用于有机发光装置的基板、制造该基板的方法及包含该基板的有机发光装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种用于有机发光装置的基板、制造该基板的方法及包含该基板的有机发光装置，并且更具体地，涉及一种既提高光提取效率又具有卓越的生产率和制造效率的用于有机发光装置的基板、制造该基板的方法及包含该基板的有机发光装置。
【背景技术】
[0002]—般而言，发光装置通常可分为有机发光装置，其中发光层由有机物质形成，和无机发光装置，其中发光层由无机物质形成。用于有机发光装置的有机发光二极管是自发光元件，其利用由激子发出的能量产生光，该激子通过经阴极注入的电子和经阳极注入的空穴的复合而产生。这种有机发光装置具有多种优点，例如低电压驱动、自发光、宽视角、高分辨率、自然色再现和快速响应。
[0003]近来，进行了多种积极的研究，以便将有机发光装置应用于各种装置，例如便携信息装置、照相机、手表、办公室设备、车辆的信息显示窗、电视(TV)、显示器或照明系统。
[0004]用于提高有机发光装置的发光效率的方法包括提高构成发光层的材料的发光效率的方法，以及提高提取由发光层产生的光的光提取效率的方法。
[0005]光提取效率取决于形成有机发光装置的层的折射率。在一个典型的有机发光装置中，当从发光层产生的光线以大于临界角的角度发射时，光线在可为透明电极层的较高折射性层与可为基板的较低折射性层之间的界面处完全被反射。因此，这降低了光提取效率，从而降低有机发光装置的总发光效率，这是有问题的。
[0006]更具体地，仅约20%的从有机发光二极管产生的光发射到外部，而约80%的光通过玻璃基板与有机发光二极管之间的折射率差异产生的波导效应以及玻璃基板与空气之间的折射率差异产生的全内反射而损失，所述有机发光二极管包含阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。这里，内部有机发光层的折射率范围为1.7至1.8，而通常用于阳极的氧化铟锡(ITO)的折射率为约1.9。由于这两层具有200至400nm的范围内的极小的厚度，并且用于玻璃基板的玻璃的折射率为约1.5，因此在有机发光装置内形成平面波导。据计算，由于上述原因在内部波导模式中损失的光的比率为约45%。此外，由于玻璃基板的折射率为约1.5，并且环境空气的折射率为1.0，因此当光从玻璃基板的内部指向外部时，入射角大于临界角的光线全部被反射，并被困在玻璃基板内。被困的光的比例是约35 %。因此所产生的光仅有约20 %被发射到外部。
[0007]为了克服该问题，已经研究了多种用于提高光提取效率的方法。例如，将有中间反射率的平坦化层，作为减反射膜，设置在玻璃基板与发光结构之间，或者将其中白色微粒或透明微粒分散于聚合物中的分割壁，作为光波导，设置在基板上，透明微粒的折射率不同于聚合物的折射率。
[0008]用于光提取的典型技术为用包含散射颗粒的光散射层涂布基板。即，金属氧化物颗粒包含在基质中充当散射颗粒，从而在金属氧化物颗粒与基质之间的边界处，并且由于它们之间的折射率差异，可有望发生光散射效应。
[0009]光散射层通常通过湿涂法制造，例如旋涂或棒涂。然而，湿涂引起一些问题。
[0010]通过湿涂法难以在基质中均匀地分散金属氧化物颗粒。根据湿涂法的特性，液体基质的体积在烘焙工艺过程中减小1/5至1/20。其次，当基质体积减小时，一些残留在基质中的金属氧化物从基质表面突出，从而增加基质的表面粗糙度。因此这对有机发光装置的特性有不利影响。
[0011 ]此外，在相关技术中，在制造其中通过上述湿涂法将散射颗粒分散于基质内的光提取层之后，为了有机发光装置的可靠性，将降低基质层的表面粗糙度的平坦化层放置在基质上。然后，通过干燥工艺将透明电极、有机发光层和金属电极依次沉积在所得结构上。
