任选取代的芳基或杂 芳基、0、S、取代的N、C = 0或-COO-替换，并且一个或多个H原子可被F替换；
[0124] -芳基和杂芳基基团，所述芳基和杂芳基基团可W是未取代的或取代有一个或多 个取代基，优选为取代有一个或多个Cl 2。烷基的苯基；
[01巧]-芳基或杂芳基基团的直链或支化链，每个所述基团可独立地被取代，例如 式-(Ar\的基团，其中每个Ar 7独立地为芳基或杂芳基并且r为至少2,任选为2或3,优 选苯基的支化链或直链，每个苯基可W是未取代的或取代有一个或多个Cl 2。烷基；和 阳126]-可交联基团，任选地式（III)或（IV)的基团。
[0127] 优选地，每个R8独立地为C 1 4。控基。 阳12引 WO 2012/104579中公开了不同的基团R8,通过引用将其内容整体并入本文。 阳129] 取代的N当存在时可W为-NR2-，其中R2如上文所述。
[0130] 示例性的取代基R7是：烷基，例如Cl 2。烷基，其中一个或多个非邻近C原子可W被 0、S、C = 0和-COO-替代，任选取代的芳基，任选取代的杂芳基，烷氧基，烧硫基，氣，氯基和 芳烷基。特别优选的取代基包括Cl 2。烷基W及取代或未取代的芳基，例如苯基。所述芳基 的任选取代基包括一个或多个Cl 2。烷基。 阳131] 可通过如下方式控制式狂I)重复单元与聚合物主干中邻近重复单元的芳基或杂 芳基的共辆程度：（a)通过3-和/或6-位置连接该重复单元W限制跨该重复单元的共辆 程度，和/或化）在与连接位置邻近的一个或多个位置上用一个或多个取代基R8取代所述 重复单元W便产生相对于邻近的一个或多个重复单元的扭曲，例如在3-和6-位置之一或 两者上带有Cl 2。烷基取代基的2, 7-连接的巧。
[0132] 式狂I)的重复单元可W是2, 7-连接的式狂Ia)的重复单元： 阳 1；33]
[0134] 任选地，式狂Ia)的重复单元在与2-或7-位置邻近的位置上未被取代。在每个d =0的情形中，或者当与式狂Ia)的连接2-和7-位置相邻的位置处不存在任何取代基R7 时，可W提供跨式狂Ia)重复单元的相对高的共辆程度。
[0135] 在至少一个d为至少1的情形中，W及当与式狂Ia)的连接2-和7-位置相邻的 位置处存在至少一个取代基R 7时，可W限制跨式狂Ia)重复单元的共辆。任选地，每个d为 1并且式狂Ia)重复单元的3-和/或6-位置取代有取代基R7, W提供跨该重复单元的相 对低的共辆程度。WO 2013/191086公开了 3-和/或6-位置处的取代，通过引用将其内容 并入本文。 阳136] 式狂I)的重复单元可W是3, 6-连接的式狂Ib)重复单元： 阳 137]
[0138] 与相应的式狂la)重复单元相比，跨式狂扣）重复单元的共辆程度可相对较低。
[0139] 另一种示例亚芳基重复单元具有式（VIII):
[0140]
阳141] 其中R\rS和d如上文关于式狂）和狂I)所述。R7基团中的任一个可W与任何其 它R7基团连接从而形成环。如此形成的环可W是未取代的或者可W取代有一个或多个取 代基，任选为一个或多个Cl 2。烷基。 阳1创式（Vin)的重复单元可W具有式（Villa)或（VIIIb): 阳 143]
[0144] 所述一个或多个共聚重复单元可包括共辆中断重复单元，该共辆中断重复单元是 在与其相邻的重复单元之间不提供任何共辆路径的重复单元。
[0145] 本文所述的聚合物适宜地为非晶态的。 阳146] 聚合物合成 阳147] 形成本文所述的共辆的空穴传输聚合物的一种方法是Suzuki聚合，例如在WO 00/53656或US 5777070中所述，其允许在两个芳族或杂芳族基团之间形成C-C键，并因此 能够形成具有延伸跨两个或更多个重复单元的共辆的聚合物。在钮络合物催化剂和碱的存 在下发生Suzuki聚合。
[0148] 如方案1中所示，在Suzuki聚合过程中，用于形成重复单元RUl的单体具有与RUl 的相同或不同亚芳基或杂亚芳基结合的两个离去基团LG1，例如棚酸或棚酸醋基团，并且用 于形成重复单元RU2的单体具有与RU2的相同或不同亚芳基或杂亚芳基结合的两个离去基 团LG2,例如面素、横酸或横酸醋。使所述单体聚合W便在RUl和RU2的亚芳基或杂亚芳基 之间形成碳-碳键：
[0149] n LGl-RUl-LGl+n LG2-RU2-LG2 ^ -(RU1-RU2) 阳150] 方案1 阳151] 示例性的棚酸醋具有式（VI): 阳K2]
阳153] 其中R6在每次出现时独立地为Cl 2。烷基，*表示棚酸醋与单体的芳族环的连接点， 并且两个基团R6可连接从而形成环。在优选的实施方案中，两个基团R6连接从而形成棚酸 的频那醇醋： 阳 154]
阳1巧]技术人员将理解，单体LG1-RU1-LG1将不会与另一单体LG1-RU1-LG1聚合W形成 直接碳-碳键。单体LG2-RU2-LG2将不与另一单体LG2-RU2-LG2聚合W形成直接碳-碳键。 阳156] 优选地，LGl和LG2之一是漠或舰并且另一个是棚酸或棚酸醋。
[0157] 运种选择性意味着能够控制聚合物主干中重复单元的排序使得所有或基本上所 有由LG1-RU1-LG1聚合形成的RUl重复单元在两侧与RU2重复单元相邻。
