禪合到金属接触882d，并 且其中金属线88化禪合到金属接触882e。图8A和8B的金属线在不同的竖直平面上。图8A表 示具有金属线884和接触882的相对较低的平面，图8B表示在图8A的平面上方的竖直平面。 金属接触882d和882e使用诸如竖直电连接或竖直互连接入(VIA)或者另一类似的电禪合机 构之类的娃通孔分别禪合到上部平面的金属线886a和88化。
[0071] 第S金属层889通过通孔电禪合AT 820a和820d的源极。运一金属层889增加了金 属宽度，使得位单元能够处理例如可W在对很多位并行编程时施加的非常高的电流。
[0072] 沿着单个行的多个位单元的电容器共享公共的电源。为了清楚，电容器、FN隧穿器 件、W及源极行彼此远离，使得任何给定行与多个位单元相关联，但是仅与来自运些位单元 的一种类型的器件（例如电容器、FN隧穿器件或AT源极）相关联。然而，与源极和漏极相比， 行的电容器还共享金属接触。因此，行的每个位单元的每个电容器与该行的其他电容器共 享其金属接触。更具体地，行的位单元的第=有源区共享金属接触。运是可行的，因为第= 有源区本身在行的位单元之间被共享。因此，行的所有位单元共享电容器的一个极板。由于 电容器的另一极板为浮置栅极，所W另一极板对于每个位单元而言是唯一的。
[0073] 图8A和8B中没有示出用于行的第S有源区的金属接触，因为在图8A和8B的示例实 施例中，它们位于位单元的行的一端或两端处。如果金属接触位于行的两端处，则金属线 884c在行的电容器之上延伸，W电禪合两端处的金属接触。对于行的电容器可W有少至单 个的金属接触。然而，可W基于NVM存储器设备的布局来