[0012]由于用于光提取层的沉积工艺和用于有机发光二极管的沉积工艺在相关技术中通过不同的方法进行，因此在两种工艺之间需要一些处理。在两种工艺之间的这种处理导致有机发光装置的问题，所述有机发光装置效率对极小的缺陷非常敏感。
[0013]提供发明背景部分中公开的信息仅用于更好地理解发明背景，而不应被认为是承认或以任何形式提示该信息成为本领域技术人员已经知道的现有技术。
[0014]相关技术文件
[0015]专利文件1:韩国专利申请公开第10-2012-0038214号(2012年4月23日)。
【发明内容】
[0016]本发明的各方面提供了既提高光提取效率又具有卓越的生产率和制造效率的用于有机发光装置的基板、制造该基板的方法以及包含该基板的有机发光装置。
[0017]在本发明的一个方面中，提供了用于有机发光装置的基板，所述基板布置在有机发光装置的一个表面上，来自有机发光装置的光穿过所述基板发出。所述基板包含:基底基板;布置在所述基底基板上的光散射层，所述光散射层包含许多光散射颗粒;和布置在所述光散射层上的透明导电膜。形成透明导电膜的金属氧化物填充所述许多光散射颗粒之间的许多孔的全部或部分。
[0018]根据本发明的实施方式，透明导电膜可用作有机发光装置的透明电极。
[0019]透明导电膜可由其中添加掺杂剂的ZnO形成。
[0020]光散射颗粒可由选自由Zn0、Si02和T12组成的组中的至少一种形成。
[0021]光散射颗粒的直径范围可为50至500nm。
[0022]在本发明的另一个方面中，提供了制造用于有机发光装置的基板的方法，所述基板布置在有机发光装置的一个表面上，来自有机发光装置的光穿过所述基板发出。所述方法包括通过干沉积在基底基板上沉积光散射颗粒而形成光散射层的第一干沉积步骤;和通过干沉积在光散射层上沉积导电金属氧化物而形成透明导电膜的第二干沉积步骤。
[0023]根据本发明的实施方式，在第一干沉积步骤中，可使用前体和氧化剂将光散射颗粒沉积在基底基板上，所述前体选自由二乙基锌(DEZ)的ZnO前体、正硅酸四乙酯(TEOS)的S12前体和异丙氧基钛(TTIP)的T12前体组成的组中。
[0024]在第一干沉积步骤中，氧化剂可为H2O蒸气和臭氧中的至少一种。
[0025]在第一干沉积步骤中，沉积温度可控制在300至500°C的范围内。
[0026]此外，在第二干沉积步骤中，可使用烃有机溶剂、二乙基锌或二甲基锌的ZnO前体和氧化剂将导电金属氧化物沉积在光散射层上，所述ZnO前体在有机溶剂中稀释。
[0027]在第二干沉积步骤中，氧化剂可为H2O蒸气和乙醇中的至少一种。
[0028]在第二干沉积步骤中，沉积温度可控制在250至550°C的范围内。
[0029]第二干沉积步骤可包括将掺杂剂添加至金属氧化物。
[0030]干沉积可为化学气相沉积(CVD)。
[0031 ] 化学气相沉积可为大气压化学气相沉积(APCVD)。
[0032]第一干沉积步骤和第二干沉积步骤可在传送带上在线连续进行。
[0033]在本发明的又一个方面中，提供了有机发光装置，其包含:基底基板;布置在所述基底基板上的光散射层，所述光散射层包含许多光散射颗粒;布置在所述光散射层上的阳极，所述阳极由透明导电膜形成;布置在所述阳极上的有机发光层;和布置在所述有机发光层上的阴极。形成透明导电膜的金属氧化物填充所述许多光散射颗粒之间的许多孔的全部或部分。
[0034]根据本发明的实施方式，由于在干沉积工艺中光散射颗粒和透明导体膜(TCO)在线连续沉积在基底基板上，因此可以提高制造用于有机发光装置的基板的生产率和效率。具体地，由于用作有机发光装置的阳极的透明导电膜在制造该基板的步骤中形成，因此可以简化将来的二极管制造工艺。