[0158] 在上述方案1的实例中，通过两种单体W 1:1的比例共聚而形成AB共聚物，然而 将意识到在聚合中可使用多于两种单体，并且可使用任意的单体比例。 阳159] 在上述方案1的实例中，形成线性共聚物。在其它实施方案中，一种或多种单体可 含有3个W上离去基团从而形成支化聚合物。
[0160] 所述碱可W是有机碱或无机碱。示例性的有机碱包括四烷基锭的氨氧化物、碳酸 盐和碳酸氨盐。示例性的无机碱包括金属（例如碱金属或碱±金属）的氨氧化物、碳酸盐 和碳酸氨盐。 阳161] 钮络合物催化剂可W是钮（0)或钮（II)的化合物。 阳162] 特别优选的催化剂是四（S苯基麟）钮（0) W及与麟混合的乙酸钮（II)。
[0163] 可作为钮化合物催化剂的配体或者作为添加到聚合混合物中的单独化合物来提 供麟。示例性麟包括=芳基麟，例如=苯基麟，其中各个苯基可独立地是未取代的或取代有 一个或多个取代基例如一个或多个Cl 基或C 1 氧基。
[0164] 特别优选的是S苯基麟和S (邻甲氧基S苯基）麟。
[0165] 另一种聚合方法是Yamanoto聚合，其中带有面素（优选漠）离去基团的单体在儀 催化剂的存在下反应。
[0166] 聚合反应可发生在单一有机液相中，其中反应混合物的所有组分是可溶的。该反 应可发生在两相的水性-有机体系中，在该情况下，可使用相转移试剂。该反应可发生在通 过将两相的水性-有机体系与乳化剂混合所形成的乳液中。 阳167] 通过添加封端反应物可使聚合物封端。合适的封端反应物是取代有仅一个离去基 团的芳族或杂芳族材料。封端反应物可包括：用面素取代的反应物（用于与聚合物链末端 的棚酸或棚酸醋基团反应），W及用棚酸或棚酸醋取代的反应物（用于与聚合物链末端的 面素反应）。示例性的封端反应物为面苯（例如漠苯）和苯基棚酸。可W在聚合反应期间 或结束时添加封端反应物。
[0168] 在聚合物合成之后，可调节该空穴传输聚合物W提供具有如本发明第一或第二方 面中所述分子量的聚合物。
[0169] 可利用尺寸排除膜（size exclusion membrane)通过过滤对聚合物分子量进行分 级。
[0170] 优选的分级方法包括选择性沉淀或色谱法，例如制备性尺寸排除色谱法 (preparative size exclusion chromatography)。戶/f述分级最优选为选择性沉淀。 阳171] 选择性沉淀是其中将聚合物溶解在一种或多种溶剂中的方法。将聚合物较不易溶 于其中的溶剂或溶剂混合物添加到聚合物溶液中W使聚合物沉淀。较高分子量的聚合物链 被选择性地沉淀，因此沉淀的固体贫含较低分子量的聚合物链。
[0172] 发光层
[0173] OL邸可包含一个或多个发光层。用于发光层的合适发光材料包括聚合的发光材 料、小分子发光材料和树枝状发光材料，运些材料各自可W是巧光的或憐光的。
[0174] OLED的发光层可W是未图案化的，或者可W被图案化W形成分立的像素。每个像 素可W进一步分为子像素。发光层可包含单一发光材料，例如对于单色显示器或其它单色 器件，或者可包含发出不同颜色的材料，特别地对于全色显示器而言包含红色、绿色和蓝色 发光材料。
[0175] 发光层可包含多于一种发光材料的混合物，例如共同提供白色光发射的发光材料 的混合物。 阳176] 蓝色发光材料可具有峰值在400-490nm范围内的光致发光光谱。 阳177] 绿色发光材料可具有峰值在大于490nm至580nm范围内的光致发光光谱。
[0178] 红色发光材料可任选地在大于580nm至650nm、优选600-630nm的其光致发光光谱 内具有峰值。
[0179] 示例性的巧光聚合发光材料包括含如下重复单元中的一种或多种的聚合物：亚芳 基重复单元、亚芳基亚乙締基重复单元和芳基胺重复单元。巧光发光层可W由发光材料单 独组成或者可进一步包含与发光材料混合的一种或多种另外的材料。示例性的另外材料可 选自空穴传输材料、电子传输材料和=重态接受材料，例如WO 2013/114118中所述的=重 态接受聚合物，通过引用将其内容并入本文。
[0180] 优选的发光聚合物是包含如下的共聚物：选自上文参照空穴传输聚合物所述的式 狂)、狂I)和（VIII)和（V)的一种或多种亚芳基重复单元；菲重复单元；糞重复单元；蔥重 复单元；和巧重复单元。运些重复单元各自可通过运些单元的任意两个芳族碳原子连接到 相邻的重复单元。具体的示例性连接包括9, 10-蔥；2, 6-蔥；1,4-糞；2, 6-糞；2, 7-菲；和 2, 5-巧。运些重复单元各自可W是取代的或未取代的，例如取代有一个或多个Cl 4。控基。 阳181] 示例性的憐光发光材料包括金属络合物，该金属络合物包含取代或未取代的式 (I讶络合物：
[0182] 阳 183] (IX) 阳184] 其中M是金属；各L\ L2和L 3是配位基团；q为整数；r和S各自独立地为0或整 数；并且（a. q) + (b. r) + (C. S)的总和等于M上的可用配位位点的数目，其中a是Li上的配 位位点数目，b是L2上的配位位点数目，并且C是L 3上的配位位点数目。优选地，a、b和C 各自是1或2。优选地，a、b和C各自是2(二齿配体）。优选地，q是2